对比文件名称：2005-11-17_US2005255334A_发明申请_US20050255334A1 Organic electronic device
目标专利名称：1827有机发光器件及其制备方法CN102414295B
模型名称：当前模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包含透明阳极作为第一电极**<br>《直接公开》 | [0055] “底部发射型有机发光器件使用透明材料或不透明材料薄层作为导电层。” 实施例4（[0093]）：“使用ITO（透明导电氧化物）作为阳极导电层。” | 对比文件明确公开了透明阳极（如ITO），与目标专利中第一电极为透明阳极的技术方案相同，且作用均为阳极注入空穴。因此被直接公开。 |
| **技术特征B：包含透明阴极作为第二电极**<br>《未公开》 | 无明确公开透明阴极的内容。对比文件[0066]列举的阴极材料为Mg、Ca、Al等不透明金属，未提及透明阴极材料。 | 对比文件未公开透明阴极，也不存在隐含公开的合理依据。本领域技术人员无法从对比文件得出透明阴极的技术方案。 |
| **技术特征C：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层**<br>《直接公开》 | [0042] “有机发光器件包括基底31、阳极32、空穴注入层33、空穴传输层34、发光层35、电子传输层36、阴极37。” | 对比文件明确公开了位于阳极和阴极之间的发光层，与目标专利中发光层位于第一电极和第二电极之间的技术方案相同，作用均为发光。因此被直接公开。 |
| **技术特征D：其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层**<br>《直接公开》 | [0045] “阳极32包括导电层32a和n型有机化合物层32b……该n型有机化合物层与导电层接触。” [0056] “n型有机化合物层位于导电层和p型有机化合物层之间。” | 对比文件中的n型有机化合物层（如HAT层）直接与阳极导电层接触，相当于目标专利中与第一电极接触的第一有机材料层，作用均为降低空穴注入能垒。因此被直接公开。 |
| **技术特征E：所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层**<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何与阴极接触的有机材料层。阴极直接与电子传输层或发光层接触，未设置额外的与阴极接触的有机层。 | 对比文件不存在与第二电极（阴极）接触的有机材料层，本领域技术人员也无法从对比文件推断出该结构。因此未被公开。 |
| **技术特征F：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物**<br>《未公开》 | 对比文件[0058]公开了HAT（六氰基六氮杂苯并菲）作为n型有机化合物，该化合物属于目标专利式1-1。但仅用于阳极侧，未用于阴极侧。 | 对比文件只公开了第一有机材料层包含式1化合物，未公开第二有机材料层也包含式1化合物。特征F要求两者均包含，对比文件未完全公开。 |
| **技术特征G：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层**<br>《未公开》 | 对比文件未公开在发光层与阴极之间设置包含n型掺杂剂的有机材料层。其电子传输层（[0065]）为未掺杂的Alq3等。 | 对比文件不存在与目标专利中第三有机材料层对应的结构，本领域技术人员无法从对比文件得出该技术特征。 |
| **技术特征H：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层**<br>《直接公开》 | [0045] “阳极的n型有机化合物层32b与p型空穴注入层33接触，形成NP结。” [0059] “p型空穴注入层与n型有机化合物层形成NP结，将空穴传输至发光层。” | 对比文件中的p型空穴注入层（或空穴传输层）与n型有机化合物层接触，且位于发光层与第一有机材料层之间，与目标专利的p型有机材料层结构、作用均相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征I：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低**<br>《未公开》 | 对比文件未公开第三有机材料层和第二有机材料层，因此无对应能级关系。 | 由于对比文件不存在该两个层，无法公开该能级差特征。 |
| **技术特征J：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高**<br>《直接公开》 | [0084] “NPB的HOMO能级为5.4eV”；[0094] “NPB的HOMO能级为5.4eV”；[0060] 指出p型空穴注入层或空穴传输层的HOMO能级与n型有机层LUMO能级差为1eV或0.5eV以下，结合HAT的LUMO约5.54-6.02eV，可推知p型层HOMO≥5eV。 | 对比文件明确公开了p型有机材料层（如NPB）的HOMO能级为5.4eV，符合5eV或更高的要求。因此被直接公开。 |
| **技术特征K：[式1]**<br>《直接公开》 | [0058] “n型有机化合物层包括……六氰基六氮杂苯并菲（HAT）。” 实施例中均使用HAT。 | 式1是六氮杂苯并菲类化合物，对比文件公开的HAT即为式1-1，因此式1被直接公开。 |
| **技术特征L：其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺**<br>《直接公开》 | [0058]公开的HAT中R1至R6均为氰基（-CN），属于权利要求L中列举的“氰基”选项。 | 对比文件公开的HAT的取代基为氰基，完全落入特征L的定义范围。因此特征L被直接公开。 |
