**对比文件名称**：1997-09-05_None_发明专利_JPH09232632A Semiconductor light-emitting element and manufacture thereof
**目标专利名称**：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
**本次调用模型名称**：AI模型（未指定具体名称）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层 **《直接公开》** | 对比文件[0044]：“在绝缘性蓝宝石基板41上，层叠有由n‑GaN构成的n型层42、由氮化镓系化合物半导体构成的活性层43、以及由p‑GaN构成的p型层44的双异质结构晶圆，通过选择性地蚀刻p型层44的一部分而露出n型层42，在p型层44上形成p侧电极45，在n型层42上形成由与p侧电极45相同的电极材料构成的n型电极46。” | 对比文件明确公开了n型层42作为第一导电半导体层，其属于发光结构的一部分，功能与目标专利中的第一导电半导体层相同，均用于提供载流子。本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| **技术特征B**：在所述第一导电半导体层上的有源层 **《直接公开》** | 同上[0044]：“活性层43”位于n型层42与p型层44之间。 | 对比文件公开了活性层43（即相当于有源层）直接位于n型层42上，形成双异质结构，该有源层用于产生光，与目标专利中界定有源层位于第一导电半导体层上的作用一致。因此直接公开。 |
| **技术特征C**：所述有源层上的第二导电半导体层 **《直接公开》** | 同上[0044]：“p型层44”位于活性层43上。 | 对比文件中的p型层44直接形成在活性层43上，作为第二导电半导体层，与目标专利中第二导电半导体层位于有源层上的结构完全相同。直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域 **《直接公开》** | 同上[0044]：“通过选择性地蚀刻p型层44的一部分而露出n型层42”。 | 对比文件通过蚀刻工艺暴露了n型层42的顶表面，形成了用于形成n型电极的区域，这与目标专利中通过台面蚀刻暴露第一导电半导体层顶表面的区域完全一致。直接公开。 |
| **技术特征E**：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上 **《直接公开》** | 对比文件[0053]：“在此，p侧电极65及n型电极66由透过活性层63发出的光的透光性电极构成。作为该透光性电极材料，例如可使用厚度约0.001μm至0.05μm的金属单体或由这些金属构成的合金，或者由这些金属或合金构成的层结构，或者氧化铟锡（ITO）等透光性导电氧化物膜。” [0054]：“另外，以从p型层64上面重叠到p侧电极65上面的一部分的方式设置p侧台座电极67”。 | 对比文件第五实施例中的p侧电极65是形成在p型层64（第二导电半导体层）上的透光性电极，其材料、透光性及电流扩展功能与目标专利中的透射电极层实质相同，且后续在其上形成台座电极（相当于第二电极），因此该透光性电极直接对应于透射电极层。直接公开。 |
| **技术特征F**：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层 **《未公开》** | 对比文件全文未公开任何与粘附层相关的层结构。 | 对比文件所有实施例中，第一导电半导体层（n型层）上的电极均直接接触半导体层，没有设置额外的粘附层来提高粘附强度。本领域技术人员无法从对比文件中获得任何关于粘附层的技术启示。 |
| **技术特征G**：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，无相关记载。 | 由于对比文件未公开粘附层，因此不存在第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层的结构。该特征未公开。 |
| **技术特征H**：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层 **《直接公开》** | 对比文件[0054]：“以从p型层64上面重叠到p侧电极65上面的一部分的方式设置p侧台座电极67”。 | p侧台座电极67的一部分直接接触p型层64，因此该台座电极作为第二电极直接接触第二导电半导体层，与目标专利中第二电极直接接触第二导电半导体层的结构一致。直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分 **《直接公开》** | 对比文件[0054]：“以从p型层64上面重叠到p侧电极65上面的一部分的方式设置p侧台座电极67”。 | p侧台座电极67的另一部分重叠在p侧电极65（透射电极层）上，通过该透光性电极间接接触p型层64，因此形成了第二电极的第一部分通过透射电极层接触第二导电半导体层的结构。直接公开。 |
