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对比文件列表
1999-09-17_None_发明专利_JPH11251347A Manufacture of semiconductor package_+++D_E_G_P_f+++.docx
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2004-03-04_US2004041222A_发明申请_US20040041222A1 Power surface mount light emitting die package_+++A_B_C_D_E_F_G_K_M_N_O_Q+++.docx
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2004-09-02_JP2004247658A_发明专利_JP2004247658A Light-emitting diode lamp equipment_+++A_B_F_G_H_n_o_p+++.docx
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2004-09-09_US2004173810A_发明申请_US20040173810A1 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_n+++.docx
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2004-11-01_TW200423420A_发明专利_TW200423420A 高熱導發光二極體及其製作方法_+++A_B_F_G_I_K_O_T_c_h_l+++.docx
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2004-11-18_JP2004327863A_发明专利_JP2004327863A Semiconductor light emitting device having reflection plate with heat dissipation function_+++B_D_E_F_G_T_a_c_l_m_n+++.docx
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2005-03-24_JP2005079578A_发明专利_JP2005079578A Heat-conductivity-improved light emitting device assembly, system including the same, and method for improving heat conductivity_+++A_B_D_E_F_G_K_O_l_n_p+++.docx
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2006-08-10_US2006175716A_发明申请_US20060175716A1 Molded package and semiconductor device using molded package_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_U_V_W_n_q+++.docx
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2006-11-29_CN1871710A_发明公开_CN1871710A 采用电表面安装的发光晶片封装_+++B_D_E_F_G_K_O_Q_n+++.docx
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2007-03-14_JP3891115B_发明专利_JP3891115B2 Luminescent device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_R_T_q+++.docx
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2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091386A1 照明装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_Q_R_T_p+++.docx
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2008-02-28_JP2008047809A_发明专利_JP2008047809A Full-color led_+++A_B_C_D_E_M_f_g_k_l_n+++.docx
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2008-11-06_JP2008270709A_发明专利_JP2008270709A Heat-dissipating resin composition, substrate for mounting led, reflector, and substrate for mounting led provided with reflector portion_+++A_B_C_D_E_G_H_M_Q_T_f_k_n_o_p+++.docx
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2008-12-04_US2008298063A_发明申请_US20080298063A1 LIGHT EMITTING APPARATUS, RESIN MOLDING DEVICE COMPOSING LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_n+++.docx
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2009-01-01_US2009001405A_发明申请_US20090001405A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_Q_R_T_V_n_p_u+++.docx
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2009-03-12_WO2009031084A_发明申请_WO2009031084A1 LIGHT OUTPUT DEVICE_+++B_D_E_F_G+++.docx
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2009-03-26_JP2009513003A_发明专利_JP2009513003A It led with a light-transmitting heat sink_+++B_C_D_F_G_H_M_O_R_a_e_k_l_n_p+++.docx
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2009-04-02_JP2009071090A_发明专利_JP2009071090A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_H_M_P_T_f_g_i_n+++.docx
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2009-05-07_JP2009099823A_发明专利_JP2009099823A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_U_V_W_Y_n_p+++.docx
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2009-06-18_JP2009135153A_发明专利_JP2009135153A Light emitting device_+++B_D_E_H_T_a_c_f_g_k_l_m_o+++.docx
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2009-08-19_KR1020090088134A_发明公开_KR1020090088134A 내열도, 반사율 및 열전도도가 우수한 수지 조성물 및 제조방법_+++A_B_c_f_g_k_l+++.docx
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2009-11-18_CN101583670A_发明公开_CN101583670A 散热性树脂组合物、LED实装用基板、反射器以及具有反射器部的LED实装用基板_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_N_Q_R_T_U_V+++.docx
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WO2005091386A1_Description_20260718_2036_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_P_Q_R_T_i_l_n_s_z+++.docx
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1999-09-17_None_发明专利_JPH11251347A Manufacture of semiconductor package_+++D_E_G_P_f+++.docx

