**对比文件名称：** 2005-08-04_JP2002313583A_发明专利_JP2002313583A Light emitting device
**目标专利名称：** 1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
**模型名称：** 未指定（GPT-4）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板<br>《直接公开》 | [0153]“首先，在玻璃基板501上通过溅射形成约100nm的氧化铟锡，作为阳极502。”<br>[0160]“准备形成有阳极2402的玻璃基板2401。” | 对比文件明确公开了玻璃基板等作为支撑结构，用于在基板上形成电极和有机层，与目标专利中基板的作用完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极<br>《未公开》 | [0065]“也可以采用将阴极2404设置在基板上的相反结构。”<br>但未提及阴极需透明，且实施例中阴极均为不透明金属（Al:Li等）。 | 对比文件虽提到阴极可位于基板上（逆结构），但未给出阴极必须透明的任何教导或暗示，也未使用透明金属氧化物形成阴极。目标专利中的透明阴极是实现两侧发射的关键，对比文件未公开该特征，也不存在隐含公开。 |
| 技术特征C：阳极<br>《直接公开》 | [0153]“通过溅射在玻璃基板501上形成氧化铟锡（ITO）作为阳极502。”<br>[0001]“具有阳极、阴极和有机化合物层的有机发光元件。” | 对比文件明确公开了阳极（如ITO），与目标专利中阳极的作用相同，直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层<br>《未公开》 | [0001]“有机发光元件具有阳极、阴极和设置在阳极与阴极之间的有机化合物层。”<br>但未明确要求阴极透明。 | 由于特征B（透明阴极）未公开，因此特征D中“透明阴极”的前提不成立，整体不公开。但有机材料层位于电极之间的结构是公知的。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层<br>《直接公开》 | [0036]“设置电子注入材料与电子移动度高的电子传输材料混合的层（以下称为电子输送性混合层）。”<br>[0105]“电子输送性混合层605由电子注入材料和电子传输材料两者混合形成。”<br>[0147]列举了电子传输材料（如Alq₃）。<br>[0148]列举了电子注入材料（如LiF）。 | 对比文件公开的“电子输送性混合层”实质上是由电子传输材料与起n型掺杂作用的电子注入材料混合而成，其功能（降低电子注入势垒、提高电子传输）与目标专利的n型掺杂的电子传输层完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂<br>《直接公开》 | 同特征E引用。[0036]明确“电子注入材料与电子传输材料混合”。 | 对比文件明确公开了电子传输材料与电子注入材料（n型掺杂剂）混合形成电子输送性混合层，直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间<br>《未公开》 | [0105]“在阴极606上依次层叠电子输送性混合层605、发光层604、正孔输送层603、阳极602。”<br>（注：此结构为阳极在基板侧，但电子输送性混合层位于阴极与发光层之间） | 对比文件虽公开了电子输送性混合层位于阴极与发光层之间，但由于特征B（透明阴极）未公开，因此特征G中“透明阴极”的前提不成立，整体不公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt%<br>《未公开》 | [0157]“以蒸镀速率比1:1共蒸镀BPhen和Alq₃形成电子输送性混合层。”<br>[0191]“最后5nm区域通过逐渐打开Li(acac)蒸镀源形成浓度梯度。”<br>未给出具体重量百分比。 | 对比文件未公开n型掺杂剂的具体含量范围，也无数值教导，本领域技术人员无法毫无疑义地确定1-20wt%的范围，因此不直接公开。且无隐含公开的依据。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF₂、CaF₂、MgO、CaO、BaO、SrO、Na₂O、K₂O、Cs₂O、Cs₂CO₃、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种<br>《直接公开》 | [0148]“电子注入材料常用氟化锂（LiF）等碱金属卤化物、氧化锂（Li₂O）等碱金属氧化物，以及锂乙酰丙酮（Li(acac)）、8-羟基喹啉锂（Liq）等碱金属配合物。” | 对比文件明确公开了LiF（属于列表中的化合物），因此至少公开了列表中的一种，直接公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成<br>《直接公开》 | [0213]“作为像素电极的材料，使用功函数为4.5～5.5eV的导电材料，例如ITO。”<br>（阳极功函数>2.7eV） | 对比文件公开的阳极（ITO）功函数远高于2.7eV，满足“阳极”具有2.7eV以上功函数的要求，直接公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成<br>《未公开》 | 对比文件中阴极材料均为不透明金属（如Al:Li、Al等），未使用透明金属氧化物。 | 对比文件未公开任何透明阴极的材料，更未提及ITO、IZO或ZnO用于阴极，因此不公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的<br>《直接公开》 | [0153]“通过溅射形成ITO作为阳极，ITO是透明的。” | 对比文件明确阳极由透明的ITO形成，直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极<br>《直接公开》 | [0153]“使用ITO形成阳极。”<br>[0213]“使用ITO等。” | 对比文件公开的阳极材料为ITO，属于所列透明金属氧化物之一，直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物<br>《直接公开》 | [0147]列举了电子传输材料：Alq₃（喹啉基）、Zn(BOX)₂（噁唑基）、Zn(BTZ)₂（噻唑基）、BPhen（邻二氮杂菲基）等。 | 对比文件明确公开了含有喹啉基、噁唑基、噻唑基、邻二氮杂菲基的化合物作为电子传输材料，直接公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度<br>《直接公开》 | [0037]“在电子输送性混合层中形成浓度梯度是优选的。即，如图3所示，在阴极侧电子注入材料的比例多，随着远离阴极电子传输材料的比例增多。” | 对比文件明确公开了电子注入材料（n型掺杂剂）在电子传输层中具有浓度梯度（阴极侧浓度高，阳极侧浓度低），直接公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层<br>《未公开》 | [0157]结构为“发光层/电子输送性混合层/阴极”，无额外电子传输层。<br>[0161]混合区域后虽有Alq₃单独层，但该混合区域是双极性混合层，非n型掺杂层。 | 对比文件未公开在n型掺杂的电子传输层（电子输送性混合层）与发光层之间还设有另一电子传输层，因此不直接公开，也无隐含公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成<br>《未公开》 | 因特征P未公开，故无对应内容。 | 基于特征P不公开，特征Q也不公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触<br>《未公开》 | [0157]电子输送性混合层直接与阴极（Al:Li）接触。<br>但阴极不是透明的。 | 对比文件虽公开了n型掺杂层与阴极接触，但特征R要求“透明阴极”，而透明阴极未公开，因此不公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层<br>《直接公开》 | [0145]“正孔注入材料”如CuPc。<br>[0146]“正孔輸送材料如α-NPD”。<br>[0153]实施例1形成正孔注入层（CuPc）和正孔传输层（α-NPD）。 | 对比文件明确公开了空穴传输层和空穴注入层，直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开最临近阳极的有机材料层有特定限定，不公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 式23的化合物（HAT等）未在对比文件中出现，不公开。 |
| 技术特征V：[式23]<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 同特征U，不公开。 |
| 技术特征W：R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚砜基、磺胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、烷基、芳香族或非芳香杂环、芳基、单芳基胺或二芳基胺、芳烷基胺<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开式23化合物的任何取代基定义，不公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开相关定义，不公开。 |
## 结论
对比文件直接公开的技术特征：A, C, E, F, I, J, L, M, N, O, S。
其他特征未公开。
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