对比文件的名称：JP2001244503A_Description_20260718_2050
目标专利的名称：1808发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统CN102347411B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构《直接公开》 | 【0019】“n層1、活性層2及びp層3が積層されてなる積層薄板10”（翻译：由n层1、活性层2和p层3层叠而成的积层薄板10） | 对比文件公开了由n型半导体层（n层）、活性层和p型半导体层（p层）构成的发光结构，分别对应本专利的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，作用完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：钝化层，所述钝化层包围所述发光结构的侧面《直接公开》 | 【0031】“積層薄板10の側面に絶縁保護膜6が形成されている”（翻译：绝缘保护膜6形成在积层薄板10的侧面上） | 对比文件公开了绝缘保护膜形成在发光结构的侧面上，用于防止短路和起到保护作用，与本专利的钝化层结构和功能一致，因此直接公开。 |
| 技术特征C：布置在所述第一导电半导体层上的第一电极《直接公开》 | 【0020】“n側オーミック電極5が形成され”（翻译：n侧欧姆电极5形成在n层1的表面的一部分） | 对比文件公开了n侧欧姆电极形成在n型半导体层上，作为第一电极，用于向发光结构提供电流，与本专利的第一电极作用相同，直接公开。 |
| 技术特征D：部分地布置在所述第二导电半导体层上的电流阻挡层 | 无相关记载 | 对比文件未公开任何单独的绝缘材料形成的电流阻挡层，仅通过p侧欧姆电极的图案（避开n侧电极对向区域）实现电流阻挡，未公开该技术特征。 |
| 技术特征E：布置在所述电流阻挡层和所述第二导电半导体层上的欧姆层 | 无相关记载 | 对比文件未公开欧姆层，其p侧欧姆电极直接形成在p型半导体层上，不存在额外的透明导电欧姆层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征F：布置在所述第二导电半导体层上的反射电极《直接公开》 | 【0025】“活性層2で発光した光のうちp側オーミック電極4に向かった光は、p側オーミック電極4によって反射されてn層1の表面から出力される”（翻译：在活性层2发出的光中，朝向p侧欧姆电极4的光被p侧欧姆电极4反射并从n层1的表面输出）以及【0020】“p層3の表面にp側オーミック電極4が形成” | 对比文件公开了p侧欧姆电极形成在p层上，且具有反射光的功能，能够将光反射回n层表面以提高光提取效率，与本专利的反射电极作用相同，直接公开。 |
| 技术特征G：布置在所述发光结构上并包围所述反射电极的沟道层 | 无相关记载 | 对比文件未公开任何包围反射电极的沟道层，其p侧欧姆电极通过导电性粘合剂直接与导电性基板连接，没有中间层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征H：通过附着层连接到所述沟道层的支撑衬底 | 无相关记载 | 对比文件公开了导电性基板通过导电性粘合剂直接连接到p侧欧姆电极，但未公开沟道层，因此不存在通过附着层连接沟道层的支撑衬底结构，未公开该技术特征。 |
| 技术特征I：其中所述反射电极包围所述欧姆层的底表面和侧表面 | 无相关记载 | 对比文件未公开欧姆层，因此不存在反射电极包围欧姆层的结构，未公开该技术特征。 |
| 技术特征J：所述反射电极直接接触所述第二导电半导体层《直接公开》 | 【0020】“p層3の表面にp側オーミック電極4が形成”（翻译：p侧欧姆电极4形成在p层3的表面） | 对比文件公开了p侧欧姆电极直接形成在p型半导体层表面，即直接接触第二导电半导体层，与本专利的反射电极直接接触第二导电半导体层的作用相同，直接公开。 |
| 技术特征K：所述沟道层将所述钝化层与所述反射电极分离 | 无相关记载 | 对比文件未公开沟道层，钝化层直接形成在发光结构侧面，反射电极布置在p层上，没有沟道层将它们分离，未公开该技术特征。 |
| 技术特征L：其中所述沟道层由金属制成 | 无相关记载 | 对比文件未公开沟道层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征M：其中所述沟道层由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成 | 无相关记载 | 对比文件未公开沟道层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征N：其中所述欧姆层包围所述电流阻挡层 | 无相关记载 | 对比文件未公开电流阻挡层和欧姆层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征O：其中所述欧姆层由从由ITO、AZO、IZO、Ni、Pt和Ag组成的组中选择的材料制成 | 无相关记载 | 对比文件未公开欧姆层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征P：其中所述欧姆层被分离成至少两个单元欧姆层 | 无相关记载 | 对比文件未公开欧姆层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征Q：所述反射电极设置在每个欧姆层上 | 无相关记载 | 对比文件未公开欧姆层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征R：其中所述支撑衬底由从由Mo、Si、W、Cu和Al组成的组中选择的材料制成《直接公开》 | 【0041】“Siからなる導電性基板112”（翻译：由Si构成的导电性基板112） | 对比文件公开了由Si制成的导电性基板，Si属于本专利支撑衬底材料组中的一种，作用和功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成 | 无相关记载 | 对比文件未公开n侧欧姆电极的具体材料，仅公开了p侧欧姆电极材料为Ni-Au、Ni-Pt，未公开第一电极材料，未公开该技术特征。 |
| 技术特征T：其中所述附着层由从由In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au和Al组成的组中选择的材料制成《直接公开》 | 【0033】“Au-Snからなる第1導電性接着剤層11a”（翻译：由Au-Sn构成的第1导电性粘合剂层11a）以及【0036】“Au-Snからなる第2導電性接着剤層11b” | 对比文件公开了由Au-Sn焊料构成的导电性粘合剂层，其中Sn属于本专利附着层材料组中的一种，该层用于连接发光结构和支撑基板，与本专利的附着层作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征U：其中所述沟道层包围所述反射电极的底表面和侧表面 | 无相关记载 | 对比文件未公开沟道层，未公开该技术特征。 |
| 技术特征V：其中所述钝化层在所述发光结构的外表面与所述沟道层接触 | 无相关记载 | 对比文件未公开沟道层，钝化层直接形成在发光结构侧面，未公开该接触关系，未公开该技术特征。 |
| 技术特征W：其中所述沟道层在至少一个区域中与所述发光结构进行接触 | 无相关记载 | 对比文件未公开沟道层，未公开该技术特征。 |
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