一种发光器件阵列，包括；第一支撑构件；至少两个结合层；所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上；第二支撑构件；所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上；发光结构；所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上；所述发光结构包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极；所述第一电极被布置在所述发光结构上；其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。

这是一份对目标专利权利要求1进行的全面、严谨且深入的专利有效性与创造性法律/技术分析报告。

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### 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书界定

为了准确评估对比文件的公开情况，首先基于目标专利说明书（授权公告号：`CN102263119B`）对权利要求1的各个技术特征进行精细化界定：

* **技术特征A（第一支撑构件）**：说明书明确指出“第一支撑构件可以是基底片230”，其材质可为包含PVC、PAT、PPT及环氧树脂的黏附带或UV带。

* **技术特征B、C（至少两个结合层，布置在第一支撑构件上）**：结合层170被布置在基底片230上，用于固定芯片。

* **技术特征D、E（第二支撑构件，布置在至少两个结合层中的每一个上）**：说明书指出“第二支撑构件可以是导电支撑基板160”，如由Mo、Si、W、Cu、Al等金属/合金或载具晶圆构成。

* **技术特征F、G、H、I、J（发光结构及其内部层结构）**：发光结构布置在第二支撑构件（160）上，包含第一导电类型半导体层120、第二导电类型半导体层140以及夹于其间的有源层130。

* **技术特征K、L（第一电极，布置在发光结构上）**：第一电极190布置在第一导电类型半导体层120的顶部。

* **技术特征M（关键特征：发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接）**：

* **说明书界定**：根据说明书段落[0009]、[0039]、[0088]、[0090]等记载，在利用激光划片（Scribing）切割导电支撑基板160时，切割产生的熔融金属被再次固化，或者预先保留一部分未切断的导电支撑基板，从而形成将相邻器件的导电支撑基板（第二支撑构件）侧面相互连接的“金属层160a”。该金属层160a在制备阵列阶段起到了横向连通、固定侧面的作用。

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### 二、 对比文件技术特征比对表

各对比文件与目标专利权利要求1的比对分析如下表所示：

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### 三、 对比文件原文公开内容深度分析与出处

#### 1. 对比文件 D1 (`DE19625622A1`)

* **出处与内容**：D1主要公开了一种利用荧光转换材料（如波长转换层）将LED发出的短波长光（如蓝光）转换为长波长光从而混合产生白光或混合颜色的半导体发光器件 [2]。

* **特征F、H、I、J、K、L**：在说明书附图Fig. 9及文字描述中，公开了具有衬底18（如SiC），其上生长AlN/GaN层19、n型GaN层20、活性层（有源层）21-23、p型GaN层24，以及上表面电极（第一电极）27 [2]。

* **缺乏的技术特征**：D1属于传统的单芯片封装结构或荧光粉转换技术，未披露“第一支撑构件”、“结合层”、“第二支撑构件（如转移后的导电衬底）”以及“第二支撑构件通过金属层相互连接（特征M）”。

#### 2. 对比文件 D2 (`JPH10107316A`)

* **出处与内容**：D2公开了一种在同一衬底（ワンチップ）上一体化形成多个III族氮化物半导体发光素子（LED阵列）的结构 [0001, 0010]。

* **特征A**：公开了同一蓝宝石衬底1（サファイア基板1），起到支撑整个发光阵列的作用 [0010, 0011]。

* **特征F、H、I、J、K、L**：公开了在蓝宝石衬底1上依次形成缓冲层2、n+型GaN层3/4、发光层5（有源层）、p型层61/62/63，并在表面形成透明电极71/72（第一电极） [0011, 0012]。

* **特征M比对分析**：D2在相邻发光单元之间采用刻蚀沟槽（11）进行电气隔离 [0010, 0013]，并在沟槽上方通过蒸镀形成的“表面电极图案（如透明电极7c跨越沟槽连接到另一单元的n电极8d）”实现串联或并联 [0005, 0010, 0013]。D2公开的是**发光结构表面的电极图案连接**，而非“支撑衬底/第二支撑构件侧面的金属层连接”。

* **缺乏的技术特征**：D2未采用基板转移技术（Laser Lift-Off），因此不具备“结合层”、“第二支撑构件”，更未公开“第二支撑构件之间通过金属层连接（特征M）”。

#### 3. 对比文件 D3 (`JP2000512806A`)

* **出处与内容**：D3公开了一种荧光体转换半导体发光器件，重点在于无机荧光粉（如YAG:Ce）与树脂结合的封装体系 [2]。

* **特征F、H、I、J、K、L**：在图9及说明书中公开了经典的蓝光LED外延层及电极结构（衬底18、n型层20、活性层21-23、p型层24、电极27） [2]。

* **缺乏的技术特征**：与D1类似，D3未包含转移衬底阵列技术，完全未公开技术特征A、B、C、D、E、G及M。

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### 四、 最接近对比文件的选择与技术问题/效果分析

在评价权利要求1的创造性（如在无效宣告程序中）时，需从**整体解决的技术问题**与**技术效果**角度选择最接近的对比文件：

#### 1. 最接近对比文件分析

* **最接近对比文件推荐：D2 (`JPH10107316A`)**

* **原因**：从整体技术方案来看，目标专利权利要求1的主题是“一种发光器件阵列”。对比文件D2同样致力于解决“在同一基板上集成多个LED发光单元以形成发光阵列”的技术问题 [0001, 0005]，并且其技术领域、整体构架（阵列化集成）与目标专利最为接近。D2公开了发光阵列中的第一支撑构件（衬底1）、发光结构及其电极布局 [0010, 0011]。

* **D1/D3的作用**：D1和D3仅为单体LED器件或荧光粉转换封装结构 [2]，不涉及“阵列化支撑结构与工艺处理”，因此不适合作为最接近的对比文件。

#### 2. D2与目标专利的区别特征、解决的技术问题及技术效果

相比于D2，权利要求1的区别特征在于：

1. 结构采用了双重支撑构件体系：包含“结合层（B/C）”与“第二支撑构件（D/E/G）”（即垂直结构LED转移衬底体系）。

2. **关键区别特征M**：发光器件的第二支撑构件经由金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。

* **目标专利解决的技术问题**：在使用垂直结构芯片和转移衬底制造发光器件阵列时，如何在划片/分离工序中避免产生金属毛刺、提高结合力，并确保阵列在贴片/引线键合过程中能够平稳且高效地进行。

* **目标专利达到的技术效果**：通过第二支撑构件之间的金属层（再次固化的熔融金属或残留衬底金属），既能在划片阶段保持芯片阵列侧面的机械连通与相对固定，又能在分离后减少毛刺对光学和电学性能的干扰。

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### 五、 未被公开的技术特征与“最薄弱技术特征”指出的无效策略

#### 1. 区别特征是否被其他对比文件（D1、D3）公开？

* **否**。对比文件D1和D3均仅公开了传统的单体芯片外延结构与荧光粉包装方式 [2]，完全没有公开任何关于“垂直结构转移衬底（第二支撑构件）”以及“第二支撑构件间通过金属层相连（特征M）”的技术教导。

#### 2. 最薄弱的技术特征分析（无效突破口）

在对目标专利权利要求1发起无效宣告请求时，**特征M（“发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”）** 是目标专利具备新颖性和创造性的“防线”，但同时也是**最薄弱的技术特征**，原因如下：

1. **特征M的机理属于划片/切割工艺的自然副产物（说明书自认）**：

目标专利说明书[0088]段明确记载：“在激光划片之后的预定量的熔融金属被再次固化，以形成能够将分离的导电支撑基板相互连接的金属层160a。替代地，在激光划片工艺中保留导电支撑基板160的预定部分以形成金属层160a”。

* **法律攻击点**：这表明该“金属层”本质上是**激光划片未完全切断**或**激光融化导电基板（如Cu/W/Mo）后重新凝固**产生的工艺现象/残留物。如果本领域技术人员采用激光切割垂直LED的金属导电衬底，不可避免地会产生熔融再凝固连结，或者为了保持阵列连贯性而故意不完全切穿。

2. **撰写缺陷与定义宽泛**：

权利要求1中仅写明“经通过金属层与相邻...连接”，并未限制该金属层的形态、尺寸或特定材质。这使得该特征容易被现有技术中“未完全切透的金属衬底”或“切割融融残留”所覆盖。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略（针对无效请求）

鉴于现有的对比文件（D1、D2、D3）未能完全组合覆盖特征M及“转移衬底+结合层”结构，若要成功无效权利要求1，建议按照以下策略补充检索：

1. **重点检索技术领域**：

* 垂直结构发光二极管（Vertical LED / VLED）的晶圆级制造工艺。

* LED晶圆划片/切割工艺（Laser Scribing / Dicing of Conductive Substrates）。

* 带有临时胶带/载体（Tape / Intermediate Carrier）的芯片转移与分离方法。

2. **关键关键词组合（中英文/日文）**：

* `导电基板` / `金属衬底` / `激光划片` / `未切穿` / `熔融` / `残留` / `连接`

* `conductive substrate` AND (`laser scribing` OR `dicing`) AND (`melt` OR `re-solidified` OR `residual` OR `bridge` OR `connect`)

* `台座` / `导电性基板` / `レーザスクライブ` / `残存` / `熔融`

3. **分类号检索（IPC/CPC）**：

* `H01L 33/00`（半导体发光器件制造）

* `H01L 33/62`、`H01L 33/48`（发光器件封装与支撑结构）

* `H01L 21/78`（半导体器件切割/分离制造工艺，特别是激光切割金属衬底）

4. **建议关注的现有技术方向**：

* 查找在2010年（目标专利优先权日/申请日）之前公开的关于**金属支撑衬底（如Cu/W、Cu-W、Mo等）利用激光切割时形成微桥（Micro-bridge）或熔融连接**的工艺专利。只要证明“激光切割金属衬底时留下连接层/熔融层”是本领域的公知常识或常规工艺手段，即可结合D2彻底无效目标专利权利要求1的创造性。

资深专利代理师，对目标专利 **CN102263119B**（下称“目标专利”）的权利要求1进行法律与技术分析。结合目标专利说明书及三篇对比文件原文（含公开号及段落/附图出处），具体分析如下：

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## 一、 目标专利说明书对权利要求1的技术特征解释

基于目标专利说明书，权利要求1中关键技术特征的法律与技术内涵解释如下：

1. **“第一支撑构件”（特征A、C）**：

* **解释**：对应说明书中的“基底片230/220”。该构件在制造和芯片分离过程中用于支撑、保持多个未相互分离的发光器件，基底片可为具有粘附性质的环氧树脂与PVC、PAT、PPT混合形成的胶带（说明书[0037]-[0038]）。

2. **“至少两个结合层”（特征B、C、E）**：

* **解释**：对应说明书中的“结合层170”。用于将各个独立发光器件的第二支撑构件（导电支撑基板160）固定到第一支撑构件（基底片230）上。说明书特别指出其宽度通常构图为比发光结构窄（[0040]、[0075]），且表面可具有凸凹结构（[0041]、[0083]）。

3. **“第二支撑构件”（特征D、E、G）**：

* **解释**：对应说明书中的“导电支撑基板160”。该支撑构件直接支撑发光结构，兼具导电和散热功能（如Mo, Si, W, Cu, Al等及其合金），并在激光划片分离前作为芯片的基底（[0042]-[0043]）。

4. **“金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”（特征M）**：

* **解释**：对应说明书中的“金属层160a”。这是目标专利的**核心发明点**。在通过激光划片（laser dicing）分割导电支撑基板160时，**熔融的金属在划片道内重新固化（或保留导电支撑基板的部分未切透金属）**，形成连接相邻两个发光器件之第二支撑构件（160）侧面的金属层160a（说明书[0039]、[0088]、[0090]、图2、图11、图12）。

* **技术效果**：在阵列阶段，金属层160a与结合层170共同起到双重固定和连接作用，在芯片搬运、贴片/引线键合工艺中提高机械稳定性与阵列排列精度（说明书[0005]、[0039]）。

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## 二、 对比文件特征比对与公开性分析

### 1. 对比文件公开号列表

* **D1**：JP2003151921A

* **D2**：JP2004048069A

* **D3**：JP2004111981A

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### 2. 特征比对表格 (Feature Mapping Table)

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### 3. 各对比文件原文详细出处及分析

#### **D1 (JP2003151921A)**

* **公开技术特征**：

* **发光结构及各层 (F, G, H, I, J, K, L)**：段落[0020]“基板2の表面側に...ｎ型とｐ型の窒化物系化合物半導体４，５が積層...ｎ型とｐ型の半導体層４，５の間に発光層６が形成される”；段落[0021]“ウエハ１は、一方の面にｎ型の電極７とｐ型の電極８を備える”。公开了第二支撑构件（基板2）、发光结构（PN结+发光层）及电极。

* **未公开特征**：

* **特征 A, B, C, E**：D1仅讨论单片晶圆在切割前的加工，未公开“第一支撑构件（基底片）”以及“布置在第一支撑构件上的至少两个结合层”。

* **特征 M**：D1的段落[0022]-[0025]及图2、图5公开了使用激光从基板背面照射形成V形切割沟槽（Groove 10），其深达240μm（基板厚250μm），**目的是为了后续利用机械压力（Roller）沿沟槽完全断裂分离为独立芯片（段落[0025]）**。D1并没有在划片道内形成“熔融再固化连接相邻支撑构件侧面的金属层”。

#### **D2 (JP2004048069A) 与 D3 (JP2004111981A)**

* **公开技术特征**：

* 两卷文件结构基本一致，重点在于荧光粉波长转换层（YAG:Ce）与LED芯片的组合。

* **特征 D, F, G, H, I, J, K, L**：段落[2]及图9公开了以SiC为衬底18（第二支撑构件），其上生长有n-GaN层20、活性层、p-GaN层24（发光结构）以及电极27、28。

