对比文件名称：2009-12-24_US2009315058A_发明申请_US20090315058A1 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层（直接公开） | [0031] “第一导电类型氮化物半导体层112形成在衬底111上” | 对比文件明确公开了第一导电类型氮化物半导体层，该层相当于目标专利中的第一导电半导体层，且位于发光结构中，因此直接公开。 |
| 特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层（直接公开） | [0031] “有源层113形成在第一导电类型氮化物半导体层112上” | 对比文件公开了有源层直接形成在第一导电半导体层上，与目标专利的层叠顺序完全相同，因此直接公开。 |
| 特征C：所述有源层上的第二导电半导体层（直接公开） | [0031] “第二导电类型氮化物半导体层114形成在有源层113上” | 对比文件明确公开了第二导电半导体层位于有源层之上，与目标专利一致，因此直接公开。 |
| 特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域（直接公开） | [0036] “第二电极117形成在第一导电类型氮化物半导体层112的一部分上，该部分在台面蚀刻后暴露” | 对比文件通过台面蚀刻工艺暴露了第一导电半导体层的顶表面，形成了与该特征对应的暴露区域，因此直接公开。 |
| 特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上（隐含公开） | [0031] “透光低折射率层115形成在第二导电类型氮化物半导体层114上”；[0035] “该层可由ITO（透明导电材料）形成” | 对比文件公开了在第二导电半导体层上形成透光低折射率层，该层可由透明导电材料（如ITO）构成，而ITO正是目标专利中透射电极层的典型材料。虽然其主要功能为光提取，但本领域技术人员能够合理推断该层可作为透射电极层使用，因此隐含公开。 |
| 特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层（不公开） | 无 | 对比文件未公开任何接触第一导电半导体层的粘附层，仅公开了直接接触的电极，因此不公开。 |
| 特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层（直接公开） | [0031] “高反射率欧姆接触层116形成在透光低折射率层115上”；[0036] “通过低折射率层的开口接触第二导电半导体层” | 对比文件公开了高反射率欧姆接触层作为第二电极，该电极通过低折射率层的开口与第二导电半导体层直接接触，因此直接公开。 |
| 特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分（隐含公开） | [0033] “低折射率层具有多个开口，通过该开口第二导电半导体层部分暴露”；[0035] “低折射率层可由导电材料形成” | 对比文件公开了低折射率层（可视为透射电极层）具有开口，第二电极的非开口区域通过该低折射率层与第二导电半导体层接触。本领域技术人员可合理推断存在通过透射电极层接触的第二电极部分，因此隐含公开。 |
| 特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分（隐含公开） | [0031] “高反射率欧姆接触层116形成在透光低折射率层115上” | 对比文件明确公开了第二电极（高反射率欧姆接触层）形成在低折射率层（透射电极层）上，因此第二部分直接接触透射电极层，隐含公开。 |
| 特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，也未公开粘附层在多个侧表面和顶表面的布置，因此不公开。 |
| 特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积（不公开） | 无 | 对比文件未公开第一电极的底表面面积比例，因此不公开。 |
| 特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，也未公开重叠区域宽度比例，因此不公开。 |
| 特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，也未公开该延伸路径，因此不公开。 |
| 特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
| 特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部（不公开） | 无 | 对比文件未公开第二电极第一部分是否暴露，因此不公开。 |
| 特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠（不公开） | 无 | 对比文件未公开粘附层，因此不公开。 |
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