对比文件名称：2008-08-16_TW200834984A_发明专利_TW200834984A 發光元件及其製造方法
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用模型名称：深度思考AI模型（GPT-4）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层（直接公开） | 实施例1：“具備：(a)於基體10上依序形成之，具有第1導電型(於實施例1中為n型)之第1化合物半導體層11”。 | 对比文件明确公开了具有第1导电型（n型）的第1化合物半导体层11，相当于目标专利的第一导电半导体层，且形成于发光结构中，因此直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述第一导电半导体层上的有源层（直接公开） | 实施例1：同上，包括“活性層12”。 | 对比文件在第1化合物半导体层11上形成活性层12，相当于目标专利的有源层，直接公开。 |
| **技术特征C**：所述有源层上的第二导电半导体层（直接公开） | 实施例1：同上，包括“具有第2導電型(於實施例1中為p型)的第2化合物半導體層13”。 | 对比文件在活性层12上形成第2化合物半导体层13，相当于目标专利的第二导电半导体层，直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域（直接公开） | 实施例1：“使第1化合物半導體層11之一部分露出”及“於露出之第1化合物半導體層11之部分17上”。 | 对比文件通过蚀刻使第1化合物半导体层11的一部分17露出，形成暴露区域，直接公开。 |
| **技术特征E**：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上（直接公开） | 实施例1：“第2電極14由ITO構成”及“形成於第2化合物半導體層13上之第2電極14”。 | 对比文件在第2化合物半导体层13上形成由ITO构成的第2电极14，ITO为透射导电材料，相当于目标专利的透射电极层，直接公开。 |
| **技术特征F**：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层（直接公开） | 实施例1：“至少露出之第1化合物半導體層11的部分、露出之活性層12之部分、露出之第2化合物半導體層13之部分及第2電極14之一部分係由SOG層16被覆”。 | 对比文件SOG层16被覆第一化合物半导体层11的露出部分，直接接触第一导电半导体层，相当于粘附层，直接公开。 |
| **技术特征G**：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上（直接公开） | 实施例6：“於露出之第1化合物半導體層11的一部分中應形成第1電極15的部分上，形成第1電極15”及“自露出於第1開口部18A之底部的第1化合物半導體層11之部分上，至第1開口部18A附近的SOG層16上，形成第1電極15”。 | 对比文件实施例6中，第一电极15形成于第一化合物半导体层11的露出部分（开口部底部）并延伸至SOG层16上，因此第一电极的底表面一部分接触半导体层，一部分接触SOG层（粘附层），直接公开。 |
| **技术特征H**：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层（直接公开） | 实施例1：“形成於第2化合物半導體層13上之第2電極14”。 | 对比文件第2电极14直接形成在第2化合物半导体层13上，接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件没有单独的透射电极层，第二电极14直接接触第二导电半导体层，而非通过透射电极层，因此未公开。 |
| **技术特征J**：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件不存在透射电极层，第二电极14没有第二部分接触透射电极层，未公开。 |
| **技术特征K**：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围（未公开） | 前半部分：实施例1中SOG层16被覆露出之第1化合物半導體層11的部分、露出之活性層12之部分、露出之第2化合物半導體層13之部分及第2電極14之一部分，从图1可知覆盖侧壁和顶表面。后半部分：无透射电极层。 | 对比文件SOG层覆盖了第一导电半导体层的侧表面和顶表面、有源层的侧表面、第二导电半导体层的侧表面和顶表面的一部分，直接公开了前半部分。但后半部分要求第二电极的第一部分被透射电极层包围，对比文件不存在透射电极层，且第二电极被SOG层覆盖，不符合“被透射电极层包围”的结构，因此整体未公开。 |
| **技术特征L**：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积（未公开） | 无数值公开。 | 对比文件未提及第一电极底表面接触面积与顶表面面积的比例，无直接或隐含公开。 |
| **技术特征M**：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度（未公开） | 无数值公开。 | 对比文件未提及第一电极与粘附层垂直重叠区域的宽度比例，无直接或隐含公开。 |
| **技术特征N**：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个（直接公开） | 实施例1：“SOG層16以矽酸玻璃(SiO2)為主成分”。 | 对比文件SOG层16的主成分为SiO2，属于透射绝缘材料，因此直接公开粘附层包括透射绝缘材料（满足“至少一个”）。 |
| **技术特征O**：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个（直接公开） | 实施例1：“SOG層16以矽酸玻璃(SiO2)為主成分”。 | SiO2属于SiOx（氧化硅）的范畴，对比文件公开了SiOx，直接公开。 |
| **技术特征P**：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分（直接公开） | 实施例1：“至少露出之第1化合物半導體層11的部分、露出之活性層12之部分、露出之第2化合物半導體層13之部分及第2電極14之一部分係由SOG層16被覆”。结合图1，SOG层覆盖侧壁。 | 对比文件SOG层16从第一导电半导体层11的顶表面（露出部分）经侧表面（有源层、第二导电半导体层侧壁）延伸至第二导电半导体层13的顶表面的一部分，直接公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料（直接公开） | 实施例4：“以第1絕緣層21被覆露出之第1化合物半導體層11的一部分”，且第1绝缘层21由SiO2形成。 | 对比文件实施例4中，第1绝缘层21（SiO2）直接形成在第一化合物半导体层11的顶表面上，为透射绝缘材料，可视为粘附层的第一层，直接公开。 |
| **技术特征R**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件第1绝缘层21上为SOG层16（绝缘）或第2绝缘层22（绝缘），未公开透射导电材料作为第二层，未公开。 |
| **技术特征S**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率（未公开） | 无折射率相关公开。 | 对比文件未提及任何层具有高折射率，未公开。 |
| **技术特征T**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率（未公开） | 无折射率相关公开。 | 对比文件未提及任何层具有低折射率，未公开。 |
| **技术特征U**：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开（未公开） | 无透射电极层。 | 对比文件不存在透射电极层，无法判断其与粘附层端部的位置关系，未公开。 |
| **技术特征V**：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间（未公开） | 无透射电极层。 | 对比文件不存在透射电极层，粘附层（SOG层）直接覆盖第二导电半导体层，未公开位于透射电极层与半导体层之间。 |
| **技术特征W**：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面（未公开） | 无透射电极层。 | 对比文件不存在透射电极层，未公开。 |
| **技术特征X**：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部（直接公开） | 实施例1：“至少露出之...第2電極14之一部分係由SOG層16被覆”。 | 对比文件第2电极14的一部分被SOG层16覆盖，因此该部分未暴露到外部，直接公开。 |
| **技术特征Y**：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠（直接公开） | 实施例6：“自露出於第1開口部18A之底部的第1化合物半導體層11之部分上，至第1開口部18A附近的SOG層16上，形成第1電極15”。 | 对比文件实施例6中，第一电极15通过开口部穿过SOG层16，其底表面覆盖在SOG层16上，形成垂直重叠，直接公开。 |
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