* **未公开特征**：

* 完全未涉及阵列结构中的“第一支撑构件”、“结合层”以及“相邻芯片支撑构件间的连接金属层”（特征 A, B, C, E, M）。

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## 三、 最接近对比文件的选择与创造性分析

### 1. 最接近对比文件的确定

* **推荐最接近对比文件：D1 (JP2003151921A)**。

* **理由**：

1. **技术领域与问题相关性最高**：目标专利与D1均涉及“半导体发光器件的晶圆/阵列切割与芯片分离制造方法”。

2. **技术特征重合度最高**：D1公开了发光结构、支撑衬底以及利用**激光划片（Laser Dicing）**对半导体晶圆进行切割加工的工艺。

### 2. 区别技术特征与实际解决的技术问题

以 **D1** 为最接近对比文件，目标专利权利要求1与D1相比，区别技术特征在于：

1. **特征 A、B、C、E**：存在“第一支撑构件（基底片）”以及布置在其上的“至少两个结合层”，用以支撑阵列中的各个第二支撑构件。

2. **特征 M**：发光器件的第二支撑构件通过**金属层**与相邻发光器件的第二支撑构件连接。

* **整体解决的技术问题**：

* 如何在发光器件阵列的切割分离和搬运过程中，有效固定各个独立芯片，防止芯片位移、毛刺产生及脱落，从而提高贴片/引线键合等封装工艺的精度与效率。

* **技术效果**：

* 通过第一支撑构件和结合层固定芯片，同时利用切割时形成的侧面金属层（160a）在阵列阶段暂时连接相邻第二支撑构件，提供双重稳定支撑，确保在转移和引线键合前芯片阵列不发生相对平移。

### 3. 创造性评估结论（基于现有三篇对比文件）

* **特征A/B/C/E（蓝膜/基底胶带固定）**：在半导体封测领域，使用切片胶带（Dicing tape / Carrier sheet）配合胶层固定划片阵列属于本领域的公知常识。

* **特征M（侧面连接金属层）**：D1、D2、D3**均未公开或暗示**在激光切割导电支撑基板时利用熔融金属重新固化（或保留部分金属）来“连接相邻第二支撑构件”的结构。

* **结论**：若仅基于现有对比文件 D1、D2、D3，**权利要求1具备创造性（符合《专利法》第22条第3款）**。

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## 四、 无效请求中最薄弱的技术特征

在针对目标专利发起无效宣告请求时，权利要求1中**最薄弱（即最容易被击破/或法律效力最不稳定）的技术特征**为：

### **特征 M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。**

#### 解释与弱点分析：

1. **概念模糊与范围宽泛**：

权利要求1未限定该“金属层”的形成方式（是划片后**残余的未切透金属**，还是**激光熔融再固化的金属**）。如果对比文件中有公开“利用金属基板/金属结合层进行部分深度切割（Partial Dicing），底部或侧边留有未切断金属残余连接”的技术，该特征极易被认定为已被公开或属于显而易见的技术手段。

2. **功能性限定风险**：

在实际器件封装前，该金属层（160a）最终是需要被完全切断/断开以实现单颗芯片分离的（目标专利说明书[0091]）。其仅仅是制造过程中的**中间阵列状态特征**。在产品权利要求中写入“中间制造状态”的连接特征，若现有技术中存在金属衬底划片时未完全切穿的常识，该特征的实质技术贡献极易被质疑。

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## 五、 进一步的对比文件检索策略

为了成功无效权利要求1（尤其是击破特征M及阵列结合层特征），建议采取以下针对性的补充检索策略：

### 1. 关键检索要素提取 (Keywords & Classification)

* **主题词组合 1（侧面熔融/残余金属连接）**：

* `(Laser dicing OR Laser scribing OR Laser cutting)` AND `(Metal substrate OR Conductive substrate OR Cu OR CuW)` AND `(Remained OR Residual OR Re-solidified OR Melted OR Connecting layer / Connection)`

* **主题词组合 2（蓝膜/阵列胶带+独立结合层）**：

* `(LED array OR Light emitting array)` AND `(Base sheet OR Dicing tape OR Carrier)` AND `(Adhesive layer OR Bonding layer OR Island)`

* **IPC/CPC 分类号**：

* **H01L33/00**（发光器件的制造或处理）

* **H01L21/304 / H01L21/78**（半导体器件分割/划片工艺）

* **H01L33/62 / H01L33/48**（发光器件封装与支撑结构）

### 2. 重点检索方向与数据库

1. **专攻金属衬底激光划片/半切工艺（Partial Dicing）**：

* 重点检索以垂直结构LED（Vertical LED）、金属基底（Cu/CuW/Mo/Si等）为背景的专利。寻找在切割金属衬底时，由于“未完全切透”或“激光熔融重固化”导致相邻芯片基板侧面存在金属连接层的现有技术文献。

2. **重点申请人检索**：

* 重点检索在垂直LED及金属衬底划片领域有深度专利布局的大厂（如： Cree/Wolfspeed, Osram, Lumileds, Nichia, LG Innotek, Epistar 晶元光电, Samsung）。

3. **拓展文献类型**：

* 检索半导体后段封测（Packaging & Assembly）领域的学术论文、IEEE期刊及晶圆切割设备厂商（如 DISCO, Accretech/Tokyo Seimitsu）的技术白皮书。设备厂商的白皮书中经常详细描述激光划片（Stealth Dicing / Laser Grooving）在金属层熔融重固化（Debris / Recast layer）现象及其在芯片阵列中的留存状态。

作为一名资深专利代理师，我紧密结合目标专利（CN102263119B）的说明书及附图，对本案权利要求1的技术特征进行深入解析，并对照给出的三份对比文件（D1: EP0907969B1、D2: DE29724847U1、D3: DE29724848U1）开展详细的专利无效创造性与新颖性比对分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的解释

结合目标专利（CN102263119B）说明书及附图（特别参考说明书[0037]-[0043]、[0084]-[0092]及图1、图2、图8-图12）：

1. **基本物理架构（特征A~L）**：

权利要求1限定了一种“发光器件阵列”，其结构自下而上依次为：第一支撑构件（基底片230） $\rightarrow$ 至少两个结合层（结合层170） $\rightarrow$ 第二支撑构件（导电支撑基板160） $\rightarrow$ 结合/反射/欧姆层等中间层 $\rightarrow$ 发光结构（含第二导电型半导体层140、有源层130、第一导电型半导体层120） $\rightarrow$ 第一电极（第一电极190）。该结构为垂直结构LED芯片及其阵列的基本层叠关系。

2. **核心特征M（相邻第二支撑构件经由金属层连接）**：

* **说明书出处**：说明书第[0009]、[0039]、[0088]及[0090]段，以及图2、图11、图12。

* **技术内涵与工艺形成过程**：在制造过程中，导电支撑基板160被划片/分离为独立芯片单元时，**通过激光划片（Laser Dicing）**，使得划片区域部分熔融的金属熔化并重新固化（或保留预定部分），形成将相邻发光器件的第二支撑构件（导电支撑基板160）侧面相互连接的金属层160a（见说明书[0088]段：“在激光划片之后的预定量的熔融金属被再次固化，以形成能够将分离的导电支撑基板相互连接的金属层160a”）。

* **技术效果与目的**：说明书[0005]及[0039]、[0042]指出，在器件单元分离后、贴片/引线键合前，该金属层160a协同基底片230能够固定发光器件的侧面，防止芯片散落或偏移，使得“能够平滑地并且有效地执行发光器件的贴片/引线键合工艺”，提高器件性质和制造效率。

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### 二、 对比文件技术特征比对与原文出处分析

现将三份对比文件分别与权利要求1的技术特征进行比对。对比文件的基本信息如下：

* **D1**: EP0907969B1（2004-05-26授权）

* **D2**: DE29724847U1（2004-09-30公开）

* **D3**: DE29724848U1（2004-09-30公开）

#### 1. 对比文件技术领域分析

D1、D2、D3均属于**荧光粉转换型发光半导体元件（白光LED/单芯片发光器件）技术**，其核心发明点在于利用蓝光/紫光芯片激发荧光粉实现荧光转换（如YAG:Ce），并在封装结构中设置荧光转换层、凹陷部（反射杯）、引线框架（Leadframe）等（详见D1/D2/D3说明书[0001]、[0012]、[0025]段及附图1-4/1-14）。

#### 2. 技术特征比对表格

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### 三、 对比文件与最接近对比文件的评估分析

#### 1. 最接近对比文件的选择分析

* **技术问题与技术领域差异**：

* **目标专利（CN102263119B）** 属于**半导体发光器件制造与阵列晶圆级/阵列级转移与分离技术**，解决的核心技术问题是如何在阵列分离和贴片过程中固定芯片、防止毛刺并实现高效引线键合与贴片（说明书[0005]）。

* **对比文件D1、D2、D3** 均属于**白光LED波长转换（波长转换材料、胶体封装、颜色均匀性）技术**，其解决的技术问题是“提供一种能辐射均匀混合光且易于批量生产的发光半导体元件”（D1/D2/D3说明书[0010]）。

* **最接近对比文件的选定**：

从整体结构来看，D1、D2、D3三者属于同一专利族/同源申请技术方案，结构高度一致，均公开了单芯片发光器件的基本层叠结构（包含衬底18、外延层7、电极12/11）。**若仅从现有技术中寻找包含发光结构及衬底的单芯片结构作为起点，D1、D2、D3均可以作为最接近的对比文件**。但需要指出的是，D1-D3均未涉及“发光器件阵列”以及阵列中“第一支撑构件、阵列结合层、相邻芯片衬底间连接金属层”的工艺与结构。

#### 2. 未被公开特征的分布情况

权利要求1中未被对比文件D1、D2、D3公开的特征包括：

1. **阵列组合架构（特征A、B、C、E）**：第一支撑构件（基底片230）以及在其上布置的“至少两个结合层（170）”，并分别承载“至少两个第二支撑构件”。

2. **核心关键特征M**：“发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”。

由于D1、D2、D3均未公开上述特征，因此**仅凭现有给出的D1、D2、D3三份对比文件，无法组合拼凑出权利要求1的全套技术特征，权利要求1相对于D1-D3具有新颖性和显著的创造性。**

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### 四、 提出无效请求最薄弱的技术特征与无效攻击策略

针对目标专利权利要求1，若要发起无效宣告请求，分析如下：

#### 1. 最薄弱的技术特征（突破口）

* **特征M（划片残留/重溶形成的金属层160a）** 是目标专利权利要求1中**最具防御力但也最薄弱（技术创造性高度易被质疑）** 的特征。

* **原因**：结合目标专利说明书[0088]段可知，金属层160a的本质是在对导电支撑基板进行**激光划片（Laser Dicing/Scribing）** 或切割工艺时，切割道边缘未完全切断保留的金属，或者是熔融金属二次固化形成的“熔渣/连结部”。

* **法律与技术漏洞**：在半导体晶圆切割（Dicing）领域，激光切割金属基板产生热熔连接，或者采用不完全切割（Discontinuous/Partial Dicing）保留微连接点（Tie-bar / Micro-tabs）以防止芯片在转移前脱落，属于晶圆制造与封装领域的公知常识或现有工艺。

#### 2. 进一步的对比文件检索策略（补充检索指引）

为了成功无效权利要求1，**必须放弃纯粹检索“波长转换/白光LED封装”类专利，转向“半导体晶圆切割、芯片转移阵列（LED Array Dicing / Wafer-level Packaging）”领域**。

具体检索策略建议如下：

1. **分类号检索（IPC/CPC）**：

* `H01L 33/00`（半导体发光器件的制造工艺，特别关注划片、分割、转移环节）

* `H01L 21/78`（将半导体衬底分割成独立部件的工艺，如Laser Dicing, Stealth Dicing）

* `H01L 21/683`（在制造过程中用于支撑/固定半导体器件的装置或胶带，如Dicing tape, Base sheet）

2. **关键词组合逻辑**：

* **逻辑一（芯片阵列与支撑基底）**：`(LED OR "light emitting") AND (array OR wafer) AND ("base sheet" OR "carrier tape" OR "dicing tape" OR "temporary substrate")`

* **逻辑二（激光切割与金属重熔/连接）**：`("laser dicing" OR "laser scribing" OR "partial dicing") AND (metal OR "conductive substrate") AND (connect* OR bridge OR remelt* OR residue OR "tie bar")`

3. **文献类型与技术来源重点方向**：

* 重点检索 **垂直结构LED（Vertical LED）** 或 **薄膜LED（Thin-film LED）** 的制造工艺专利（例如来自 Cree、Osram、Lumileds、LG Innotek、Epistar 等早期关于垂直芯片激光划片与基底蓝膜转移的专利，时间点应早于目标专利申请日 **2010年5月10日**）。

<FollowUp label="是否需要我针对特征M（激光划片金属残留/微连接）撰写一份补充对比文件的检索式及无效理由框架？" query="请针对特征M（激光划片金属残留/微连接）撰写一份补充对比文件的详细检索式及专利无效宣告理由框架。"/>

作为一名资深专利代理师，我针对目标专利 CN102263119B 的权利要求1，结合其说明书及三份对比文件进行深度法律与技术分析。

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### 一、 紧密结合目标专利说明书解释权利要求

在解释权利要求1时，需紧密结合目标专利 CN102263119B 说明书的教导，以确定各技术特征在目标专利中的具体含义与保护范围：

1. **“第一支撑构件”（特征A）**：说明书[0037]-[0038]记载，第一支撑构件为基底片230（或220），用于支撑发光器件阵列。其可具有UV带（UV tape）或硅处理带形状，材质可为PVC、PAT、PPT与环氧树脂的混合物。其作用是在器件单元分离后，支撑并保持未相互分离的发光器件。

2. **“结合层”（特征B/C/E）**：说明书[0040]-[0041]、[0075]-[0077]、[0094]记载，结合层170被布置在第一支撑构件与第二支撑构件（导电支撑基板160）之间。其材质可为Au、Sn、Nb、Pb、In、Mo及其合金。其宽度被构图为比发光结构窄（如边缘缩进1~10μm），且表面可形成凹凸结构以增强粘附，并防止划片时产生金属毛刺。

