对比文件名称：US20030165715A1（New material for transporting electrons and organic electroluminescent display using the same）
目标专利名称：CN102414295B（有机发光器件及其制备方法）
模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包含透明阳极作为第一电极**<br>《直接公开》 | [0034] “On the substrate (1), an anode (2) is located. The anode (2) injects holes into a hole injection layer (3) located thereon. For this, a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, etc., or a material with a large work function such as indium‑tin oxide (ITO), indium‑zinc oxide (IZO), etc. can be used.” 翻译：在基底(1)上，设置阳极(2)。阳极(2)将空穴注入位于其上的空穴注入层(3)。为此，可以使用铝、金、银、镍、钯、铂等金属，或者具有大功函数的材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。实施例6具体使用ITO透明电极。 | 对比文件明确公开了阳极可以使用ITO、IZO等透明导电氧化物，并且在实施例中使用了ITO作为阳极，因此直接公开了透明阳极作为第一电极。 |
| **技术特征B：包含透明阴极作为第二电极**<br>未公开 | [0040] “A cathode (7) is located over the electron transportation layer (6). The cathode (7) injects electrons into the electron transportation layer (6). As materials for the cathode, a metal having a low work function is preferable. Particularly, an appropriate metal such as tin, magnesium, indium, calcium, sodium, lithium, aluminum, silver, etc., or an appropriate alloy thereof can be used. Additionally, an electrode with a double‑layered structure such as lithium fluoride and aluminum, lithium oxide and aluminum, strontium oxide and aluminum, etc. can be used.” 翻译：阴极(7)位于电子传输层(6)上。阴极(7)将电子注入电子传输层(6)。作为阴极材料，优选低功函数的金属。特别是，可以使用锡、镁、铟、钙、钠、锂、铝、银等合适的金属或其合适的合金。此外，可以使用双层结构的电极，如氟化锂和铝、氧化锂和铝、氧化锶和铝等。实施例6使用LiF/Al阴极，不透明。 | 对比文件所列举的阴极材料均为金属或合金，不具有透明性，且实施例中形成的阴极均为不透明金属层，没有公开或暗示透明阴极的存在。因此特征B未被公开。 |
| **技术特征C：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层**<br>《直接公开》 | [0007] “The structure of a conventional organic electroluminescent display contains, as shown in FIG. 1, a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (3) for receiving holes from the anode, a hole transportation layer (4) for transporting holes, an emitting layer (5) in which holes and electrons are bound to emit light, an electron transportation layer (6) for receiving electrons from a cathode to transfer them to the emitting layer, and a cathode (7).” 翻译：常规有机电致发光显示器的结构包括，如图1所示，基底(1)、阳极(2)、用于从阳极接收空穴的空穴注入层(3)、用于传输空穴的空穴传输层(4)、空穴和电子结合以发光的发光层(5)、用于从阴极接收电子并将电子传输到发光层的电子传输层(6)、以及阴极(7)。实施例6明确形成发光层。 | 对比文件明确公开了发光层位于阳极和阴极之间，因此直接公开了特征C。 |
