对比文件名称：2007-11-22_US2007267958A_发明申请_US20070267958A1 Material for Light Emitting Device and Light Emitting Device
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板 《直接公开》 | 对比文件[0030]：“光发射器件优选形成在基板上。作为基板，可以合适地使用诸如钠钙玻璃、无碱玻璃等玻璃基板。” | 对比文件明确公开了基板，与目标专利的基板作用相同，均用于支撑器件，因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 《未公开》 | 对比文件[0033]列举的阴极材料为铂、金、银、铜、铁、锡、锌、铝、铟、铬、锂、钠、钾、铯、钙、镁等金属，未提及透明金属氧化物。 | 对比文件没有公开任何透明阴极的技术方案，本领域技术人员不能从对比文件得出透明阴极，也不存在合理推论，因此未公开。 |
| 技术特征C：阳极 《直接公开》 | 对比文件[0031]：“阳极材料没有特别限制，但优选使用功函数较大的材料。例如导电金属氧化物如氧化锡、氧化铟、氧化铟锡(ITO)等；金属如金、银、铬等；以及导电聚合物等。” | 对比文件明确公开了阳极，且通常使用ITO，与目标专利的阳极含义相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 《隐含公开》 | 对比文件[0029]：“本发明的发光器件至少由阳极和阴极以及夹在阳极和阴极之间的有机层构成。” [0036]给出了有机层的具体层结构。 | 对比文件公开了有机材料层设置在阳极和阴极之间，虽然阴极未限定透明，但本领域技术人员可以合理推断当阴极采用透明材料时，有机材料层同样设置在透明阴极和阳极之间，因此隐含公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 《直接公开》 | 对比文件[0036]列举了有机层的结构包括空穴传输层/发光层/电子传输层等；[0047]：“电子传输层可以通过在电子传输材料中混合金属如锂、铯，或无机盐如氟化锂、氟化铯等来形成。” | 对比文件直接公开了有机材料层包含发光层和电子传输层，并且电子传输层可以掺杂金属或无机盐（即n型掺杂），因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 《直接公开》 | 对比文件[0047]：“电子传输层可以通过在电子传输材料中混合金属如锂、铯，或无机盐如氟化锂、氟化铯等来形成。” | 对比文件明确公开了电子传输层由电子传输材料和掺杂剂（金属或无机盐，即n型掺杂剂）构成，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 《隐含公开》 | 对比文件[0036]典型结构是空穴传输层/发光层/电子传输层，电子传输层靠近阴极；[0047]提到电子传输层，且通常位于阴极和发光层之间。 | 对比文件公开了电子传输层设置在阴极和发光层之间，虽然阴极未限定透明，但本领域技术人员可以合理推断当阴极采用透明材料时，n型掺杂的电子传输层仍设置在透明阴极和发光层之间，因此隐含公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ 《未公开》 | 对比文件[0047]只提到“混合金属或无机盐”，未给出具体掺杂比例；实施例11中“有机层被掺杂了0.5nm的锂”，是厚度而非重量百分比。 | 对比文件没有公开或暗示掺杂剂的含量范围，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 《直接公开》 | 对比文件[0033]：“无机盐如氟化锂、氟化铯、氧化锂、氧化铯可以用于阴极”；[0047]：“电子传输层可以通过在电子传输材料中混合金属如锂、铯，或无机盐如氟化锂、氟化铯等来形成。” 此外，还提及金属锂、钠、钾、铯、钙、镁。 | 对比文件公开了LiF、CsF、Li2O、Cs2O、Li、Cs等，这些物质均属于特征I的列表中，因此直接公开了至少一种，满足特征I的要求。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 《未公开》 | 对比文件[0031]提到阳极材料优选具有较大功函数，但未给出具体数值；对于阴极，通常使用低功函数材料，未提及透明阴极的功函数要求。 | 对比文件没有公开透明阴极或阳极的功函数具体数值，也没有公开2.7eV以上的限定，因此未公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极，更未公开其由ITO、IZO或ZnO形成。阳极材料虽使用ITO，但阴极不是。 | 对比文件没有任何关于透明阴极材料的内容，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的 《直接公开》 | 对比文件[0031]公开的阳极材料包括ITO、氧化锡等透明导电氧化物，这些是透明的。 | 对比文件直接公开阳极是透明的，因为ITO等是透明材料，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 《直接公开》 | 对比文件[0031]公开阳极材料包括ITO，实施例11使用ITO阳极。 | 对比文件直接公开了阳极由ITO形成，而ITO是透明金属氧化物，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 《直接公开》 | 对比文件[0012]：“X是碳或氮。当X是碳时，通式(1)的化合物成为具有苯并喹啉骨架的化合物，当X是氮时，成为具有菲咯啉骨架的化合物。” 菲咯啉即邻二氮杂菲，苯并喹啉包含喹啉基团。此外，[0048]列举的电子传输材料包括菲咯啉衍生物、喹啉衍生物。 | 对比文件公开的电子传输材料含有菲咯啉（邻二氮杂菲）和喹啉基团，因此直接公开了含有这些官能团的化合物，满足特征N。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 《未公开》 | 对比文件未提及掺杂剂浓度梯度。 | 对比文件没有公开或暗示任何关于浓度梯度的内容，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 《未公开》 | 对比文件[0036]和实施例11中，有机层结构为：空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层，电子传输层是单一层，没有在n型掺杂的电子传输层和发光层之间再设置电子传输层。 | 对比文件没有公开在掺杂电子传输层与发光层之间还有另一电子传输层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 《未公开》 | 依赖于特征P，对比文件未公开P，故未公开Q。 | 对比文件没有公开P，因此Q也不存在，未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 《隐含公开》 | 对比文件[0047]电子传输层位于阴极侧，通常与阴极直接接触；实施例11中电子传输层E-20之上沉积锂掺杂层后直接形成铝阴极，电子传输层通过锂掺杂层与阴极接触（锂掺杂层极薄，可视为电子传输层与阴极接触）。 | 对比文件公开了电子传输层与阴极接触，本领域技术人员可以合理推断当阴极采用透明材料时，n型掺杂的电子传输层仍与透明阴极接触，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 《直接公开》 | 对比文件[0036]公开了空穴传输层和空穴注入层；实施例11使用铜酞菁作为空穴注入层，NPB作为空穴传输层。 | 对比文件直接公开了有机材料层包括空穴传输层和空穴注入层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 《直接公开》 | 对比文件[0036]和实施例11中，最靠近阳极的有机层是空穴注入层（铜酞菁）或空穴传输层，位于阳极侧。 | 对比文件公开了有机材料层包括最临近阳极的层（空穴注入层/空穴传输层），因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 《未公开》 | 对比文件没有公开式23的化合物，其公开的是式1的化合物。 | 对比文件未公开式23化合物，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23] 《未公开》 | 对比文件未公开该结构式。 | 对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 《未公开》 | 对比文件未公开式23，故未公开其取代基定义。 | 对比文件未公开，因此未公开。 |
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