3. **“第二支撑构件”（特征D/E/G）**：说明书[0039]、[0043]记载，第二支撑构件为导电支撑基板160，用于作为电极、散热以及提供机械支撑。材料包括Mo、Si、W、Cu、Al及其合金，或Au、Cu合金、Ni、Cu-W、载具晶圆等。

4. **“发光结构”（特征F/H/I/J）**：说明书[0046]-[0055]记载，包括第一导电类型半导体层120（如n-GaN）、第二导电类型半导体层140（如p-GaN）以及二者之间的有源层130（MQW结构）。

5. **“第一电极”（特征K/L）**：说明书[0056]记载，第一电极190布置在第一导电类型半导体层120上，作为n型电极。

6. **“发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”（特征M）**：说明书[0009]、[0039]、[0088]、[0090]记载，金属层160a连接相邻发光器件的导电支撑基板160侧面。该金属层160a是在通过激光划片（laser dicing）分割导电支撑基板160时，由熔融金属再次固化形成，或者是在划片时保留的预定部分。其组成可包含导电支撑基板160、结合层170、发光结构或钝化层的预定部分材料。

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### 二、 对比文件技术特征比对表格及详细出处

各对比文件的公开号及指代如下：

* **D1**：US6812500B2（公开日：2004-11-02）

* **D2**：JP2005012188A（公开日：2005-01-13）

* **D3**：JP2005252293A（公开日：2005-09-15）

下表详细说明各对比文件对权利要求1技术特征（A~M）的公开情况及原文详细出处：

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### 三、 最接近对比文件的选择与技术问题/效果分析

在评价权利要求1的创造性时，选择最接近对比文件的标准在于技术领域、所解决的技术问题、技术效果以及公开的技术特征数量。

#### 1. 最接近对比文件的选择：**D2 (JP2005012188A)**

* **理由**：

* **技术领域**：D2 与目标专利均属于垂直结构/薄膜半导体发光器件阵列及其转移制造工艺领域。

* **特征覆盖度**：D2 公开了权利要求1的大部分核心架构特征，包括：第一支撑构件（粘性胶带シート11，特征A）、结合层（下地膜6，特征B/C）、第二支撑金属支撑层（厚Au电镀层7，特征D/E）、发光结构及其PN结有源层（特征F~J）、第一电极（n型电极9，特征K/L），以及在芯片切分前相邻芯片之间通过连续金属层连接的结构状态（特征M）。

* **解决的技术问题与效果**：D2 旨在解决剥离母材基板（如剥离蓝宝石基板）后薄膜半导体易碎裂、难以进行芯片阵列支撑与切割转移的问题（D2 [002]段）。其通过金属电镀层支撑并在切分前用胶带固定，实现了阵列化平稳过渡，这与目标专利[0005]“平滑地并且有效地执行发光器件的贴片/引线键合工艺”的技术方向高度契合。

#### 2. D1 和 D3 不适合作为最接近对比文件

* **D1 (US6812500B2)** 与 **D3 (JP2005252293A)** 均为关于荧光粉转换白光LED/发光元件封装结构的专利，重点在于荧光物质及波长转换，并没有公开转移支撑构件（第一支撑构件）、阵列结合层以及相邻支撑件间连接的金属层结构（缺少特征A、B、C、E、M）。

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### 四、 未被最接近对比文件公开特征的分析与最薄弱特征认定

以 **D2** 作为最接近对比文件进行对比分析：

#### 1. 区别特征分析

D2 已经实质公开了特征 A~L，且在制造过程的特定中间态（如图1(g)所示）公开了相邻芯片共享连续金属电镀层（Auメッキ 7）的状态。但目标专利权利要求1中的特征 M 强调：

> **特征M**：“其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。”

结合目标专利说明书[0009]、[0039]、[0088]可知，目标专利的特征M是指：**在第二支撑构件（导电基板160）被切割/划片分离为独立单元后，在相邻的独立第二支撑构件之间，还额外存在一层由激光划片熔融再固化（或划片残余）形成的金属层（金属层160a）将两者侧面相连**。

而 D2 中在湿法蚀刻（图1(h)）之后，金属层被完全蚀刻切断，形成了完全独立的芯片，没有在已分离的第二支撑构件侧面形成“再固化/残余熔融金属层”连接。

#### 2. 无效请求中最薄弱的技术特征：**特征 M**

* **薄弱性分析**：

1. **字面含义宽泛**：权利要求1中特征M仅表述为“第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”。从字面解释，D2 在图1(c)至图1(g)阶段中，相邻器件的第二支撑构件（Au电镀层）本身就是通过连续的金属层连成一体的（D2 [002]段明确写明“完全に繋がったＡｕメッキ”）。如果专利权人未在独立权利要求1中将“金属层”限定为“划片熔融再固化的金属层160a”，则特征M极易被解释为涵盖 D2 这种未切割前的连续金属层状态，从而导致权利要求1被 D2 直接破坏新颖性或创造性。

2. **显而易见性/常规技术手段**：即使结合说明书将特征M解释为“切割残余或激光熔融固化的金属残渣连接”，这种现象在半导体激光划片（Laser Dicing）或热切割工艺中属于**常见的工艺缺陷或必然伴生的物理现象**（即划片未完全切割干净或金属热熔再沉积）。在专利制造工艺中，利用热切割残留维持微弱连接以防散落属于本领域的惯用技术手段，难以具备突出的实质性特点和显著的进步。

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### 五、 进一步对比文件检索策略

为了确保能够成功无效权利要求1（特别是针对特征M及从属权利要求），建议采取以下进一步检索策略：

#### 1. 检索要素组合 (Search Concepts & Key Terms)

* **主题 1：芯片阵列/转移支撑 (Array & Carrier Tape)**

* 关键词：发光二极管、阵列、支撑基板、切割胶带、蓝带、临时基板、LED array, carrier substrate, dicing tape, blue tape, temporary carrier.

* **主题 2：连体切割/划片残余金属/熔融连接 (Metal Bridge / Laser Dicing Residual / Connected Substrate)**

* 关键词：激光划片、熔融、再固化、金属连接、连桥、残余金属、划片槽、laser dicing, laser scribing, re-solidified, metal bridge, residue, thermal melting, connected side walls, partially cut.

* **IPC/CPC 分类号组合**：

* `H01L33/00`（半导体发光器件的制造工艺）

* `H01L33/62`、`H01L33/48`（封装及支撑结构）

* `H01L21/78`（将半导体衬底分割成单独器件的工艺，特别是激光切割/划片）

#### 2. 具体检索策略路线

1. **针对“激光划片产生熔融金属连桥/切口残留”的工艺对比文件检索**：

* 重点检索 2010 年之前关于“LED 导电基板（Cu/Au/CuW）激光划片（Laser Dicing/Scribing）”的专利及非专利文献（IEEE, SPIE 期刊）。寻找明确记载“激光切割金属基板时，边沿产生熔融再固化的金属（burr / re-solidified metal）导致芯片间存在微弱金属连接”的公知常识证据。

2. **针对“阵列连体芯片（Linked/Bridged LED Chips）”的结构专利检索**：

* 检索日韩及美欧半导体大厂（如 Cree, Lumileds, Osram, Nichia, LG Innotek, Samsung）在垂直结构 LED（Vertical LED）转移和晶圆级分割（Wafer-level Dicing）领域的专利。重点寻找在芯片切割过程中故意保留部分金属基板或通过金属桥（Metal Bridge）暂联多芯片阵列以方便贴片（Die Bonding）的技术方案。

3. **针对从属权利要求的补强检索**：

* 针对说明书中提到的结合层材质（Au/Sn/In）、基底胶带材质（PVC/PAT/PPT）、凹凸结构（roughness/patterned bonding layer）等特征，在 D2 的基础上进行组合对比文件（D2 + D_search）的拼凑检索，构建完整的创造性无效证据链。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将紧密结合目标专利（CN102263119B）说明书的教导，对权利要求1的技术特征及其与各对比文件（D1、D2、D3）的特征比对、创造性（最接近对比文件的选择、特征覆盖与薄弱特征分析）进行深度剖析，并给出下一步的检索策略。

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## 一、 权利要求1的剖析与说明书解读

结合目标专利说明书（CN102263119B）的文字描述及附图（图1-图12），对权利要求1的技术特征解释如下：

* **技术特征A（第一支撑构件）：** 指用于在制造/分离工序中承载器件阵列的临时或基础支撑物。说明书[0037]-[0038]记载其可为基底片（基底胶带230/220），通常包含环氧树脂与PVC、PAT、PPT混合物，具有粘性且耐激光划片热量。

* **技术特征B、C（至少两个结合层、布置在第一支撑构件上）：** 说明书[0037]、[0040]、[0074]记载，结合层170用于将各个独立的器件固定到基底胶带230上。结合层在基底片上是分隔开的（至少两个），且其宽度通常被构图为窄于发光结构（窄1~10μm），避免划片毛刺。

* **技术特征D、E（第二支撑构件、布置在结合层上）：** 说明书[0039]、[0043]记载，第二支撑构件为导电支撑基板160（如Mo、Si、Cu、W等或其合金），起物理支撑、导热及电极作用。

* **技术特征F、G、H、I、J（发光结构及其层叠关系）：** 位于第二支撑构件上的发光外延层，自下而上（或倒装结构中）包括第二导电类型半导体层140（如p-GaN）、有源层130（如MQW）、第一导电类型半导体层120（如n-GaN）。

* **技术特征K、L（第一电极、布置在发光结构上）：** 位于发光结构顶部的电极（如第一导电类型半导体层120上的n型电极190）。

* **技术特征M（关键发明特征：发光器件的第二支撑构件经由金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接）：**

* **说明书深度解读：** 说明书[0039]、[0088]、[0090]、图2及图12明确说明，在激光划片（dicing）分离导电支撑基板160的过程中，激光熔融的金属在凝固后形成了连接相邻导电支撑基板160侧面的**金属层160a**（或者在划片时故意保留一部分基板金属）。该金属层160a在阵列阶段起到了**固定和串联/并联相邻芯片**的作用（见说明书图2及[0039]“经由金属层160a并行地连接三个或者更多发光器件”）。

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## 二、 对比文件原文比对与公开性分析

**对比文件代号与公开号对应表：**

* **D1：** JP2005268642A (2005-09-29)

* **D2：** JP2005286342A (2005-10-13)

* **D3：** JP2005302804A (2005-10-27)

### 1. 各对比文件原文详细分析

#### **D1 (JP2005268642A)**

* **公开的技术内容：**

* 公开了一种具有金属永久基板的LED制造方法。

* 在临时基板（10）上生长外延层（12），形成第一电极层（14）、导电促进层（16），然后通过电镀或蒸镀形成金属永久基板（20）（对应第二支撑构件D）。移除临时基板（10），形成第二电极（22）（对应第一电极K）。

* 实施例2/3（图3J、图4L）：在分割阶段，沿着分割线（30）切断，形成多个独立LED。

* **关于特征M的分析：**

D1在分割后是完全切割形成独立的单体LED（图2G、3J、4L），其分割过程旨在将永久金属基板完全切断分割，**未公开**“相邻发光器件的第二支撑构件通过金属层保持相互连接”的阵列结构。

#### **D2 (JP2005286342A)**

* **公开的技术内容：**

* 公开了一种发光半导体器件（如白光LED封装、显示/照明装置）。

* 公开了半导体基体（1）、多层结构（7，包括GaN层、活性层等）、第一/第二电极端子（2, 3），以及荧光粉转换层。

* **关于特征M的分析：**

D2主要关注白光LED的光谱转换与封装结构，未涉及利用金属层连接相邻器件支撑构件的发光器件阵列制造与结构，**未公开**特征M以及支撑构件/结合层的阵列层叠关系。

#### **D3 (JP2005302804A)**

* **公开的技术内容：**

* 公开了面发光型LED及其制造方法，重点在于利用干法刻蚀去除基板研磨/划片产生的损伤层以提高光提取效率。

* 公开了GaN/SiC基板（102）、外延层（103-107）、正负电极（120, 140）。图1示出了被V字形分割沟槽分割的倒装LED结构。

* **关于特征M的分析：**

D3的V字沟（102b）是通过机械切割/激光形成的芯片分割线，最终分割为独立芯片（图1、说明书[2]“将半导体分割为独立的芯片”），**未公开**相邻器件支撑构件之间留有金属层将其连接的技术特征。

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### 2. 特征比对表格 (Feature Mapping Table)

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## 三、 最接近对比文件的选择与整体创造性分析

### 1. 最接近对比文件的确定：**D1 (JP2005268642A)**

* **整体解决的技术问题与技术效果比对：**

* **目标专利（CN102263119B）：** 旨在解决垂直结构发光器件在划片分离、转移及贴片引线键合过程中由于金属毛刺或无支撑导致的器件损坏、效率低下问题。通过在阵列阶段保留“金属层160a”连接相邻第二支撑构件（基板），实现阵列的整体平稳过渡与高效加工（说明书[0005]、[0090]）。

* **D1 (JP2005268642A)：** 同样专注于**垂直结构LED**的制作，解决高功率LED散热差及划片分离困难的问题。D1采用了类似的“临时基板-外延层-金属永久基板”的技术路线，且在实施例2/3中提出了预先切割外延层形成阵列，再附着金属永久基板进行分割的方法（段[2]）。

* **选择结论：** D1在**技术领域、支撑构件层叠架构（垂直金属基板LED）以及制造工艺路线**上与目标专利最为接近。因此，**D1最适合作为最接近的对比文件（主对比文件）**。