| **技术特征M：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料**<br>《未公开》 | 对比文件未公开第二有机材料层，也未公开第一有机材料层与第二有机材料层材料相同。 | 对比文件没有阴极侧有机材料层，故无法公开两者相同。 |
| **技术特征N：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环**<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何包含n型掺杂剂的有机材料层。 | 对比文件不存在第三有机材料层，故未公开。 |
| **技术特征O：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%**<br>《未公开》 | 无。 | 未公开。 |
| **技术特征P：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团**<br>《未公开》 | 无。 | 未公开。 |
| **技术特征Q：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料**<br>《直接公开》 | [0055] “导电层的费米能级约为3.5-5.5eV……作为导电材料，有碳、铝、钒、铬、铜、锌、银、金等以及合金；氧化锌、氧化铟、氧化锡、ITO、IZO等。” [0066] “阴极包括低功函数金属，如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅及其合金。” | 对比文件公开的阳极导电层材料功函数范围（3.5-5.5eV）和阴极材料功函数（如Mg约3.7eV、Ca约2.9eV、Al约4.2eV等）均落入2-6eV范围内。本领域技术人员可直接得知这些材料功函数在此范围，因此特征Q被直接公开。 |
| **技术特征R：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成**<br>《未公开》 | 对比文件阳极导电层可为金属氧化物（如ITO），阴极材料为金属（如Al、Mg），未公开阴极由金属氧化物形成。 | 对比文件未公开阴极由金属氧化物形成，故无法公开由相同或不同金属氧化物形成。 |
| **技术特征S：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成**<br>《直接公开》 | [0050] “导电层例如可以与阴极材料相同。当阳极与阴极由相同材料形成时，可以制造叠层有机发光器件。” | 对比文件明确教导阳极导电层（第一电极的导电部分）与阴极（第二电极）可以由相同材料形成，即第一电极和第二电极材料相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征T：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料**<br>《直接公开》 | [0055] “底部发射型有机发光器件使用透明材料……顶部发射型可以使用透明材料和不透明材料。” 实施例4-7中阳极均为透明IZO或半透明Al/Ag，阳极透明。 | 对比文件公开了阳极透明材料（IZO），因此至少一者（阳极）包含透明材料，特征T被直接公开。 |
| **技术特征U：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极**<br>《直接公开》 | 图3及[0042]描述：基底31上形成阳极32，然后依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，最后形成阴极37。 | 对比文件明确显示阳极在下、阴极在上的结构，与目标专利的通常结构完全相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征V：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层**<br>《未公开》 | 对比文件[0045]中阳极导电层与n型有机化合物层直接接触，无额外层。 | 对比文件未公开在第一电极与第一有机材料层之间设置额外金属或金属氧化物层。 |
| **技术特征W：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层**<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开第二有机材料层和第三有机材料层，故无法公开此界面层。 |
| **技术特征X：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤**<br>《未公开》 | 参见特征V，对比文件无此步骤。 | 未公开。 |
| **技术特征Y：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤**<br>《未公开》 | 参见特征W，对比文件无此步骤。 | 未公开。 |
### 公开性代码总结
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征A、C、D、H、J、K、L、Q、S、T、U，因此结尾插入对应大写字母代码。其余特征未公开，不插入代码。
<<<A>>><<<C>>><<<D>>><<<H>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<Q>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>>