### 对比文件名称
2008-05-22_US2008118724A_发明申请_US20080118724A1 Organic Light-Emitting Diode Having Doped Layers
### 目标专利名称
1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
### 本次调用的模型名称
AI模型
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：其包括基板（直接公开）** | [0001]“一种基板”。[0050]“在玻璃基板1上沉积导电材料M11层20。” | 对比文件明确公开了基板，位于器件最底层，与目标专利的基板完全相同，本领域技术人员可直接得出。 |
| **技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（直接公开）** | [0050]“导电材料M11例如ITO（氧化铟锡）”。[0052]“层20和21的堆叠形成下电极2，在此作为阴极。” | 对比文件公开了由透明导电氧化物ITO形成的阴极，且直接设置在基板上，与目标专利的透明阴极结构和位置一致，直接公开。 |
| **技术特征C：阳极（直接公开）** | [0001]“与基板相反侧的上电极，电极种类对应于阳极和阴极”。[0061]“金属M2层，作为上电极8，在此为阳极。” | 对比文件公开了与阴极相对的上电极作为阳极，直接公开。 |
| **技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（直接公开）** | [0001]“插入在下电极和上电极之间的有机电致发光层”和“至少一个掺杂有机层”。[0053][0059]进一步描述了各有机层的叠置关系。 | 对比文件公开了位于阴极和阳极之间的多个有机层（包括掺杂层、发光层等），直接公开有机材料层整体结构。 |
| **技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（直接公开）** | [0001]“有机电致发光层”和“掺杂有施主掺杂剂的掺杂有机层（若接触电极是阴极）”。[0053]“n掺杂材料O1的下有机层3”。[0059]“有机电致发光层5”。 | 对比文件明确公开了发光层和n型掺杂的电子传输层，两者均位于有机材料层中，直接公开。 |
| **技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（直接公开）** | [0072]“由4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（Bphen）制成的下层3，掺杂铯。” | 对比文件公开了电子传输材料Bphen和n型掺杂剂铯，直接公开。 |
| **技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（直接公开）** | [0053]“n掺杂材料O1的下有机层3沉积在双层电极2上”。[0059]“然后在该掺杂的下有机层3上沉积有机电致发光层5”。 | 对比文件明确n掺杂层位于阴极之上、发光层之下，直接公开。 |
| **技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开）** | 对比文件全文未涉及具体重量百分比含量。 | 对比文件仅提及掺杂浓度梯度，但未给出1-20wt%的数值范围，本领域技术人员无法直接从对比文件得到该含量范围，也不存在隐含公开。 |
| **技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF₂、CaF₂、MgO、CaO、BaO、SrO、Na₂O、K₂O、Cs₂O、Cs₂CO₃、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（直接公开）** | [0072]“掺杂铯”。 | 对比文件使用的n型掺杂剂铯（Cs）明确落入该列表，直接公开。 |
| **技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（直接公开）** | [0050]阴极材料为ITO，本领域公知其功函数约4.8eV。[0061]阳极材料为银，功函数约4.3eV。 | 对比文件公开的电极材料ITO和银的功函数均大于2.7eV，这是本领域已知的，直接公开。 |
| **技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（直接公开）** | [0050]“导电材料M11例如ITO”。 | 对比文件公开了阴极由ITO形成，直接公开。 |
| **技术特征L：所述阳极是透明的（未公开）** | 对比文件阳极由银形成，未明确其透明性，且银通常不视为透明电极。 | 对比文件未公开阳极的透明性，也不存在隐含公开。 |
| **技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（未公开）** | 对比文件阳极由银形成，不属于所列金属氧化物。 | 对比文件未公开使用金属氧化物透明阳极，直接公开和隐含公开均不成立。 |
| **技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（直接公开）** | [0072]“Bphen（4,7-二苯基-1,10-菲咯啉）”。 | Bphen含有邻二氮杂菲（phenanthroline）基团，直接公开。 |
| **技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（直接公开）** | [0013]“至少一个掺杂有机层的掺杂水平在该有机层与其接触的电极之间的界面处比在该掺杂有机层的内部高”。[0021]类似记载。 | 对比文件的核心发明内容即为掺杂浓度梯度，直接公开。 |
| **技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（直接公开）** | [0064]“在掺杂层3和电致发光层5之间插入由有机材料O4制成的空穴阻挡层4”。[0072]该层为未掺杂Bphen，具有电子传输功能。 | 对比文件公开了在n掺杂层和发光层之间增设一层未掺杂的电子传输层（空穴阻挡层），直接公开。 |
| **技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（直接公开）** | [0072]掺杂层3：Bphen掺杂Cs；阻挡层4：未掺杂Bphen。 | 两者均使用Bphen，材料相同，直接公开。 |
| **技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（直接公开）** | [0053]“n掺杂材料O1的下有机层3沉积在双层电极2上”。 | 直接接触，直接公开。 |
| **技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开）** | [0060]“p掺杂材料O2的上有机层7”。[0072]“由SPIRO TTB p掺杂NDP2制成的上层7”。 | 对比文件公开了p掺杂有机层作为空穴传输层（兼具空穴注入功能），直接公开。 |
| **技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（直接公开）** | [0060]“p掺杂材料O2的上有机层7”。[0061]“在该掺杂的上有机层7上沉积金属M2层，作为上电极8，阳极”。 | 上有机层7直接接触阳极，是最临近阳极的有机层，直接公开。 |
| **技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开）** | 对比文件全文未提及式23化合物。 | 对比文件未公开该化合物，也不存在隐含公开。 |
| **技术特征V：[式23]（未公开）** | 对比文件未公开该结构式。 | 未公开。 |
| **技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开）** | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| **技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中（未公开）** | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
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### 公开性代码输出
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