### 2. 区别技术特征及其他对比文件的公开情况

* **目标专利相对于D1的区别特征：**

* **区别特征1：** 特征M——发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接。

* **其他对比文件（D2、D3）是否公开了区别特征：**

* 经过对D2 (JP2005286342A) 和 D3 (JP2005302804A) 全文的检索与比对，**D2和D3均未公开该特征**。D2侧重白光转换封装，D3侧重物理损伤层刻蚀，两者在芯片切割阶段的目标均是将晶圆完全分割为独立的单体芯片（Die/Chip），没有在支撑构件侧边留存/再固化“连接相邻支撑构件的金属层”的教导或技术启示。

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## 四、 无效宣告请求中最薄弱的技术特征分析

如果在无效宣告程序中仅凭现有的 **D1、D2、D3** 组合发起诉讼，**权利要求1的稳定性较强，最薄弱点（即最易突破点）集中在特征M**：

### 1. 特征M的薄弱性与公知常识/技术惯用手段分析

* **实质内容审查：** 特征M要求“第二支撑构件经由金属层与相邻的第二支撑构件连接”。

* **攻击突破口：**

1. **工艺必然产物（非特意设计/余量保留）：** 在半导体划片（Laser Dicing / Scribing）工艺中，采用激光熔融切割金属基板时，熔化金属在切割缝边缘重新凝固形成微小连接（即划片未完全切断或热熔再固化连带现象）是本领域技术人员公知的常见工艺现象（有时甚至被视为防飞芯片的半切割/连条状态，即"Leadless Frame Strip"或"Expandable Tape Array"）。

2. **公知常识（半切割技术/连带阵列）：** 在LED阵列包装和贴片（Die Bonding）前，将器件维持在“晶圆连带/金属连带”状态属于自动化生产线中的常规技术手段。若能证明“在划片过程中控制激光功率实现金属支撑层的半切（Half-cut）或利用重熔金属维持连接”属于本领域的公知常识或惯用技术手段，则特征M的显而易见性极高。

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## 五、 进一步对比文件检索策略

为了彻底攻破权利要求1（尤其是特征M），必须进行补充检索。建议采取以下检索策略：

### 1. 核心检索要素表达（Search Elements）

* **主题1（LED阵列/垂直结构）：** LED Array, Vertical Light Emitting Diode, Metallic Substrate, Permanent Substrate, 垂直结构发光二极管, 金属基板.

* **主题2（激光划片/半切割/重熔连接）：** Laser Dicing, Laser Cut, Melted Metal, Re-solidified, Connection layer, Half-cutting, Semi-cut, Bridge, 金属层连接, 激光熔融再固化, 半切割, 阵列连条.

### 2. 检索式与分类号组合建议 (IPC/CPC Classification)

* **重点IPC/CPC分类号：**

* `H01L33/00`（半导体发光器件的制造方法/结构）

* `H01L33/62`（发光器件的电极/支撑结构）

* `H01L21/78`（将半导体衬底分割成独立器件的方法，特别是激光划片）

* `B23K26/38` / `B23K26/40`（激光切割半导体材料/金属材料）

* **逻辑检索式示例（以WIPO/EPO/CNIPA数据库为例）：**

1. `(H01L33/00 OR H01L21/78) AND (Laser Dicing OR Laser Cutting) AND (Metal Layer OR Substrate OR Base) AND (Connect* OR Bridge OR Link OR Remaining OR Re-solidifi*)`

2. `("发光器件阵列" OR "LED阵列") AND ("金属基板" OR "支撑构件") AND ("激光划片" OR "切割") AND ("连接" OR "再固化" OR "熔融" OR "半切割")`

### 3. 追踪方向与检索源推荐

* **专利同族与引用追踪：**

* 追踪目标专利 CN102263119B 的同族专利（如 US20110266567A1、KR1020110121996A 等）审查历史文件（Office Actions），查看同族在美、韩、欧局审查时考量的对比文件。

* 重点检索目标专利同族在 USPTO 审查期间引用的关于 **"Laser dicing of metallic submounts"** 或 **"Connected metal submounts"** 的引证文献。

* **非专利文献（NPL）检索：**

* 检索 IEEE、SPIE 或 *Journal of Applied Physics* 中关于“LED 激光划片（Laser Dicing of GaN LED on Cu/Mo Substrate）”的研究论文。此类论文常包含激光切割金属基板时形成的边缘熔融金属连接（Micro-bridge / Molten splash）的截面 SEM 照片与工艺描述，可直接作为公知常识证据。

<ElicitationsGroup message="针对本案的后续无效准备，建议采取以下深度行动：">

<Elicitation label="基于D1与公知常识组合撰写权利要求1的创造性无效意见书" query="请结合对比文件D1 (JP2005268642A) 和划片公知常识，撰写一份针对目标专利CN102263119B权利要求1的详细无效宣告理由书草案。"/>

<Elicitation label="制定针对特征M（熔融金属连接层）的补充检索扩展方案" query="请针对特征M（划片熔融金属连接层）制定包含详细分类号、关键词表达及非专利文献（NPL）数据库的具体补充检索方案。"/>

</ElicitationsGroup>

针对目标专利（CN102263119B）权利要求1的技术特征，结合目标专利说明书的解释以及对比文件（D1: JP2005347492A，D2: JP3773541B2，D3: JP2006166443A）的原文出处进行深度代理人级别的创造性和无效可行性分析如下：

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### 一、 基于目标专利说明书对权利要求1的理解与解释

1. **“发光器件阵列”与“发光器件”**

* **说明书依据**：说明书[0037]-[0040]及图1、图2表明，阵列由多个独立/半独立的发光器件（LED芯片）组合而成。每个发光器件包含自己的发光结构、第二支撑构件（导电支撑基板160）和结合层170。

2. **第一支撑构件（特征A）与第二支撑构件（特征D）**

* **说明书依据**：说明书[0037]-[0038]记载，第一支撑构件为“基底片230”（蓝膜/粘附带/Carrier tape）；说明书[0039]记载，第二支撑构件为“导电支撑基板160”（如Mo, Si, Cu等，用于支撑单个芯片并起导电/散热作用）。第一支撑构件是阵列级别的承载底片，第二支撑构件是单个器件级别的支撑衬底。

3. **至少两个结合层（特征B、C）与第二支撑构件的关系（特征E）**

* **说明书依据**：说明书[0037]和[0040]记载，结合层170布置在基底片230（第一支撑构件）上，用于将每个芯片的导电支撑基板160（第二支撑构件）固定到基底片230上。因此，阵列中有多个结合层170分别对应布置在第一支撑构件上，每个第二支撑构件布置在其对应的结合层上。

4. **金属层与相邻第二支撑构件的连接（特征M）**

* **说明书依据**：说明书[0039]、[0088]及[0090]记载：“发光器件的第二支撑构件经由金属层160a与另一发光器件的第二支撑构件连接并且金属层固定第二支撑构件的侧面……在激光划片之后的预定量的熔融金属被再次固化，以形成能够将分离的导电支撑基板相互连接的金属层160a”。

* **技术实质**：在阵列制造过程中，通过激光划片/分割导电基板时，受热熔融并再固化的金属（或预留的基板部分金属）留在相邻芯片的第二支撑构件侧面边沿，使得在阵列形态下，相邻芯片的第二支撑构件之间仍通过该金属层160a保持物理连接或桥接。

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### 二、 对比文件特征比对及出处分析

#### 1. 对比文件基本信息

* **D1**：JP2005347492A（公开号：JP2005347492A），公开日：2005-12-15，《Semiconductor light emitting element》

* **D2**：JP3773541B2（授权公告号：JP3773541B2），公告日：2006-05-10，《Semiconductor light emitting device having a luminescence conversion element》

* **D3**：JP2006166443A（公开号：JP2006166443A），公开日：2006-06-22，《Large-area transducer array》

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#### 2. 各对比文件公开技术特征的详细出处及分析

##### **D1（JP2005347492A）**

* **毫无异议公开（直接公开）的特征**：

* **特征F、H、I、J**：公开了发光功能主半导体区域2，包含n型半导体层9（第一导电类型）、p型半导体层11（第二导电类型）以及活性层10（有源层）[*原文出处：说明书[2]“主半導体領域は周知のようにｎ型クラッド層と呼ばれているｎ型半導体層と活性層とｐ型クラッド層と呼ばれているｐ型半導体層とから成る”*]。

* **特征K、L**：公开了第一电极3布置在主半导体区域2（发光结构）的上面[*原文出处：说明书[2]“第１の電極３...主半導体領域２の一方の主面１３の中央部分に配置され”*]。

* **特征D、G**：公开了半导体基板1（第二支撑构件），主半导体区域2布置在半导体基板1上[*原文出处：说明书[2]“半導体基板１と、この半導体基板の上に配置された発光機能を有する主半導体領域２”*]。

* **未公开特征**：

* **特征A、B、C、E、M**：D1仅针对“单个”半导体发光素子（芯片）的结构进行改进（重点在基板背面的凹凸结构与电极），未公开由第一支撑构件（如膜/片材）、多个结合层组成的阵列结构，更未公开相邻第二支撑构件通过金属层连接（特征M）。

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##### **D2（JP3773541B2）**

* **毫无异议公开（直接公开）的特征**：

* **特征F、H、I、J**：公开了多层半导体结构7，包含n型层与p型层及发光活性区[*原文出处：说明书及图9 “ｎ導電形...ｐ導電形...多層構造７”*]。

* **特征K、L**：公开了前面电极/接点12布置在发光多层结构上[*原文出处：图1“前面コンタクト１２”，图9“コンタクト金属化部２７”*]。

* **特征D、G**：公开了基底/衬底（Substrate 18或导电连接端子），发光多层结构在其上[*原文出处：图1、图9“サブストレート１８”*]。

* **未公开特征**：

* **特征A、B、C、E、M**：D2主要涉及利用荧光粉/波长转换元件实现发光器件（单体或封装）的混光/白光技术，未涉及阵列制造中的第一支撑构件、结合层阵列及金属层连接结构。

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##### **D3（JP2006166443A）**

* **实质公开/等同公开的特征**：

* **特征A、B、C、D、E、F、G**：公开了一种大面积换能器阵列（Transducer array，广义包含光传感器/发光及电磁辐射器件）。公开了基材12（基底/第一支撑构件[*原文出处：说明书[2]“基材１２...前面１４及背面１６”*]）；基材上配设多个换能器素子18（发光/感光结构[*原文出处：说明书[2]“フォトダイオード...電磁放射線センサ”*]）；换能器阵列通过介在层30、焊料凸块/导电胶（结合层）结合在基材上[*原文出处：说明书[2]“はんだバンプ３２...異方性又は等方性の導電性接着剤...はんだのような金属”*]。

* **未公开特征**：

* **特征M**：D3公开的是通过切割拼贴（Tile）或阵列化的独立换能器单元，其芯片基板间是通过间隙（Gap）绝缘分离或填充声学阻尼材料，未公开“第二支撑构件之间通过金属层连接”。

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### 三、 特征比对表格（针对权利要求1）

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### 四、 最接近的对比文件分析及创造性评估

#### 1. 最接近对比文件的选择与技术问题/效果分析

##### **候选1：D1（JP2005347492A）**

* **整体技术领域与问题**：D1属于半导体发光器件（LED）领域，解决的是半导体发光芯片提高光提取效率、降低正向电压、增强芯片与底座结合强度的问题。

* **与本专利的重合度**：公开了发光器件最核心的“第二支撑构件（基板）+ PN结/有源层发光结构 + 上电极”的芯片微观层级特征（特征D、F、G、H、I、J、K、L）。

* **评价**：若从发光芯片的结构细节和半导体层构造来看，**D1非常适合作为最接近的对比文件（第一候选）**。

##### **候选2：D3（JP2006166443A）**

* **整体技术领域与问题**：D3属于大面积换能器/光电器件阵列结构及制造领域，解决的是大面积阵列模块的拼装、支撑及电气连接问题。

* **与本专利的重合度**：公开了“第一支撑构件（基材）+ 多个结合层（焊料/胶）+ 多个第二支撑构件（芯片衬底）+ 阵列发光/感光器件”的宏观阵列结构（特征A、B、C、D、E、F、G）。

* **评价**：若从“发光器件阵列”这一整体宏观拓扑结构来看，**D3同样非常适合作为最接近的对比文件（第二候选）**。

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#### 2. 区别技术特征与无效最薄弱环节（关键突破口）

无论是选择 **D1** 还是 **D3** 作为最接近的对比文件：

1. **未被对比文件公开的特征**：

* **特征M**：发光器件的第二支撑构件经由**金属层**与相邻发光器件的第二支撑构件**连接**。

2. **最薄弱的技术特征（专利权人的“防线”与无效攻防焦点）**：

* **特征M（第二支撑构件间的金属层连接）是本专利最薄弱、但也最关键的技术特征。**

* **代理人视角分析（为什么特征M最薄弱）**：

* **说明书真实含义暴露**：根据本专利说明书[0039]和[0088]-[0091]的解释，这个所谓的“金属层160a”**根本不是专门设计用于电学或机械功能的活性构件**，而是“*在激光划片分割导电基板（第二支撑构件）时，熔融并再固化的残留金属*”或“*激光划片时未完全切断而保留的预定部分*”。

* **技术效果质疑**：在最终剥离/封装阶段（说明书[0057]、[0091]、[0099]），这个金属层160a**必须被移除或断开**才能使发光器件成为独立的芯片。也就是说，特征M在阵列形态下只是**制造过程中的中间残留状态（工艺副产物）**，其所谓的“固定侧面”效果在逻辑上存在瑕疵（半切割/未完全切割状态）。

* **公知常识/现有技术惯用手段**：在LED晶圆切割/划片（Dicing/Scribing）工艺中，采用激光半切割（Half-dicing）或控制划片深度，使底部/侧边留有未熔切透的金属层以保持蓝膜上的芯片阵列不散落，属于本领域的**公知常识或习惯性工艺状态**。

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### 五、 进一步的对比文件检索策略（用于彻底无效权利要求1）