| **技术特征D：其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层**<br>《直接公开》 | [0035] “Over the anode (2), a hole injection layer (3) is located. Material for the hole injection layer (3) should have high hole injection efficiency from the anode and should efficiently transport injected holes.” 翻译：在阳极(2)上，设置空穴注入层(3)。空穴注入层(3)的材料应具有从阳极注入空穴的高效率，并应有效地传输注入的空穴。实施例6在ITO上沉积HAT作为空穴注入层，与阳极接触。 | 对比文件公开了空穴注入层与阳极直接接触，该空穴注入层即为与第一电极接触的第一有机材料层，因此直接公开了特征D。 |
| **技术特征E：所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层**<br>未公开 | [0039] “An electron transportation layer (6) is located over the emitting layer (5).” 实施例6中在电子传输层上沉积LiF和Al，电子传输层不与阴极直接接触。翻译：电子传输层(6)位于发光层(5)上。实施例6中，在电子传输层上依次沉积LiF和Al，阴极是Al，LiF是电子注入层，不是有机层，且电子传输层与阴极不直接接触。 | 对比文件中电子传输层与阴极之间还设有LiF等无机层，因此没有公开有机材料层与第二电极直接接触。所以特征E未被公开。 |
| **技术特征F：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物**<br>未公开 | [0113] 实施例6中空穴注入层为HAT（六腈六氮杂苯并菲），电子传输层为化合物1-4（属于式1化合物）。但未将与阳极接触的层也使用式1化合物。翻译：实施例6中空穴注入层为HAT，电子传输层为化合物1-4（属于式1化合物），但未将与阳极接触的层也使用式1化合物。 | 对比文件仅公开了第二有机材料层（电子传输层）包含式1化合物，但未公开第一有机材料层（空穴注入层）也包含式1化合物，因此特征F未被直接公开，也没有隐含公开，因为对比文件没有教导或暗示将式1化合物用于空穴注入层。 |
| **技术特征G：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层**<br>未公开 | 对比文件没有公开任何包含n型掺杂剂的有机材料层。在电子传输层后使用LiF，但LiF不是n型掺杂剂。[0039]提到“doping of the electron transportation layer with conductive metals having low work‑functions”是现有技术，但未在实施例中使用。翻译：对比文件未在器件中设置包含n型掺杂剂的第三有机材料层。 | 对比文件没有公开位于发光层与第二有机材料层之间的含n型掺杂剂的层，因此特征G未被公开。 |
| **技术特征H：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层**<br>《直接公开》 | [0036] “Over the hole injection layer (3), a hole transportation layer (4) is located. The hole transportation layer (4) receives holes from the hole injection layer (3) to transport them to an emitting layer (5) located thereon.” 翻译：在空穴注入层(3)上，设置空穴传输层(4)。空穴传输层(4)从空穴注入层(3)接收空穴并将它们传输到位于其上的发光层(5)。实施例6中，空穴传输层NPB位于空穴注入层HAT和发光层之间，且与HAT接触。 | 对比文件公开了空穴传输层（p型有机材料层）位于发光层和空穴注入层（第一有机材料层）之间，且与空穴注入层接触，因此直接公开了特征H。 |
| **技术特征I：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低**<br>未公开 | 对比文件没有公开第三有机材料层，也没有公开LUMO能级差值。 | 无 |
| **技术特征J：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高**<br>《隐含公开》 | [0036]公开了空穴传输层材料NPB，本领域公知NPB的HOMO能级约为5.4eV，满足≥5eV。但对比文件未明确记载HOMO值。翻译：对比文件公开了空穴传输层使用NPB，NPB的HOMO能级为本领域公知。 | 虽然对比文件没有明确记载HOMO能级数值，但本领域技术人员熟知NPB的HOMO能级约为5.4eV，满足5eV或更高的条件，因此可以合理推断该特征被隐含公开。 |
| **技术特征K：[式1]**<br>《直接公开》 | [0011]公开了化学式1‑5，并具体在实施例1‑5中制备了化合物如1‑2,2‑2,1‑4,2‑4,3‑2等，这些化合物包含蒽环和咪唑基团，落入目标专利式1的范围。翻译：对比文件公开了化学式1‑5表示的化合物，其结构包含9,10‑取代的蒽环，2‑或2,6‑位连接有咪唑基团，例如化合物1‑4（2,6‑二(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)‑9,10‑二(萘‑2‑基)蒽）。 | 对比文件明确公开了目标专利式1所涵盖的化合物类型，因此直接公开了特征K。 |
