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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
第一支撑构件
B
至少两个结合层
C
所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上
D
第二支撑构件
E
所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上
F
发光结构
G
所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上
H
所述发光结构包括第一导电类型半导体层
I
第二导电类型半导体层
J
被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层
K
第一电极
L
所述第一电极被布置在所述发光结构上
M
其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。
权利要求 2
N
其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米。
权利要求 3
O
其中所述结合层包括凹凸结构
P
所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上。
权利要求 4
Q
其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同。
权利要求 5
R
其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同。
权利要求 6
S
其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同。
权利要求 7
T
进一步包括
U
欧姆层
V
所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间。
权利要求 8
W
进一步包括
X
反射层
Y
所述反射层被布置在所述欧姆层 and 所述第二支撑构件之间。