为了针对最薄弱特征（特征M）补充对比文件，实现权利要求1的完全无效，建议采取以下补充检索策略：

1. **检索方向与主题分类号（IPC/CPC）**

* **重点分类号**：

* `H01L 33/00`（半导体发光器件的制造工艺，特别是切割/分离/阵列制造）

* `H01L 21/78`（半导体器件沿划片线分离/切割制造）

* `H01L 33/48` / `H01L 25/075`（发光器件阵列及其封装）

2. **关键词组合策略**

* **核心逻辑**：`(LED OR "light emitting") AND (array OR matrix) AND (laser scribing OR dicing OR cutting) AND (residual metal OR bridging OR melt OR connect OR non-separated)`

* **中文关键词**：`(发光二极管 OR LED OR 发光器件) AND (阵列) AND (划片 OR 激光切割 OR 分离) AND (金属层 OR 熔融 OR 连接 OR 留隙 OR 未切透)`

* **日文/韩文文献拓展**（目标专利申请人常有日韩同族或背景）：`(半導体発光素子 OR LED) AND (レーザスクライブ OR ダイシング) AND (金属層 OR 連結 OR 残留)`

3. **检索文献类型重点**：

* 重点检索 **LED 晶圆级切割工艺（Laser Lift-off & Laser Dicing）** 领域的专利和公知常识教科书/手册（如《LED制造技术与工艺》中关于半切割 Half-dicing 保持阵列稳定的章节）。

4. **无效组合路径规划**：

* **路径一（以D3为主对比文件）**：D3（公开阵列+结合层+支撑构件） + D1（补充发光结构PN结层级特征） + **新检索对比文件D4（公开激光切割LED晶圆时侧面留有熔融金属连接层/未完全切断金属层）** $\rightarrow$ 权利要求1不具备创造性（三步法）。

* **路径二（公知常识直接击穿）**：D3 + D1 + **本领域公知常识（说明书证明金属层160a仅为划片工艺必然产生的残留熔融金属，属于半切割工艺的常规技术选择）** $\rightarrow$ 权利要求1不具备创造性。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利**CN102263119B**的权利要求1，结合其说明书及给出的三份对比文件（D1：US7078732B、D2：WO2006104935A2、D3：US20060226434A1）进行深入的法律与技术分析。

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## 一、 目标专利说明书对权利要求1的术语及特征解释

在专利无效或侵权诉讼中，权利要求中的技术术语必须**结合说明书及附图**进行界定与原意还原：

1. **“第一支撑构件”（特征A）**：

* **说明书释义**：对应说明书中的基底片（base sheet）230或220（[0037]、[0089]）。其作为阵列的临时/底座支撑膜，通常为具有热稳定性的UV带（蓝膜）或硅处理带，材料包含PVC、PAT、PPT及环氧树脂（[0020]、[0038]）。

2. **“结合层”（特征B、C）与“第二支撑构件”（特征D、E）**：

* **说明书释义**：第二支撑构件对应导电支撑基板160（如Mo、Si、W、Cu、Al等，[0016]、[0042]）。结合层170布置在第一支撑构件230与第二支撑构件160之间，用于将芯片精细固定在基底片上（[0037]、[0058]）。结合层宽度通常构图为比发光结构窄（1～10微米），且表面可具有微凹凸结构（[0007]、[0008]、[0040]）。

3. **“第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”（特征M，核心争议特征）**：

* **说明书释义**：参照说明书[0009]、[0039]、[0088]及图2，该金属层对应160a。在激光划片分离器件（划片/断裂工艺）时，**预定量的熔融金属经再固化**，或者在划片工艺中**保留导电支撑基板的预定部分**，从而形成将相邻导电支撑基板160的侧面相互固定/连接的金属层160a。

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## 二、 对比文件技术特征公开情况分析

### 1. D1（US7078732B）

* **公开号**：US7078732B / US07078732B1

* **技术方案**：公开了一种具有发光转换元件的半导体组件（单芯片/封装器件结构）。

* **特征对应与原文出处**：

* **公开了特征 F、H、I、J、K、L**：公开了半导体发光结构，包含第一导电型半导体层20/22、有源区、第二导电型半导体层23/24及第一电极27/28（参见第10栏第8-28行，图9）。

* **未公开特征 A、B、C、D、E、M**：D1侧重于单芯片封装与荧光粉转换，未公开阵列结构中的第一支撑构件（基底带）、分离的结合层以及相邻芯片第二支撑构件之间通过金属层连接的阵列制造中间态。

### 2. D2（WO2006104935A2）

* **公开号**：WO2006104935A2

* **技术方案**：公开了发光二极管阵列及其制造方法（利用激光刻蚀/剥离及金属层分割阵列）。

* **特征对应与原文出处**：

* **公开了特征 F、H、I、J、K、L**：公开了包含第一掺杂半导体层12（n型）、有源区14、第二掺杂半导体层16（p型）的发光结构，以及第一电极18和第二电极20（参见[0044]-[0052]，图1A-1D）。

* **公开了特征 A、D、E**：公开了生长衬底402或转移衬底502（相当于第一支撑构件/临时支撑，参见[0084]、[0102]，图8、图19B）；各个阵列管芯具有支撑结构（第二支撑构件）。

* **实质公开/教导了特征 M**：在阵列制造过程中，沉淀金属层468覆盖管芯与沟槽，在激光刻蚀后，残余/未完全切断的金属层472在底部/侧部将相邻管芯的电极/支撑部分相连（参见[0097]-[0100]，图16A-18B）。

* **未公开/未明确对应特征 B、C**：D2未明确说明在阵列管芯与临时支撑基板之间专门布置“至少两个微型化构图结合层”。

### 3. D3（US20060226434A1）

* **公开号**：US20060226434A1 / US20060226434A1

* **技术方案**：公开了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法（涉及图案化导电衬底、多层金属键合层与生长衬底剥离）。

* **特征对应与原文出处**：

* **公开了特征 F、H、I、J、K、L**：公开了多层半导体层19，包含n型层12、发光层13、p型层14，以及电极8、6（参见[0042]-[0048]，图1、图6）。

* **公开了特征 A、B、C、D、E**：公开了生长/基础衬底10（相当于第一支撑构件/临时支撑），图案化导电衬底1（相当于第二支撑构件，凸起阵列20a），以及位于其间的多层金属结合层（包含欧姆层、阻挡层、反射层及键合金属层21/33/49，参见[0023]、[0029]-[0030]、[0042]-[0046]，图2-4）。每个凸起表面对应独立的结合层和支撑衬底。

* **未公开特征 M**：D3的导电衬底1在图案化切割后，各个芯片独立在凹槽处分开，未公开或教导“相邻器件的第二支撑构件通过金属层（如熔融再固化金属）连接”。

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## 三、 权利要求1技术特征比对表格

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## 四、 创造性分析：最接近对比文件的选择与组合

### 1. 整体技术问题与技术效果分析

* **目标专利解决的问题与效果**：目标专利旨在解决垂直结构LED阵列在划片分离、转移及贴片/引线键合过程中，芯片易产生毛刺、脱落或排列错位的问题。通过“第一支撑构件（基底带）+ 构图结合层 + 划片时熔融再固化的连接金属层（特征M）”，实现芯片平稳固定、易于切割与后续单颗/多颗封装贴片（说明书[0005]、[0094]）。

### 2. 最接近对比文件的选择

在创造性无效审查中，**D2（WO2006104935A2）** 和 **D3（US20060226434A1）** 均适合作为最接近的对比文件（最接近对比文件可以有多个）：

* **选 D3 为最接近对比文件**：

* **理由**：D3在结构层叠关系上与目标专利极为高度吻合。D3公开了在临时/生长衬底（第一支撑构件）上，通过图案化的多层金属结合层（键合层）连接图案化导电衬底（第二支撑构件），并在其上布置发光结构和电极。

* **区别特征**：目标专利权利要求1相对于D3的区别特征在于**特征M**（第二支撑构件之间通过金属层与相邻第二支撑构件连接）。

* **结合分析**：D2已公开在阵列划片/激光刻蚀过程中，利用未完全切断的金属层（468/472）连接相邻芯片/支撑边缘的结构。本领域技术人员在D3的基础上，结合D2关于阵列激光切割中保留金属连接层的教导，完全有动机将D2的金属连接方式应用于D3，从而得出权利要求1的技术方案，不具备创造性。

* **选 D2 为最接近对比文件**：

* **理由**：D2属于LED阵列制造与切割工艺领域，其核心技术方案即为通过阵列划片与金属层连接/分割来实现阵列器件的制造，解决了阵列制造中的切割与连接问题。

* **区别特征**：目标专利权利要求1相对于D2的区别特征在于**特征B、C**（具体的至少两个结合层布置）。

* **结合分析**：D3已经明确教导了在阵列衬底转移与键合过程中，采用图案化的阵列键合金属层（结合层）来实现芯片的精细结合。将D3的图案化结合层技术应用于D2，对本领域技术人员而言是显而易见的。

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## 五、 无效请求中最薄弱的技术特征分析

若对目标专利提出无效宣告请求，**最薄弱的技术特征是特征 M**（“其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”）。

### 薄弱性原因分析：

1. **法定说明书支撑与权利要求明确性问题（第26条第3/4款）**：

* 目标专利说明书[0088]明确指出，该连接金属层160a本质上是**激光划片切割过程中的“副产物”**（即激光划片熔融金属再固化形成的临时连接，或者是划片时故意保留的残留部分），其在最终封装成独立器件时**必须被移除**（说明书[0091]、[0102]）。

* 权利要求1将其作为一项**结构特征**写入了最终的“发光器件阵列”中，导致权利要求范围边界模糊：其究竟是一个永久性电路连接结构，还是一个制造过程中的中间过渡状态？如果解释为中间状态，则该特征属于公知加工残余；如果解释为永久结构，则说明书对其如何实现稳定电学/机械连接缺乏足够支持。

2. **创造性角度（第22条第3款）**：

* 在LED阵列划片（Laser Scribing / Dicing）技术中，激光热效应熔融边缘金属或在划片槽底部留有连接金属搭桥是本领域的常规现象/公知常识（如D2图18A、图19A中所示的连接金属段472）。因此，特征M被现有技术（如D2）公开或属于技术人员根据加工工艺必然产生的公知常识。

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## 六、 进一步的对比文件检索策略

为了彻底击穿特征M及“第一支撑构件+结合层+连接金属层”的组合，建议采取以下进一步检索策略：

### 1. 重点检索方向

* **方向一**：针对“激光划片/切割LED阵列时，金属层熔融再固化/残余金属连结相邻芯片基底”的加工工艺及中间阵列结构专利。

* **方向二**：针对“蓝膜/粘性带（Tape/Sheet）上贴附阵列芯片，且芯片金属基底/电极侧面在切割后仍有金属桥连”的制造中间态专利。

### 2. IPC/CPC 分类号组合

* **H01L 33/00**（发光器件的制造或处理）

* **H01L 33/48 - H01L 33/64**（发光器件的细部/封装/支撑构件）

* **H01L 21/78**（在同一衬底上制造多个组件器件的切割/分离）

* **H01L 21/683**（半导体器件制造中的支撑/胶带/临时固定装置）

### 3. 关键词及检索表达式逻辑

* **中文关键词**：`(发光二极管 OR LED OR 半导体) AND (阵列 OR 晶圆) AND (支撑 OR 基板 OR 蓝膜 OR 胶带) AND (划片 OR 割 OR 激光 OR 熔融 OR 再固化 OR 残留) AND (金属层 OR 连接 OR 桥连)`

* **英文关键词**：`(LED OR "light emitting diode") AND (array OR wafer) AND (substrate OR "carrier sheet" OR "blue tape" OR "adhesive tape") AND (dicing OR scribing OR "laser ablation" OR re-solidif* OR melt*) AND (metal* NEAR/5 connect* OR bridge OR residu*)`

### 4. 重点专利权人/申请人追踪

* **晶元光电（Epistar）**、**日亚化学（Nichia）**、**首尔半导体（Seoul Semiconductor）**、**CREE**、**丰田合成（Toyoda Gosei）** 等在2005-2010年间关于垂直结构LED（Vertical LED）及晶圆级切割/蓝膜扩晶工艺的专利族。

作为经验丰富的专利代理师，我将针对目标专利（**CN102263119B**）的权利要求1，紧密结合其说明书及三份对比文件（D1: **US20060231944A1**、D2: **US07126162B2**、D3: **JP2006319311A**）的原文，为您进行深入的专利权有效性/创造性与侵权对比分析。

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## 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书解释

根据目标专利说明书【0037】~【0040】、【0087】~【0093】及图1-图12，权利要求1各特征的精准解释如下：

* **特征A（第一支撑构件）：** 指用于在制作或分离过程中暂存/支撑发光器件阵列的底座，如说明书[0037]所述的基底片（Base sheet 230）。

* **特征B、C（至少两个结合层，布置在第一支撑构件上）：** 指位于基底片上用于固定各个独立发光器件的粘结介质（结合层170），其宽度优选比发光结构窄（[0040]）。

* **特征D、E（第二支撑构件，布置在结合层上）：** 指发光器件自身的导电支撑基板（160），如由Mo、Si、W、Cu、Al等构成的基底（[0039]）。

* **特征F~J（发光结构及其包含的第一导电层、第二导电层及有源层）：** 布置在导电支撑基板上的半导体发光叠层（包含n型层120、p型层140及MQW有源层130）。

* **特征K、L（第一电极，布置在发光结构上）：** 布置在发光结构上表面（如n型层上）的电极焊盘（第一电极190）。

* **特征M（其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接）：**

* **说明书界定：** 参考说明书[0039]、[0088]及[0090]：“发光器件的第二支撑构件经由金属层160a与另一发光器件的第二支撑构件连接并且金属层固定第二支撑构件的侧面...通过激光可以熔融稍后将会描述的金属层160a并且然后再次固化。”