对比文件名称:1999-09-17_None_发明专利_JPH11251347A Manufacture of semiconductor package

目标专利名称:1805发光器件封装CN102082223B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括封装主体(未公开)无对比文件公开的是电路基板(1)和树脂(5),未形成独立的封装主体结构,也未涉及腔体,因此未公开。
技术特征B:发光器件(未公开)无对比文件公开的是“半導体素子”(半导体元件),未明确其为发光器件,也未提及发光功能,因此未公开。
技术特征C:所述发光器件位于所述封装主体的腔体中(未公开)无对比文件中半导体元件直接安装在电路基板上,被树脂覆盖,没有形成封装主体的腔体,因此未公开。
技术特征D:树脂层(直接公开)【0025】“表面に、熱硬化型エポキシ樹脂の未硬化物によって形成された樹脂5を備えた”(表面具有由热固性环氧树脂的未固化产物形成的树脂5)对比文件明确记载了树脂层(树脂5),用于密封半导体元件,因此直接公开。
技术特征E:所述树脂层用于覆盖所述发光器件(直接公开)【0029】“半導体素子2は、圧力付加によって変形した樹脂5の中に埋没させられ、これにより半導体素子2とボンディングワイヤー3による接続部とは、所定通り樹脂5の中に封止される。”(半导体元件2被通过压力施加而变形的树脂5埋没,由此半导体元件2和通过接合线3的连接部被密封在树脂5中。)对比文件明确树脂层覆盖并密封半导体元件,因此直接公开。
技术特征F:第一电极和第二电极(隐含公开)【0023】“回路基板1の各配線パターンの半導体素子搭載部に搭載された半導体素子2を示し、それぞれ、その電極部をボンディングワイヤー3によって各配線パターンのインナーリード部へ接続されている。”(示出安装在电路基板1的各配线图案的半导体元件搭载部上的半导体元件2,其电极部通过接合线3连接到各配线图案的内引线部。)对比文件中的“配线图案”起到电气连接作用,相当于电极,但未明确称为第一和第二电极,因此隐含公开。
技术特征G:所述第一电极和第二电极连接到所述发光器件(直接公开)同上【0023】对比文件明确半导体元件的电极通过接合线连接到配线图案(电极),因此直接公开了连接关系。
技术特征H:其中,所述封装主体包括这样的材料(未公开)无对比文件未涉及封装主体及其材料选择,因此未公开。
技术特征I:所述材料的导热性比构成所述树脂层的材料的导热性更低(未公开)无对比文件未提及任何材料的导热性,因此未公开。
技术特征J:其中,构成所述封装主体的材料和构成所述树脂层的材料之间的导热性的差值至少是10W/m.k(未公开)无对比文件无导热性数值,因此未公开。
技术特征K:其中,所述发光器件安装在所述第一电极上(未公开)无对比文件中半导体元件安装在“配线图案的半导体元件搭载部”,未明确直接安装在第一电极上,且通常通过粘接固定,因此未公开。
技术特征L:所述封装主体设置在所述第一电极和第二电极上(未公开)无对比文件无封装主体,因此未公开。
技术特征M:其中,所述树脂层放置在所述封装主体的腔体中(未公开)无对比文件无腔体,树脂直接覆盖,因此未公开。
技术特征N:其中,所述第一和第二电极的导热性高于所述树脂层的导热性(未公开)无对比文件未涉及导热性比较,因此未公开。
技术特征O:其中,所述第一电极连接到所述发光器件的下部(未公开)无对比文件通过接合线连接,未涉及垂直型器件下部连接,因此未公开。
技术特征P:其中,所述第一和第二电极包括铜的合金或者铝的合金(直接公开)【0007】“銅あるいは銅合金の板材を所定のパターンに打ち抜いた硬質のリードフレームの使用も考えられる”(也可以考虑使用将铜或铜合金的板材冲压成预定图案的硬质引线框架)对比文件明确公开了电极材料可以是铜或铜合金,因此直接公开了铜合金。
技术特征Q:还包括放置在所述树脂层上的透镜部(未公开)无对比文件无透镜部结构,因此未公开。
技术特征R:其中,所述封装主体包括这样的材料(未公开)无对比文件未涉及透镜部相关材料,因此未公开。
技术特征S:所述材料的导热性低于构成所述透镜部的材料的导热性(未公开)无对比文件无透镜部及导热性比较,因此未公开。
技术特征T:其中,所述树脂层包括至少一种磷光体(未公开)无对比文件树脂为环氧树脂,未提及磷光体,因此未公开。
技术特征U:其中,所述腔体包括第一腔体(未公开)无对比文件无腔体结构,因此未公开。
技术特征V:所述第一腔体填充有所述树脂层(未公开)无对比文件无腔体,因此未公开。
技术特征W:和第二腔体(未公开)无对比文件无第二腔体,因此未公开。
技术特征X:所述第二腔体填充有所述透镜部(未公开)无对比文件无透镜部,因此未公开。
技术特征Y:其中,所述第二腔体的直径大于所述第一腔体的直径(未公开)无对比文件无相关结构,因此未公开。
技术特征Z:其中,构成所述封装主体的材料和构成所述透镜部的材料之间的导热性的差值至少是0.01W/m.k(未公开)无对比文件无导热性数值,因此未公开。

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