对比文件名称：2001-06-12_JP2001160650A_发明专利_JP2001160650A Semiconductor light emitting element
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：大语言模型（GPT-4）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层 - **直接公开** | 对比文件[0043]段：…n-GaNからなる第1コンタクト層4…（由n-GaN制成的第一接触层）。 | 对比文件公开了n型GaN接触层，相当于第一导电半导体层，用于提供载流子，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层 - **直接公开** | 对比文件[0043]段：…発光層7…（发光层7）。 | 对比文件公开了发光层位于第一接触层上，相当于有源层，用于产生光，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层 - **直接公开** | 对比文件[0043]段：…p-GaNからなる第2コンタクト層9…（由p-GaN制成的第二接触层）。 | 对比文件公开了p型接触层位于发光层上，相当于第二导电半导体层，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域 - **直接公开** | 对比文件[0045]段：…第2クラッド層8から第1コンタクト層4の所定の深さまで一部の領域が除去されて電極形成面11が形成される。（从第二包覆层到第一接触层的预定深度部分区域被去除，形成电极形成面11）。 | 对比文件通过蚀刻形成暴露第一接触层的电极形成面，相当于暴露第一导电半导体层顶表面的区域，直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上 - **直接公开** | 对比文件[0080]段：…p-GaNコンタクト層209の所定領域上面には、膜厚2nmのNi膜210aおよび膜厚4nmのAu膜210bを積層してなるp側透光性電極210が形成され…（在p-GaN接触层209的预定区域上形成由Ni膜210a和Au膜210b层叠而成的p侧透光性电极210）。 | 对比文件LED实施例公开了p侧透光性电极（Ni/Au）在p型接触层上，相当于透射电极层，用于电流扩展，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层 - **直接公开** | 对比文件[0046]段：…ｎ側電極132が形成されている領域を除く電極形成面11にSiNx膜12a（xはほぼ1）が形成されている。（在除了n侧电极132形成区域以外的电极形成面11上形成SiNx膜12a）。 | 对比文件公开了SiNx绝缘膜接触第一导电半导体层（n型接触层）的顶表面和侧表面，该膜具有透射性，虽主要用于绝缘，但结构上直接接触第一导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上 - **未公开** | 对比文件[0047]段：…第1コンタクト層4の電極形成面11にはn側電極132が形成されている。（在第一接触层4的电极形成面11上形成n侧电极132）。 | 对比文件中的n侧电极直接接触第一导电半导体层，未接触介电膜（粘附层），因此未公开第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层 - **直接公开** | 对比文件[0047]段：…第2コンタクト層9の上面にはp側電極131が形成され…（在第二接触层9的上面形成p侧电极131）。 | 对比文件公开了p侧电极接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分 - **直接公开** | 对比文件[0080]段：…ｐ側透光性電極210…さらにその上に…ｐ側パッド電極211が形成されている。（p侧透光性电极210…其上…形成p侧pad电极211）。 | 对比文件LED中，p侧pad电极（第二电极）通过p侧透光性电极（透射电极层）接触p型接触层，即第二电极的第一部分通过透射电极层接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分 - **直接公开** | 对比文件[0080]段：同上，p侧pad电极211形成在p侧透光性电极210上，因此接触透射电极层。 | 第二电极的第二部分（pad电极接触透光性电极的部分）直接接触透射电极层，直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围 - **未公开** | 对比文件[0046]段：…リッジ部10の両側面、第2クラッド層8の平坦面および側面、発光層7の側面、第1クラッド層6の側面、クラック防止層5の側面、第1コンタクト層4の一部側面ならびに…電極形成面11にSiNx膜12a…（脊部10的两侧面、第二包覆层8的平坦面和侧面、发光层7的侧面、第一包覆层6的侧面、裂纹防止层5的侧面、第一接触层4的一部分侧面以及…电极形成面11上形成SiNx膜12a）。 | 对比文件公开了介电膜（粘附层）覆盖第一接触层（第一导电半导体层）的侧表面和顶表面、发光层（有源层）的侧表面、第二包覆层/第二接触层（第二导电半导体层）的侧表面和顶表面的一部分，前半部分公开。但对比文件没有透射电极层，也未公开第二电极的第一部分被透射电极层包围，因此整体未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开第一电极底表面与顶表面的面积比例，也未公开粘附层与之相关的结构，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开第一电极与粘附层的垂直重叠比例，未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个 - **直接公开** | 对比文件[0046]段：SiNx膜12a（绝缘材料）；[0088]段：SiOx膜12b（绝缘材料）。 | 对比文件公开了SiNx、SiOx等绝缘材料，属于透射绝缘材料，因此直接公开粘附层包括透射绝缘材料，满足“至少一个”。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、…组成的组中选择的至少一个 - **直接公开** | 对比文件[0046]段：SiNx膜（Si3N4）；[0088]段：SiOx膜（SiO2）；[0092]段：SiNx1Oy1膜（SiOxNy）；[0108]段：TiNx膜、TiOx膜（TiO2）。 | 对比文件公开了SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2等材料，因此直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分 - **直接公开** | 对比文件[0046]段：…リッジ部10の両側面、第2クラッド層8の平坦面および側面、発光層7の側面、第1クラッド層6の側面、クラック防止層5の側面、第1コンタクト層4の一部側面ならびに…電極形成面11にSiNx膜12a…（脊部10的两侧面、第二包覆层8的平坦面和侧面、发光层7的侧面、第一包覆层6的侧面、裂纹防止层5的侧面、第一接触层4的一部分侧面以及…电极形成面11上形成SiNx膜12a）。 | 对比文件公开了介电膜从第一接触层（第一导电半导体层）的顶表面（电极形成面）通过侧壁延伸到第二接触层（第二导电半导体层）的顶表面（平坦面）的一部分，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开粘附层具有包括透射绝缘材料的第一层和包括透射导电材料的第二层的两层结构，因此未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料 - **未公开** | 无 | 同上，未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开基于折射率分层的粘附层结构，未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率 - **未公开** | 无 | 同上，未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开透射电极层与粘附层隔开的结构，未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开粘附层设置在透射电极层和第二导电半导体层之间，未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开，未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开，未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠 - **未公开** | 无 | 对比文件未公开第一电极穿过粘附层重叠，未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>>