* **核心实质：** 该金属层160a是在通过激光划片（Laser dicing）切割分片时，**由切割熔融并重新固化的金属/合金（或划片时保留的未完全切断的导电基板边缘部分）形成的、连接相邻芯片侧边的金属连接部**（图2及图12中的160a）。

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## 二、 详细技术特征比对表格

下面将权利要求1的技术特征与三份对比文件原文进行逐一比对：

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## 三、 对比文件原文详细出处与公开性分析

### 1. D1: US20060231944A1 (发明申请)

* **出处与对比：**

* **特征A：** 段落[0036]公开了“A chip carrier such as a substrate 11 is provided”，对应第一支撑构件。

* **特征D、E：** 段落[0039]-[0040]公开了“heat sink 3... mounted on the upper surface of the chip”，作为散热支撑构件。

* **特征K、L：** 段落[0037]公开了“bonding wires 17”及芯片电极。

* **分析结论：** D1主要针对**传统集成电路芯片封装**中的散热片（Heat sink）溢胶与压碎芯片问题。D1**未公开**半导体发光结构（特征F-J，其仅为普通IC芯片），也**未公开**“结合层布置在第一支撑构件上”及“经由激光熔融重固态形成的侧边金属层连接相邻支撑构件”（特征M）。

### 2. D2: US07126162B2 (发明授权)

* **出处与对比：**

* **特征F~J：** 段落[0081]-[0082]及图9详细公开了“layer sequence 7 made of an AlN or GaN layer 19, an n-conducting GaN layer 20, an n-conducting GaxIn1-xN layer 21... p-conducting GaN layer 24”，即包含第一导电层、第二导电层及有源层的GaN发光结构。

* **特征K、L：** 段落[0081]公开了“front-side contact 12”，即第一电极。

* **分析结论：** D2核心在于**荧光粉转换（YAG:Ce）实现白光LED**的技术，属于单颗封装或荧光转换结构。D2完全**未涉及阵列支撑构件、结合层以及侧面连接金属层**（特征A, B, C, D, E, M）。

### 3. D3: JP2006319311A (发明专利)

* **出处与对比：**

* **特征D、E：** 段落[0002]及图6公开了“正电極107が裏面に形成されている導電性基板100/1... 凸状のパターン面20a”，作为导电支撑基板。

* **特征F~J：** 段落[0002]公开了“p型層103(14)、活性層104(13)、n型層105(12)”，即发光结构。

* **特征K、L：** 段落[0002]及图6公开了“半導体側パッド電極8”（第一电极）。

* **分析结论：** D3公开了通过激光剥离（Laser Lift-Off, LLO）和共晶焊接将发光叠层转移到凸起图案化的导电硅基板（1）上。然而，D3在激光切割分片时（段落[0002]图5-图6），是通过在硅基板背面沿图案沟槽（20b）划线划断，实现芯片完全分离，**并未公开/教导“第二支撑构件（1）侧面通过熔融再固化的金属层（160a）与相邻第二支撑构件相连”**（特征M）。

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## 四、 创造性分析：最接近对比文件的选择与技术效果评估

在专利无效宣告程序中，综合**整体解决的技术问题**与**技术效果**：

### 1. 最接近对比文件的选择：D3 (JP2006319311A)

* **理由：**

1. **技术领域极其相同：** D3与目标专利均属于**垂直结构GaN基氮化物发光器件阵列及其剥离转移制造工艺**领域。

2. **技术问题高度一致：** 两者均致力于解决剥离转移过程中“发光层与导电基板结合力差、易脱落、划片切割易产生毛刺造成漏电”的问题。

3. **技术特征重合度最高：** D3已经公开了特征 D, E, F, G, H, I, J, K, L（即带导电支撑基板的垂直发光器件结构及共晶焊接层）。

* *(备选最接近对比文件)*：若从封装及阵列转移角度，**D1**亦可作为备选最接近对比文件，但由于D1非发光器件领域（缺少发光层叠结构），其相较于D3说服力略逊。

### 2. 区别技术特征与未被公开的技术特征

以 **D3** 为最接近对比文件，本专利权利要求1的区别技术特征在于：

1. **特征A、B、C（第一支撑构件及在其上的至少两个结合层）：** D3是在包含凸起的整体硅基板上操作，而本专利引入了基底片（230）及独立构图的结合层（170）。

2. **特征M（发光器件的第二支撑构件经由金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接）：** D3切割后芯片完全分离，无侧面熔融再固化的金属连接层。

### 3. 未被其他对比文件公开的特征（最薄弱特征分析）

通过对D1、D2、D3的交叉比对：

* **特征M（通过熔融/重新固化的金属层160a连接相邻支撑构件侧边）：** **没有任何一份对比文件公开或给出过技术启示。**

* **薄弱点/突破口分析：**

* 权利要求1中的**特征M是整个权利要求1中最薄弱、但也同时是防守最坚固的特征**。

* **对无效请求人而言：** 特征M在字面上构成了极高的检索障碍，因为传统划片工艺（Dicing）的目标均是“彻底分离芯片”，而目标专利将划片产生的“激光熔融重固化金属”（或保留的边缘金属）定义为一种结构特征（连接相邻第二支撑构件）。

* **法律/技术攻击路径（突破策略）：**

1. **说明书公开充分性/充分支持攻击（专利法第26条第3/4款）：** 目标专利说明书[0039]与[0088]指出，该金属层160a是激光划片过程中“预定量的熔融金属被再次固化”形成的过渡状态，或者“保留导电支撑基板的预定部分”。在实际半导体制造中，这种“熔融再固化的金属层”极不稳定且属于**切割缺陷或未切透的粘连状态**，说明书中未明确记载如何稳定控制该金属层厚度与连接强度，且该连接层在封装前最终仍需被“移除”（说明书[0093]）。可据此主张权利要求1缺少必要技术特征，或说明书公开不充分、权利要求得不到说明书支持。

2. **公知常识/技术演进公知性认定：** 在晶圆划片（Laser Dicing/Scribing）领域，激光熔融金属在切缝侧壁堆积固化（Re-deposited metal/Splatter）属于本领域的**公知自然现象（工艺副产物）**，将工艺必然产生的熔融重固态金属边缘认定为具有“连接功能”的结构特征，属于本领域技术人员显而易见的技术选择，不具备创造性。

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## 五、 进一步的对比文件检索策略（针对特征M）

为了彻底攻破权利要求1（尤其是特征M），建议在下一步的无效检索中调整策略，重点针对**“激光划片/隐形划片（Laser Dicing/Stealth Dicing）中的金属熔融重固化/残留连接”**以及**“晶圆级转移用带（Carrier Tape/Dicing Tape）上的阵列芯片”**进行精准检索：

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│ 针对特征M的下一步检索策略 │

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【策略一：工艺特征转结构特征】 【策略二：晶圆划片/激光切割专利】 【策略三：扩展IPC分类号与关键词】

优先检索Laser Dicing/Scribing过程 检索LED/芯片切割时产生熔融层 结合转移胶带（Carrier/UV Tape）

中产生“Metal Re-deposition”、 （Molten layer/Residue）、连接 与阵列结合层（Patterned Adhesive）

“Bridging”或“Re-solidified metal”。 桥（Metal bridge）的文献。 拓展至Micro-LED转移领域文献。

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### 详细检索要素与表达组合：

1. **分类号组合（IPC/CPC）：**

* `H01L33/00`（发光器件制造制造方法）

* `H01L21/78`（半导体器件切断/划片）

* `B23K26/38` 或 `B23K26/40`（激光切割/处理半导体）

2. **核心关键词组合（英文/中文）：**

* **逻辑组1（发光/支撑/转移）：** `(LED OR "light emitting") AND ("carrier" OR "tape" OR "temporary substrate" OR "base sheet")`

* **逻辑组2（切割/熔融/侧边连接 - 突破特征M）：** `("laser dicing" OR "laser scribing" OR "laser cutting") AND ("molten" OR "re-solidified" OR "re-deposited" OR "remnant" OR "bridge" OR "connecting layer") AND ("side" OR "adjacent" OR "edge")`

* **中文逻辑：** `(发光二极管 OR LED) 和 (激光划片 OR 激光切割) 和 (熔融 OR 熔融再固化 OR 残留金属 OR 侧面连接 OR 金属桥)`

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## 六、 总结与建议

1. **现有对比文件评估：** D3（JP2006319311A）最适合作为**最接近的对比文件**，其公开了除阵列粘结胶带（A-C）及激光切割侧边熔融金属连接（M）之外的绝大部分垂直结构LED核心特征。

2. **无效宣告核心突破点：** 权利要求1的防守核心在于**特征M**。建议**双管齐下**：

* **法律法规攻击：** 依据《专利法》第26条第3/4款，主张“侧边熔融重固化金属层160a”属于无法稳定实施的工艺缺陷形态，说明书公开不充分且缺乏明确的实施方式。

* **补充检索：** 依据上述策略五，重点补充检索关于**“激光划片造成金属熔融再固化/侧面连接桥”**的底层工艺专利，将特征M认定为激光切割过程中的公知现象或显而易见的技术特征，从而一举无效掉权利要求1。

### 一、 目标专利说明书对权利要求1的解构与技术特征解释

结合目标专利（CN102263119B）的说明书及附图，权利要求1所限定的技术方案包含以下技术特征，其在说明书中的具体含义和物理实体如下：

1. **技术特征A：第一支撑构件**

* **说明书结合解释**：对应于说明书中的“基底片230”（或220），其可以具有UV带形状或硅处理的带形状，具有耐受激光划片工艺的热稳定性，由粘附性质的环氧树脂与PVC、PAT或PPT混合形成（说明书[0037]-[0038]、图1、图2、图12）。

2. **技术特征B：至少两个结合层**

* **说明书结合解释**：对应于说明书中的“结合层170”，用于将各独立发光器件固定到基底片230上。其材料可为Au、Sn、Nb、Pb、In、Mo及其合金，宽度被构图为比发光结构窄1～10微米（说明书[0037]、[0075]-[0077]）。

3. **技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上**

* **说明书结合解释**：结合层170底面贴合于基底片230上（图1、图2、图12）。

4. **技术特征D：第二支撑构件**

* **说明书结合解释**：对应于说明书中的“导电支撑基板160”，兼作器件的下电极与散热基板，由Mo、Si、W、Cu、Al及其合金，或Au、Cu合金、Ni、Cu-W、载具晶圆等导热/导电材料制成（说明书[0039]、[0043]）。

5. **技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上**

* **说明书结合解释**：导电支撑基板160叠置于对应的结合层170上方（图1、图2）。

6. **技术特征F：发光结构**

* **说明书结合解释**：外延生长形成的半导体叠层（图1、图3）。

7. **技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上**

* **说明书结合解释**：发光结构经由欧姆层143、反射层146及粘附层150叠置在导电支撑基板160上方（说明书[0044]-[0047]、图1）。

8. **技术特征H/I/J：第一/第二导电类型半导体层及有源层**

* **说明书结合解释**：第一导电类型半导体层120（如n-GaN）、第二导电类型半导体层140（如p-GaN）以及中间的MQW有源层130（说明书[0048]-[0054]、图1）。

9. **技术特征K/L：第一电极及其布置**

* **说明书结合解释**：第一电极190（上电极/n型电极）布置在第一导电类型半导体层120的上表面（说明书[0056]、图1）。

10. **技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接**

* **说明书结合解释**：对应于说明书中的“金属层160a”。在激光划片后，预定量的熔融金属（或残留的部分导电支撑基板160）再次固化，形成将相邻发光器件的导电支撑基板160侧面相互连接的金属层160a，使得多个发光器件在未完全切断前保持并联连接状态（说明书[0039]、[0088]、[0090]、图2、图12）。

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### 二、 对比文件技术特征比对与出处分析

现将各对比文件与权利要求1的技术特征A~M进行逐项比对，对比文件公开号如下：

* **D1**：US7151283B2

* **D2**：JP2007081413A

* **D3**：US20070077673A1

#### 1. 各对比文件原文出处与公开情况比对表

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### 三、 最接近对比文件的分析（解决的技术问题与技术效果角度）

#### 1. 目标专利解决的技术问题与技术效果

* **技术问题**：在垂直结构LED器件芯片分离（划片）过程中，由于基板切割、激光划片等工艺容易产生金属毛刺、芯片崩边、剥离损伤，且分离后的微小芯片难以进行平滑、高效的贴片与引线键合（说明书[0005]、[0077]、[0094]）。

* **技术效果**：通过第一支撑构件（基底片）在芯片分离后继续保持阵列拓扑；结合层宽度构图化减少划片毛刺；并通过相邻第二支撑构件（导电基板）之间的金属层连接，实现了芯片阵列的高效固定与平稳过渡，显著提高了器件制造效率和封装贴片/键合质量（说明书[0023]、[0094]）。

#### 2. 各对比文件的技术领域及方案比对

* **D1 (US7151283B2) 与 D2 (JP2007081413A)**：

* **实质内容**：D1和D2属于同族或高度相似的技术方案，核心在于封装级荧光粉转换元件（YAG:Ce等）以及波长转换技术，用于产生白光或复合光。

* **结构特征**：公开了基本的垂直/水平LED芯片结构（特征F-L）以及将芯片安装于引线框架上（特征D, G），但完全没有涉及“晶圆级/阵列级支撑、结合层”以及“芯片间第二支撑构件由金属层相互连接”的晶圆级制造工艺与结构。

* **解决问题与效果**：解决发光颜色均匀性、热稳定性及光转换效率问题，与目标专利解决的“阵列芯片分离及贴片/键合制造效率”完全不在同一维度。

* **D3 (US20070077673A1)**：

* **实质内容**：公开了一种垂直结构LED的制造及芯片分离方法。其技术方案是在外延片上形成电镀种子层（第一电镀层136），然后在各器件区域电镀形成支撑衬底（第二电镀层156，即第二支撑构件），剥离生长衬底后，第一电镀层136在器件隔离区连接各个第二电镀层156（即特征M的实质形态）。随后通过湿法腐蚀、机械断裂或激光切割第一电镀层136来实现芯片分离（D3说明书[0017]-[0020]、[0040]-[0050]、图4-图10）。