| **技术特征J**：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分 **《直接公开》** | 同上[0054]：“p侧台座电极67重叠到p侧电极65上面的一部分”。 | p侧台座电极67的重叠部分直接接触p侧电极65（透射电极层），即第二电极的第二部分直接接触透射电极层。直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围 **《未公开》** | 对比文件无粘附层，且无透射电极层包围第二电极的结构。 | 对比文件未公开任何形式的粘附层，因此不存在粘附层覆盖多个侧表面的布置。同时，对比文件中的台座电极（第二电极）暴露于外部，未被透射电极层包围。该特征未公开。 |
| **技术特征L**：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积 **《未公开》** | 对比文件未公开第一电极与第一导电半导体层之间的面积比例。 | 对比文件未涉及第一电极的底面积与顶面积的比例关系，无相关数值范围。未公开。 |
| **技术特征M**：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度 **《未公开》** | 对比文件无粘附层，且无垂直重叠宽度的比例。 | 对比文件未公开粘附层，且未公开任何关于电极与粘附层之间垂直重叠宽度的比例。未公开。 |
| **技术特征N**：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，透光性电极材料虽包括ITO等，但属于电极层而非粘附层。 | 对比文件中的透光性电极是电极层，其功能与目标专利的粘附层不同，且对比文件未公开任何粘附层材料。未公开。 |
| **技术特征O**：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个 **《未公开》** | 对比文件仅公开了电极材料如ITO、金属等，但并非粘附层材料。 | 对比文件所列的透光性电极材料虽与目标专利部分重叠，但对比文件将这些材料用于电极，而非粘附层，且未公开粘附层本身。未公开。 |
| **技术特征P**：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分 **《未公开》** | 对比文件无粘附层，无延伸结构。 | 对比文件未公开任何层沿着发光结构侧表面延伸，特别是从第一导电半导体层延伸到第二导电半导体层。未公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，更无多层结构。 | 对比文件未公开任何具有透射绝缘材料的第一层粘附层。未公开。 |
| **技术特征R**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，无第二层。 | 对比文件未公开任何在透射绝缘层上的透射导电层作为粘附层。未公开。 |
| **技术特征S**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，无折射率相关描述。 | 对比文件未公开任何具有高折射率的粘附层第一层。未公开。 |
| **技术特征T**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，无低折射率第二层。 | 对比文件未公开任何具有低折射率的粘附层第二层。未公开。 |
| **技术特征U**：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开 **《未公开》** | 对比文件无粘附层，无透射电极层与粘附层一端的相对位置。 | 对比文件未公开粘附层，因此透射电极层与粘附层一端隔开的结构无从谈起。未公开。 |
| **技术特征V**：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间 **《未公开》** | 对比文件无粘附层，无相应设置。 | 对比文件未公开粘附层，因此不存在粘附层位于透射电极层和第二导电半导体层之间的结构。未公开。 |
| **技术特征W**：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面 **《未公开》** | 对比文件无粘附层，无延伸至透射电极层顶表面的结构。 | 对比文件未公开粘附层，故无粘附层延伸到透射电极层顶表面的特征。未公开。 |
| **技术特征X**：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部 **《未公开》** | 对比文件[0054]的p侧台座电极67暴露于外部，用于引线键合。 | 对比文件中的第二电极（台座电极）整体暴露，未被透射电极层或其它结构覆盖，因此第一部分没有被隐藏。未公开。 |
| **技术特征Y**：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠 **《未公开》** | 对比文件无粘附层，无垂直重叠结构。 | 对比文件未公开粘附层，且第一电极（n侧电极）直接接触n型层，无穿过粘附层或与其重叠的结构。未公开。 |
### 公开性代码输出
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、H、I、J，未公开其他特征（无隐含公开）。因此，在回答结尾插入对应的代码：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>>