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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构
B
钝化层，所述钝化层包围所述发光结构的侧面
C
布置在所述第一导电半导体层上的第一电极
D
部分地布置在所述第二导电半导体层上的电流阻挡层
E
布置在所述电流阻挡层和所述第二导电半导体层上的欧姆层
F
布置在所述第二导电半导体层上的反射电极
G
布置在所述发光结构上并包围所述反射电极的沟道层
H
通过附着层连接到所述沟道层的支撑衬底
I
其中所述反射电极包围所述欧姆层的底表面和侧表面
J
所述反射电极直接接触所述第二导电半导体层
K
所述沟道层将所述钝化层与所述反射电极分离。
权利要求 2
L
其中所述沟道层由金属制成。
权利要求 3
M
其中所述沟道层由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成。
权利要求 4
N
其中所述欧姆层包围所述电流阻挡层。
权利要求 5
O
其中所述欧姆层由从由ITO、AZO、IZO、Ni、Pt和Ag组成的组中选择的材料制成。
权利要求 6
P
其中所述欧姆层被分离成至少两个单元欧姆层
Q
所述反射电极设置在每个欧姆层上。
权利要求 7
R
其中所述支撑衬底由从由Mo、Si、W、Cu和Al组成的组中选择的材料制成。
权利要求 8
S
其中所述第一电极由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成。
权利要求 9
T
其中所述附着层由从由In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au和Al组成的组中选择的材料制成。
权利要求 10
U
其中所述沟道层包围所述反射电极的底表面和侧表面。
权利要求 11
V
其中所述钝化层在所述发光结构的外表面与所述沟道层接触。
权利要求 12
W
其中所述沟道层在至少一个区域中与所述发光结构进行接触。