* **解决问题与效果**：旨在解决传统垂直LED切削/划片硬质衬底（如Si、GaAs）导致成本高、划片困难、易产生裂纹（Crack）的问题，提高芯片分离效率和散热性能（D3说明书[0009]-[0011]）。这与目标专利在“垂直LED阵列制造与芯片分离”方面的技术领域、工艺途径及解决的技术问题高度重合。

#### 3. 结论：最接近对比文件的选择

**D3 (US20070077673A1)** 在创造性分析过程中最适合作为**唯一且最接近的对比文件**（Primary Prior Art）。

* **原因**：D3不仅公开了权利要求1中绝大多数关于垂直LED的结构特征（特征D, F, G, H, I, J, K, L），更重要的是，D3公开了“通过第一电镀层（金属层）连接相邻器件区域的第二电镀层（第二支撑构件）”这一核心阵列架构（特征M），且二者均致力于解决垂直LED晶圆级分离与制造成本/良率的技术问题。

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### 四、 未被最接近对比文件公开的特征分析与最薄弱技术特征

#### 1. 未被D3公开的技术特征

对比文件D3虽然公开了特征D-M的绝大部分内容，但**未公开**以下特征：

1. **特征A：第一支撑构件**（即目标专利的基底片230）。

2. **特征B：至少两个结合层**（D3中第一电镀层136在芯片分离前是连续的一整片金属层，切割/腐蚀后留下的仅为单个芯片底部的金属残余，未披露在划片前就已形成并布置在第一支撑构件上的“至少两个结合层170”）。

3. **特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上**。

#### 2. D1和D2是否公开了上述区别特征？

经核查，**D1和D2均未公开特征A、B、C**。D1和D2仅关注单芯片封装和荧光粉胶体覆盖，完全未涉及“基底片/临时支撑膜”以及“阵列化结合层”的构图与布置。

#### 3. 无效请求中最薄弱的技术特征分析

权利要求1中最薄弱、最容易被攻破或突破的技术特征是 **“特征A、B、C的组合”（即在阵列分离过程中使用带有结合层/粘胶层的基底片/蓝膜/切割胶带支撑芯片阵列）**。

* **薄弱性原因分析**：

1. **本领域公知常识/惯用技术手段**：在半导体及LED晶圆划片（Dicing/Scribing）与芯片转移（Die Bonding）领域，使用切割胶带（Dicing Tape）、蓝膜（Blue Tape）或UV胶带作为“第一支撑构件”，并在其上涂覆胶黏层/结合层以固定划片后的芯片阵列，属于**极其普遍的本领域公知常识（Common General Knowledge）**。

2. **技术启示极强**：D3已经教导了利用金属电镀层136/156作为临时支撑并进行湿腐蚀/激光切割分离芯片（D3图9、图10）。本领域技术人员为了在D3去除第一电镀层136后防止芯片散落、便于后续的Pick-and-place（拾取与贴片）工序，极其容易想到将晶圆贴附在粘性胶带（第一支撑构件+结合层）上再进行切割或腐蚀分离。

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### 五、 进一步的对比文件检索策略（Search Strategy）

为了实现对目标专利CN102263119B权利要求1的彻底无效，下一步检索的重点必须聚焦于**补强“特征A+特征B+特征C”在LED晶圆划片/转移工艺中的现有技术证据**。

具体检索策略建议如下：

#### 1. 检索主题与关键词构建（Key Concepts & Expansion）

* **核心主题1：切割胶带/临时支撑膜 (First Supporting Member / Temporary Substrate)**

* 中文关键词：蓝膜、切割胶带、扩膜胶带、基底片、临时衬底、UV胶带、粘性带、支撑膜。

* 英文关键词：dicing tape, blue tape, UV tape, temporary substrate, carrier tape, intermediate substrate, base sheet, adhesive film.

* **核心主题2：结合层/图案化粘结层 (Binding Layer / Patterned Adhesive)**

* 中文关键词：结合层、粘附层、图案化胶层、凹凸结构、微结构、粘结剂。

* 英文关键词：bonding layer, adhesive layer, patterned adhesive, bumps, glue array, adhesive island.

* **核心主题3：LED晶圆划片/阵列转移 (LED Array / Chip Separation / Transfer)**

* 中文关键词：发光二极管、发光器件阵列、垂直结构、芯片分离、划片、移载、贴片。

* 英文关键词：LED array, light emitting diode, vertical LED, chip separation, dicing, scribing, die transfer, pick and place.

#### 2. 分分类号检索（IPC/CPC Classification Search）

建议重点追踪半导体/LED封装及切割领域的特定分类号：

* **H01L 33/00**（发光器件的制造或处理相关技术）

* **H01L 33/62**（发光器件的引线/支撑件结构）

* **H01L 21/683**（在制造过程中用于支撑、抓取或运输半导体器件的装置/载体，特别是切割胶带/ Carrier Substrate）

* **H01L 21/78**（半导体衬底切断/分离成独立器件的技术）

#### 3. 组合逻辑与检索表达式示例

* **组合方向一（公知常识证据库检索）**：

` (H01L21/683 OR H01L21/78 OR H01L33/00) AND ("dicing tape" OR "blue tape" OR "carrier sheet") AND ("bonding layer" OR "adhesive layer") AND ("LED" OR "light emitting") `

* *目的*：寻找在2011年5月（目标专利优先权日）之前，半导体/LED划片工艺中直接公开“在切割胶带上布置构图化/阵列化结合层固定LED芯片”的对比文件。

* **组合方向二（针对特征M与特征A-C融合的攻防）**：

` ("vertical LED" OR "vertically structured") AND ("plating layer" OR "metal layer") AND ("dicing tape" OR "carrier") AND ("separated" OR "isolation") `

* *目的*：寻找在一篇对比文件中同时公开“电镀金属层连接相邻芯片侧面”与“蓝膜/结合带支撑”的X类对比文件。

#### 4. 重点专利权人/竞争对手追溯

重点检索在2000-2010年间深入布局垂直LED制造、晶圆级封装（WLP）及微转移（Micro-transfer）技术的厂商：

* **韩国厂商**：LG Innotek（目标专利原申请人，防范其早期防御性申请）、Seoul Semiconductor（首尔半导体）、Samsung Electronics。

* **日本厂商**：Nichia（日亚化学）、Citizen（西铁城）、Toyoda Gosei（丰田合成）。

* **美国/欧洲厂商**：Cree (Wolfspeed)、Lumileds、Osram (欧司朗)。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利 CN102263119B 的权利要求1，结合目标说明书、对比文件（D1：DE102005053274A1、D2：JP2007103934A、D3：US20070228404A1）的原文及出处，为您提供法律与技术层面的无效检索与创造性分析报告。

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## 一、 结合目标说明书解释权利要求1

权利要求1定义了一种发光器件阵列的层叠与连接结构，结合目标专利说明书的具体记载，各技术特征的理解如下：

* **特征A（第一支撑构件）：** 说明书中指基底片230（如带状UV胶带/硅胶带，含PVC/PAT/PPT及环氧树脂）或封装主体（实施例对应[0037]-[0038]、[0096]）。

* **特征B~E（至少两个结合层及其布置；第二支撑构件及其布置）：** 说明书中指发光器件包含导电支撑基板160（第二支撑构件），其下方布置有结合层170（包含Au、Sn、In等共晶/金属结合层，表面具有微凹凸结构），并藉由结合层170黏附固定于基底片230上（实施例[0037]、[0039]、[0075]）。

* **特征F~J（发光结构）：** 典型的外延发光结构，自下而上（或倒装形态）依次包含第二导电型半导体层140（p型）、有源层130（MQW）及第一导电类型半导体层120（n型）（实施例[0048]-[0055]）。

* **特征K~L（第一电极）：** 布置在发光结构上表面的电极（如n型第一电极190，用于引线键合）（实施例[0056]）。

* **特征M（其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接）：**

* **核心定义：** 说明书[0039]、[0088]及图2、图11-12明确记载，在划片/切割工艺中，导电支撑基板160通过激光划片融化并**再次固化**形成金属层160a（或保留预定部分），**将相邻发光器件的第二支撑构件（基板160）侧面连接在一起**。该金属层160a在后续芯片最终封装剥离前起到暂时的横向固定作用。

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## 二、 对比文件特征比对分析（公开性分析）

针对权利要求1的技术特征A~M，分析三份对比文件是否**毫无异议公开（明示公开）**或**实质公开（隐式/必然公开）**。

### 1. 对比文件出处及简称定义

* **D1：** DE102005053274A1（公开日：2007-04-12）

* **D2：** JP2007103934A（公开日：2007-04-19）

* **D3：** US20070228404A1（公开日：2007-10-04）

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### 2. 特征比对表与原文出处

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## 三、 最接近的对比文件分析

在进行创造性（Invalidity/Obviousness）评估时，**D2（JP2007103934A）** 和 **D1（DE102005053274A1）** 均适合作为最接近的对比文件。

### 1. 首选最接近对比文件：D2 (JP2007103934A)

* **整体解决的技术问题与效果：**

D2 旨在解决垂直结构发光二极管（Vertical LED）在去除剥离衬底后，芯片极其微薄、机械强度不足且划片分离（Dicing/Scribing）易导致芯片破损、成本高昂的问题。D2 通过在镀覆形成第二支撑基板（第2メッキ層 156）之前或同时，铺设一层连续的金属镀层（第1メッキ層 136）来**横向连接多个芯片阵列**，使其作为支撑结构，后续仅需对第1金属层进行刻蚀或断裂即可实现芯片分离。

* **对比结论：**

D2 构成了权利要求1最理想的起点，它公开了包含第一支撑构件、结合层、第二支撑基板、发光结构及上电极的阵列架构，且**明确公开了相邻发光器件的第二支撑构件通过第一金属镀覆层在横向上相互连接**。

### 2. 次选最接近对比文件：D1 (DE102005053274A1)

* **整体解决的技术问题与效果：**

D1 致力于解决大功率半导体制备中高热损耗散热问题，通过晶圆级电镀厚金属层（Metallschicht 4）作为机械支撑和热扩散器（Wärmespreizer）。

* **对比结论：**

D1 同样完整公开了晶圆级阵列转移、电镀支撑层及上电极结构，但在“相邻第二支撑构件间存在横向连接金属层”这一特征上略逊于 D2。

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## 四、 权利要求1最薄弱的技术特征及组合无效策略

### 1. 最薄弱的技术特征：特征M

> **“其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”**

* **薄弱性分析：**

1. **概念涵盖过宽：** 本专利权利要求1仅限定了“通过金属层与相邻第二支撑构件连接”，并未限定该金属层必须是“划片熔融重固化形成的160a”。

2. **已被D2实质公开：** 在 D2 中，第二支撑构件（第2メッキ層 156）正是通过底部的第一金属镀层（第1メッキ層 136，属于广义金属层）连接相邻的第二支撑构件。在湿式刻蚀/激光切断之前，D2 的结构与本专利权利要求1的结构**完全重合**。

### 2. 创造性/无效组合策略（Invalidation Attack Scheme）

针对权利要求1，可采用以下两种攻击路径：

* **路径 A（单篇对比文件破坏新颖性/创造性 - 基于 D2）：**

* **主攻：** D2 已公开包含支撑层、结合层、发光结构以及横向连接相邻第二电镀支撑层（156）的第1电镀金属层（136）。

* **结论：** 权利要求1的技术特征全部被 D2 对应公开，权利要求1不具备新颖性（或至少不具备创造性）。

* **路径 B（D1 + D2 组合攻击创造性）：**

* **主攻：** 以 D1 为最接近对比文件（公开了晶圆级电镀金属支撑基板及阵列结构）。

* **区别特征：** D1 中各芯片的电镀支撑基板在切割后是完全分离的，而权利要求1中相邻第二支撑构件由金属层连接。

* **结合动机：** D2 明确教导了为了避免直接切割厚金属基板导致的损伤，可以在第二支撑基板间保留/设置横向连接金属层（第1メッキ層 136）。本领域技术人员结合 D2 的教导改进 D1 属于本领域的常规选择，不具备创造性。

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## 五、 进一步对比文件检索策略（Search Strategy）

若需对后续从属权利要求（如说明书[0007]限定的“结合层边缘缩进1~10微米”、[0008]限定的“微凹凸结构”或[0088]限定的“激光划片重固化金属层”）发起彻底无效，建议采取以下补充检索策略：

### 1. 针对“激光划片熔融重固化/残留金属连接层”的特征检索

* **IPC/CPC分类号组合：**

* `H01L33/00` (发光器件制造)

* `H01L21/78` (器件分离/划片工艺)

* `B23K26/38` / `B23K26/40` (激光切割/激光划片半导体)

* **关键词逻辑（中/英/日）：**

* `(激光划片 OR 激光切割 OR 切片 OR 雷射) AND (融化 OR 熔融 OR 再次固化 OR 残留 OR 熔渣 OR 连接部)`

* `(laser dicing OR laser scribing OR laser cutting) AND (remelted OR resolidified OR dross OR residue OR connecting layer OR bridge) AND (LED OR substrate)`

### 2. 针对“结合层边沿缩进（1~10 µm）/防溢胶凹槽”的特征检索

* **关键词逻辑：**

* `(结合层 OR 粘结层 OR 焊料) AND (边缘 OR 宽度) AND (小于 OR 缩进 OR 内侧 OR 凹陷) AND (微米 OR um)`

* `(bonding layer OR adhesive layer OR solder) AND (recessed OR narrower OR margin OR inset) AND (patterned OR etch)`

<FollowUp label="是否需要我针对本专利的从属权利要求（如结合层凹凸结构、1-10微米缩进特征）撰写一份完整的无效宣告请求书草案？" query="请针对目标专利CN102263119B的从属权利要求进行深度无效分析，并撰写一份正式的专利无效宣告请求书草案。"/>

