本次调用的模型名称：AI模型
以下是根据对比文件KR100721515B1与目标专利CN102194958B的权利要求技术特征进行的比对表格。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层【直接公开】 | 对比文件[18]：“发光单元200具有N型半导体层220、活性层240和P型半导体层260连续堆叠的结构” | 对比文件明确公开了发光单元（相当于发光结构）包括N型半导体层（相当于第一导电半导体层），因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层【直接公开】 | 对比文件[18]：“发光单元200具有N型半导体层220、活性层240和P型半导体层260连续堆叠的结构” | 活性层（相当于有源层）位于N型半导体层上，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层【直接公开】 | 对比文件[18]：“发光单元200具有N型半导体层220、活性层240和P型半导体层260连续堆叠的结构” | P型半导体层（相当于第二导电半导体层）位于活性层上，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域【直接公开】 | 对比文件[18]：“通过形成台面使得N型半导体层220的一部分暴露于上方的结构” | 对比文件通过台面蚀刻暴露N型半导体层的顶表面，形成暴露区域，因此直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上【直接公开】 | 对比文件[24]：“在P型半导体层260的顶表面上形成由氧化铟锡制成的ITO层320” | ITO层是透明导电层，相当于透射电极层，位于P型半导体层上，因此直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层【未公开】 | 对比文件未提及粘附层，N型半导体层上直接形成N型电极焊盘（对比文件[29]：“在N型半导体层220的暴露部分上形成N型电极焊盘440”） | 对比文件没有公开任何粘附层接触第一导电半导体层，因此未公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上【未公开】 | 对比文件未公开粘附层，第一电极（N型电极焊盘440）直接接触N型半导体层（对比文件[29]） | 由于没有粘附层，第一电极不能同时接触粘附层和第一导电半导体层，因此未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层【直接公开】 | 对比文件[26]：“P型电极焊盘340与P型半导体层260的表面接触” | 对比文件明确公开P型电极焊盘（相当于第二电极）接触P型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分【直接公开】 | 对比文件[26]：“P型电极焊盘340的侧面与垫槽322的内表面即ITO层320的内侧面接触” | P型电极焊盘的侧面通过ITO层间接接触P型半导体层（因为ITO层与P型半导体层接触），因此该部分通过透射电极层接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分【直接公开】 | 对比文件[27]：“P型电极焊盘340同时接触ITO层320的顶表面” | 对比文件明确公开P型电极焊盘的上部（第二部分）接触ITO层顶表面，因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围【未公开】 | 对比文件未公开粘附层及其布置 | 对比文件没有粘附层，因此无法满足粘附层的位置特征；虽然第二电极的第一部分（P型电极下部）被ITO层包围，但整体特征不满足，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积【未公开】 | 对比文件未公开此比例 | 对比文件没有公开第一电极底表面与第一导电半导体层接触面积的比例，也未公开粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度【未公开】 | 对比文件未公开粘附层及重叠宽度 | 对比文件没有粘附层，因此无法公开第一电极与粘附层的垂直重叠区域，未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开其材料。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开其材料组成。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开其延伸方式。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开其多层结构。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开其多层结构。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开其折射率特性。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开其折射率特性。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此无法公开透射电极层与粘附层的位置关系，未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部【直接公开】 | 对比文件[26]描述P型电极焊盘下部填充在垫槽中，[39]进一步说明“P型电极焊盘340的下部填充到垫槽322中” | 本领域技术人员根据垫槽结构可以直接理解，填充在垫槽内的下部电极被上部电极和ITO层覆盖，不暴露于外部环境，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠【未公开】 | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件没有粘附层，因此第一电极无法穿过粘附层，未公开。 |
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