对比文件名称：2008-02-21_US2008042556A_发明申请_US20080042556A1 Organic light emitting structure
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板《直接公开》 | 对比文件[0015]段：“Shown in FIG. 1A, an inverted organic light emitting diode 10 includes a substrate 102...” 翻译：图1A所示的倒置有机发光二极管10包括基板102。 | 对比文件明确公开了基板，因此直接公开技术特征A。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《直接公开》 | 对比文件[0015]段：“the cathode 104 on the substrate 102 may be transparent, ... such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO)...” 翻译：基板102上的阴极104可以是透明的，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。 | 对比文件公开了透明阴极（ITO、IZO），因此直接公开技术特征B。 |
| 技术特征C：阳极《直接公开》 | 对比文件[0015]段：“The anode 200 may be also transparent, ... such as ITO, IZO.” 翻译：阳极200也可以是透明的，例如ITO、IZO等。 | 对比文件公开了阳极，因此直接公开技术特征C。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《直接公开》 | 对比文件[0015]段：“... includes a substrate 102, a cathode 104, an electron-transport layer 106, a hole-transport layer 108 and an anode 200.” 翻译：包括基板102、阴极104、电子传输层106、空穴传输层108和阳极200。这些层位于阴极和阳极之间。 | 对比文件公开了阴极和阳极之间存在电子传输层和空穴传输层，这些层构成有机材料层，因此直接公开技术特征D。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《直接公开》 | 对比文件[0018]段：“... for the device of ITO/Cs2CO3:Bphen/Alq3/NPB/WO3/Al ...” 翻译：对于器件ITO/Cs2CO3:Bphen/Alq3/NPB/WO3/Al。其中Cs2CO3:Bphen为n型掺杂的电子传输层，Alq3为发光层。 | 对比文件公开了n型掺杂的电子传输层（Cs2CO3:Bphen）和发光层（Alq3），因此直接公开技术特征E。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《直接公开》 | 对比文件[0016]段：“electron-transport layer 106 may be capable of transporting electron, such as n-type dopants in an organic material to form an n-type doped layer.” 和[0018]段：“Cs2CO3:Bphen”，其中Cs2CO3为n型掺杂剂，Bphen为电子传输材料。翻译：电子传输层106可以传输电子，例如在有机材料中的n型掺杂剂形成n型掺杂层。 | 对比文件明确公开了n型掺杂的电子传输层由电子传输材料和n型掺杂剂组成，因此直接公开技术特征F。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《直接公开》 | 对比文件[0018]段器件结构：ITO（阴极）/Cs2CO3:Bphen（n型掺杂ETL）/Alq3（发光层）/... 翻译：ITO/ Cs2CO3:Bphen / Alq3 / ... | 对比文件器件中，n型掺杂的电子传输层位于阴极（ITO）和发光层（Alq3）之间，因此直接公开技术特征G。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt%（未公开） | 对比文件未公开n型掺杂剂的含量范围。 | 对比文件没有提及任何关于n型掺杂剂含量的具体数值或范围，本领域技术人员不能毫无疑义地得出该含量范围，也不存在合理推断的基础，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种。《直接公开》 | 对比文件[0018]段：“Cs2CO3:Bphen”，其中Cs2CO3作为n型掺杂剂。翻译：Cs2CO3:Bphen。 | 对比文件公开了Cs2CO3作为n型掺杂剂，Cs2CO3属于技术特征I所列物质之一，因此直接公开技术特征I。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成。《隐含公开》 | 对比文件[0015]段公开了透明阴极可由ITO、IZO形成，透明阳极可由ITO、IZO形成。翻译：阴极104可以是透明的，例如ITO、IZO；阳极200也可以是透明的，例如ITO、IZO。 | 对比文件虽然没有明确提及功函数数值，但本领域技术人员公知ITO、IZO等透明金属氧化物的功函数通常在4.5eV以上，远高于2.7eV。因此，在对比文件公开了这些材料的前提下，本领域技术人员可以合理推断出这些材料满足2.7eV以上功函数的要求，故技术特征J被隐含公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成。《直接公开》 | 对比文件[0015]段：“the cathode 104 ... may be transparent, ... such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO)...” 翻译：阴极104可以是透明的，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。 | 对比文件公开了透明阴极可由ITO、IZO形成，这些属于技术特征K所列材料，因此直接公开技术特征K。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的。《直接公开》 | 对比文件[0015]段：“The anode 200 may be also transparent, ... such as ITO, IZO.” 翻译：阳极200也可以是透明的，例如ITO、IZO等。 | 对比文件公开了阳极可以是透明的，因此直接公开技术特征L。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极。《直接公开》 | 对比文件[0015]段：“The anode 200 may be also transparent, ... such as ITO, IZO.” 翻译：阳极200也可以是透明的，例如ITO、IZO等。 | 对比文件公开了透明阳极可由ITO、IZO形成，这些属于技术特征M所列材料，因此直接公开技术特征M。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物。《直接公开》 | 对比文件[0018]段：“Bphen is 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline.” 翻译：Bphen是4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（邻二氮杂菲类化合物）。 | 对比文件公开了电子传输材料Bphen，其含有邻二氮杂菲基团，属于技术特征N所列官能团之一，因此直接公开技术特征N。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度。（未公开） | 对比文件未提及n型掺杂剂的浓度梯度。 | 对比文件没有公开或暗示n型掺杂剂在电子传输层厚度方向上具有浓度梯度，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层。（未公开） | 对比文件未公开在n型掺杂的电子传输层和发光层之间还设有另一电子传输层。 | 对比文件仅公开了n型掺杂的电子传输层和发光层直接相邻，没有额外的电子传输层，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成。（未公开） | 对比文件未公开上述额外的电子传输层。 | 由于技术特征P未被公开，技术特征Q的附加限定自然也不被公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触。（未公开） | 对比文件[0016]段：“alkaline-earth metal material is added between the cathode 104 and the electron-transport layer 106” 翻译：在阴极104和电子传输层106之间加入碱土金属材料。 | 对比文件明确在阴极和电子传输层之间设置了电子注入层，因此n型掺杂的电子传输层不与阴极直接接触，技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层。《直接公开》 | 对比文件[0015]段公开了“hole-transport layer 108”，[0018]段公开了“NPB”作为空穴传输层。翻译：空穴传输层108。 | 对比文件公开了空穴传输层，因此直接公开了技术特征S中的空穴传输层。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（未公开） | 对比文件未公开在最临近阳极的一侧包含特定化合物。 | 对比文件最临近阳极的有机材料层为空穴传输层（如NPB），并非式23化合物，因此技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件未公开式23的化合物。 | 对比文件没有公开任何与式23结构相似的化合物，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 对比文件未公开式23的化学结构。 | 对比文件没有公开该化学式，因此技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自...（未公开） | 对比文件未公开式23的取代基定义。 | 对比文件没有公开式23，因此其取代基定义也未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自...（未公开） | 对比文件未公开式23的R和R’定义。 | 对比文件没有公开式23，因此其相关定义也未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<I>>><<<j>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<N>>><<<S>>>