| **技术特征L：其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1‑C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1‑C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺**<br>《直接公开》 | [0012]‑[0016]定义了R1‑R4，[0053]定义了R5，包括氢、C1‑20烷基、烷氧基、芳烃、杂环、卤素等。实施例中具体化合物包含氢、苯基、萘基、苯并咪唑基等，这些属于目标专利定义中的取代基。翻译：对比文件公开了其化合物中取代基的定义，包括氢、C1‑20脂肪烃、苯、萘、联苯、蒽、芳杂环、卤素等，这些均落入目标专利R1‑R6的定义范围内。 | 对比文件通过其化学式定义和具体实施例，公开了其化合物中的取代基种类，这些取代基是目标专利特征L中列举的基团之一，因此直接公开了特征L。 |
| **技术特征M：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料**<br>未公开 | 对比文件第一有机材料层（空穴注入层）为HAT，第二有机材料层（电子传输层）为化合物1‑4，材料不同。翻译：对比文件实施例6中，空穴注入层为HAT，电子传输层为化合物1‑4，两者不同。 | 对比文件未公开第一和第二有机材料层为彼此相同的材料，因此未公开特征M。 |
| **技术特征N：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环**<br>未公开 | 对比文件没有公开包含n型掺杂剂的第三有机材料层，因此没有公开n型掺杂剂的种类。 | 无 |
| **技术特征O：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1‑50wt%**<br>未公开 | 同N。 | 无 |
| **技术特征P：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团**<br>未公开 | 对比文件公开了电子传输层含有咪唑基团，但该层不是第三有机材料层，而是与阴极接触的层（或通过LiF接触）。但特征P是针对第三有机材料层的，对比文件没有该层。 | 对比文件没有公开包含n型掺杂剂的第三有机材料层，因此未公开特征P。 |
| **技术特征Q：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料**<br>《隐含公开》 | [0034]公开阳极材料ITO（功函数约4.8eV），[0040]公开阴极材料Al（功函数约4.2eV），均在2‑6eV范围内。翻译：对比文件公开的阳极材料ITO和阴极材料Al的功函数分别为约4.8eV和约4.2eV。 | 虽然对比文件未明确记载功函数数值，但本领域技术人员知道ITO和Al的功函数在2‑6eV范围内，因此隐含公开了特征Q。 |
| **技术特征R：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成**<br>未公开 | 对比文件阳极是ITO（金属氧化物），阴极是Al（金属），不是金属氧化物。翻译：对比文件阴极材料为铝，不是金属氧化物。 | 对比文件未公开第二电极由金属氧化物形成，因此未公开特征R。 |
| **技术特征S：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成**<br>未公开 | 对比文件阳极和阴极材料不同。翻译：ITO和Al不同。 | 对比文件未公开第一和第二电极由相同材料形成。 |
| **技术特征T：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料**<br>《直接公开》 | [0034]公开阳极可以使用ITO、IZO等透明材料，实施例6使用ITO。翻译：阳极使用透明导电氧化物ITO。 | 对比文件公开了阳极包含透明材料，因此至少一者透明，直接公开特征T。 |
| **技术特征U：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极**<br>《直接公开》 | [0007]及图1显示阳极在基底上，阴极在最上层，通常阳极是下电极，阴极是上电极。翻译：图1示出了阳极(2)位于基底(1)上，阴极(7)位于最上层，阳极作为下电极，阴极作为上电极。 | 对比文件公开了器件结构，其中第一电极为下电极作为阳极，第二电极为上电极作为阴极，直接公开特征U。 |
| **技术特征V：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层**<br>未公开 | 对比文件没有在阳极和空穴注入层之间设置金属薄膜或金属氧化物层。实施例6直接在ITO上沉积HAT。翻译：实施例6中，空穴注入层直接形成在ITO阳极上。 | 对比文件未公开位于第一电极和第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层。 |
| **技术特征W：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层**<br>未公开 | 对比文件没有第二有机材料层和第三有机材料层，因此没有界面上的层。 | 无 |
| **技术特征X：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤**<br>未公开 | 对比文件没有公开该制备步骤。 | 对比文件未公开该制备方法步骤。 |
| **技术特征Y：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤**<br>未公开 | 对比文件没有公开该制备步骤。 | 无 |
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