作为一名经验丰富的专利代理师，在进行专利无效宣告分析或创造性/新颖性评估时，必须**严谨对照目标专利说明书对权利要求的文字进行法定解释**，并**逐字逐句紧扣对比文件原文（含段落编号与附图标记）**进行特征比对。

以下是针对目标专利（CN102263119B）权利要求1，结合三篇对比文件（D1: JP4001892B2、D2: JP4001893B2、D3: KR1020070120424A）进行的深度法律与技术分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的技术特征解释

根据《专利法》第59条及相关司法解释，权利要求的保护范围应当以其内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。针对权利要求1各技术特征，结合说明书【0037】~【0058】及附图1-12作如下具体解释：

1. **技术特征A：第一支撑构件**

* **说明书解释**：参见说明书【0037】与【0038】，第一支撑构件为**基底片230**（Base sheet），用于支撑发光器件阵列。其可具有UV胶带（UV tape）或硅处理胶带形状，材料可为PVC、PAT、PPT与环氧树脂的混合物。

2. **技术特征B/C：至少两个结合层；布置在第一支撑构件上**

* **说明书解释**：参见【0037】与【0040】，结合层170形成在发光结构边缘以内（如1~10微米），用于将各个独立的导电支撑基板160固定到第一支撑构件（基底片230）上。结合层可为Au、Sn、Nb、Pb、In、Mo及其合金【0075】。

3. **技术特征D/E：第二支撑构件；布置在至少两个结合层中的每一个上**

* **说明书解释**：参见【0039】与【0043】，第二支撑构件为**导电支撑基板160**。其布置在对应的结合层170上，用于提供机械支撑、导电及散热，材料可选自Mo、Si、W、Cu、Al及其合金或载具晶圆等。

4. **技术特征F/G/H/I/J：发光结构（第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、有源层）；布置在第二支撑构件上**

* **说明书解释**：参见【0045】~【0055】，发光结构布置在第二支撑构件160上方（中间可含有欧姆层143、反射层146、粘附层150），包含n型/p型半导体层120/140及MQW有源层130，构成垂直结构的发光二极管（LED）芯片。

5. **技术特征K/L：第一电极；布置在发光结构上**

* **说明书解释**：参见【0056】，第一电极190（n型电极）布置在第一导电型半导体层120的上表面，用于引线键合提供电力。

6. **技术特征M：发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接**

* **说明书解释（关键核心特征）**：参见【0039】及【0088】、【0090】与图1、图2、图11，第二支撑构件（导电支撑基板160）在经过切割/划片（如激光划片）分光器件时，**通过熔融后重新固化的金属层160a**（或保留的预定部分金属）将相邻发光器件的第二支撑构件160在侧面相互物理/电气连接，从而在第一支撑构件230上形成一个“芯片间经由侧面金属层160a相互连接”的**发光器件阵列**。

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### 二、 对比文件特征比对表

各对比文件公开号说明：

* **D1**：JP4001892B2

* **D2**：JP4001893B2

* **D3**：KR1020070120424A

#### 权利要求1技术特征比对表

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### 三、 详细对比分析（毫无异议公开或实质公开的内容）

#### 1. D1 (JP4001892B2) & D2 (JP4001893B2)

* **技术方案概述**：D1和D2属于同族或高度相关的单体白光/多色发光二极管封装技术。

* **公开的特征（毫无异议公开）**：

* 特征F、H、I、J、K、L：D1/D2在【0002】及图9中**毫无异议公开**了发光结构包含n型GaN层20（特征H）、p型GaN层24（特征I）、活性层（特征J），以及在发光结构上布置前面电极触点12（特征K、L）。

* **未公开的特征**：

* 特征A、B、C、D、E、G、M：D1/D2揭示的是传统的单芯片封装（带有原始成长衬底18），**完全没有公开**转移基板（第二支撑构件D）、临时/永久支撑阵列胶带（第一支撑构件A）、结合层（B、C、E），更没有公开“相邻第二支撑构件之间通过金属层连接（特征M）”的阵列制造中间态/结构。

#### 2. D3 (KR1020070120424A)

* **技术方案概述**：D3揭示了一种垂直结构LED及其制造方法，重点解决金属迁移（Migration）导致的短路问题。

* **公开的特征（毫无异议公开与实质公开）**：

* 特征D、E、F、G、H、I、J、K、L：D3在【0028】-【0044】及图1中**毫无异议公开**了垂直结构LED：具有导电性支撑基板2（第二支撑构件D），其上通过接合金属层4, 5（特征E）结合了由p型层9、活性层10、n型层11构成的发光半导体区域1（特征F、G、H、I、J），并在上表面设置第1电极7（特征K、L）。

* 特征A、B、C：D3在说明书制造方法【0046】-【0051】及图2-6中**实质公开**了：在成长用基板20（第一支撑构件A，在晶圆级转移阶段起支撑作用）上，形成多个发光区域，并通过第一/第二接合金属层4, 5（结合层B、C）将支撑基板2接合到其上。

* **未公开的特征**：

* **特征M**：D3没有公开“发光器件的第二支撑构件（支撑基板2）经通过金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接”。D3中的晶圆级切割是将器件彻底分割独立（参见D3图1及段落【0052】），未在相邻支撑基板侧面留存连接用的金属层（如目标专利中的熔熔重固化金属层160a）。

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### 四、 最接近的对比文件分析及创造性评估

#### 1. 整体解决的技术问题与技术效果分析

* **目标专利（CN102263119B）**：

* **解决的技术问题**：在垂直结构LED阵列制造及划片过程中，如何防止芯片分离时产生毛刺（Burrs），以及如何使贴片/引线键合（Die bonding/Wire bonding）工序能够平滑高效地执行（说明书【0005】、【0077】、【0094】）。

* **技术效果**：通过在划片时熔融固化或保留部分金属形成连接相邻第二支撑构件的“金属层160a”，使得发光器件在阵列状态下能够被稳定保持与精细固定，避免划片产生金属毛刺损伤芯片性质。

* **对比文件分析**：

* **D1/D2**：解决的是“荧光粉波长转换与光色均匀性”问题，属于封装光学领域，与目标专利解决的“垂直结构LED阵列划片防毛刺及芯片阵列保持”的机械/工艺问题相去甚远。

* **D3 (KR1020070120424A)**：解决的是“垂直结构LED中光反射金属层的金属迁移（Migration）导致短路”的问题，涉及晶圆级键合与支撑基板转移（图1-图6），其技术领域、物理结构（垂直结构导电支撑基板LED）与目标专利**最为接近**。

#### 2. 最接近的对比文件结论

* **最接近的对比文件为：D3 (KR1020070120424A)**。

* *理由*：D3公开了权利要求1中绝大部分的技术特征（A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、L），同样采用了“转移至导电支撑基板并进行晶圆级键合”的技术路线。

#### 3. 未被最接近对比文件公开的特征及其在其他对比文件中的情况

* **未被D3公开的特征**：**特征M**（发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接）。

* **其他对比文件（D1、D2）是否公开**：**均未公开**。D1和D2仅涉及单体LED器件的荧光粉封装，完全没有涉及第二支撑构件之间的连接金属层结构。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征与攻击难点分析

#### 1. 最薄弱（最难被无效）的技术特征：**特征M**

* **分析**：

* 特征M记载：“其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”。

* 结合目标专利说明书【0039】与【0088】可知，该金属层（160a）是在激光划片（Laser dicing）分离导电支撑基板160时，**由熔融的金属重新固化而形成**（或划片时特意保留的预定部分）。其作用是在芯片切分后，仍能将相邻芯片的侧面连结在一起形成“发光器件阵列”，从而在后续贴片前保持芯片阵列的位置精度，并防止边缘散落和毛刺。

* 目前案卷中的对比文件（D1、D2、D3）**均未公开**该特征，且该特征与说明书声称的“平滑有效地执行贴片/引线键合、减少毛刺”具有直接的因果对应关系。因此，仅凭现有对比文件（D1-D3）的组合，**无法成立《专利法》第22条第3款的无创造性攻击**。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略（无效检索建议）

为了成功无效权利要求1（攻克“特征M”），建议采取以下补充检索策略：

1. **扩展检索方向（聚焦制造工艺与划片技术）**：

* **检索重点**：垂直LED晶圆划片（Laser Dicing / Stealth Dicing）、芯片阵列保持（Chip Array Retention）、切缝重新固化金属（Recrystallized/Resolidified Metal Layer in Dicing Street）。

* 特征M的本质是**半导体晶圆分割（Dicing）过程中的中间态阵列结构**。需要寻找公开了“在激光切割/划片导电基板（如Cu, Mo, Silicon, W）时，利用熔融金属层或残留金属连条将相邻Die（芯片）暂时连接在胶带上”的工艺专利。

2. **分类号（IPC / CPC）精准锁定**：

* `H01L 33/00`（半导体发光器件的制造细节）

* `H01L 21/78`（将半导体衬底切割/分离成单个芯片的技术）

* `H01L 33/48` / `H01L 33/62`（发光器件封装及导电支撑结构）

* `B23K 26/38` / `B23K 26/40`（利用激光切割半导体/金属材料）

3. **关键词组合（多语种扩展）**：

* **中文**：`(发光二极管 OR LED OR 垂直结构) AND (导电基板 OR 支撑基板) AND (激光划片 OR 切割 OR 熔融) AND (金属层 OR 相连 OR 连接 OR 阵列)`

* **英文**：`(LED OR "light emitting diode" OR "vertical structure") AND ("conductive substrate" OR "submount" OR "carrier") AND ("laser dicing" OR "scribing" OR "cutting") AND ("metal layer" OR "connecting" OR "bridging" OR "resolidified" OR "melted")`

* **日文**：`(LED OR 半導体発光素子) AND (導電性基板 OR 支持基板) AND (レーザダイシング OR 切断 OR 溶融) AND (金属層 OR 連結 OR 隣接)`

4. **优先检索目标专利申请日（2010年05月07日）之前的同行业竞争对手专利**：

* 重点检索在垂直结构LED及激光切割领域拥有核心工艺专利的企业：如 **Cree (科锐)**、**Osram (欧司朗)**、**LG Innotek (目标专利原申请人同系/竞争对手)**、**Seoul Semiconductor (首尔半导体)**、**Epistar (晶电)**、**Samsung Electronics** 等。寻找其在 2005~2010 年间申请的关于“Vertical LED Laser Dicing Substrate Array”的相关专利。

作为一名经验丰富的专利代理师，针对目标专利（CN102263119B）权利要求1的技术方案，结合说明书解释、对比文件原文内容及其出处进行详细的审查与无效可行性分析。

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### 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书解释

根据目标专利（授权公告号：CN102263119B）的说明书及附图（特别参考图1、图2、图11和图12），对权利要求1的技术特征做如下精准解释：

* **技术特征A（第一支撑构件）：** 说明书第[0037]段及第[0038]段记载，第一支撑构件可以为基底片230（例如具有UV带形状或硅处理带形状的基板片/带），其用于支撑发光器件阵列。

* **技术特征B、C（至少两个结合层，布置在第一支撑构件上）：** 说明书第[0037]、[0040]及[0089]段记载，结合层170（如包含Au、Sn、Nb、Pb、In、Mo等或环氧树脂）布置在基底片230上，且每个发光器件对应独立的结合层。

* **技术特征D、E（第二支撑构件，布置在结合层上）：** 说明书第[0039]、[0043]段记载，第二支撑构件为导电支撑基板160（材料可选自Mo、Si、W、Cu、Al及其合金等），布置在结合层170上。

* **技术特征F、G、H、I、J（发光结构及其层叠关系）：** 说明书第[0045]~[0055]段记载，发光结构布置在导电支撑基板160上（中间可夹设欧姆层143、反射层146及粘附层150），包含第一导电类型半导体层120（如n型GaN）、第二导电类型半导体层140（如p型GaN）以及两者之间的有源层130（如MQW多量子阱）。

* **技术特征K、L（第一电极）：** 说明书第[0056]段记载，第一电极190布置在发光结构的第一导电类型半导体层120上。

* **技术特征M（其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接）：**

* **发明本意与说明书支撑：** 说明书第[0009]、[0039]、[0088]及[0090]段明确指出，在芯片单元分离/划片工艺中，“发光器件的第二支撑构件（导电支撑基板160）经由金属层160a与另一发光器件的第二支撑构件连接并且金属层固定第二支撑构件的侧面”。该金属层160a是激光划片后预留或熔融再固化形成的金属层，用于在阵列状态下将相邻芯片的侧面/支撑基板相互连接固定。

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### 二、 对比文件公开内容分析与出处标注

本案涉及的三份对比文件及其公开号如下：

1. **对比文件1（D1）：** JP2008060595A（公开日：2008年03月13日）

2. **对比文件2（D2）：** JP2008263015A（公开日：2008年10月30日）

3. **对比文件3（D3）：** EP1993152A2（公开日：2008年11月19日）

#### 1. D1（JP2008060595A）

* **公开的技术特征：**

* **特征F, H, I, J（发光结构）：** D1说明书第[2]段（段落索引号对应译文段落）公开了半导体基体1具有多层结构7，包含活性半导体层（如 $Ga_xIn_{1-x}N$ 或 $Ga_xAl_{1-x}N$）、p型/n型半导体层（图9、段落[2]）。（**毫无异议公开**）

* **特征K, L（电极）：** 图1与图9公开了前面电极（前面コンタクト12）与背面电极（背面コンタクト11）。（**毫无异议公开**）

* **特征D（支撑结构）：** 图9公开了衬底18（Substrate，如SiC）。（**毫无异议公开**）

* **未公开的技术特征：** 未公开阵列结构中的“第一支撑构件（A）”、“至少两个结合层（B、C）”以及“相邻第二支撑构件通过金属层连接（M）”。

#### 2. D2（JP2008263015A）

* **公开的技术特征：**

* **特征D（第二支撑构件）：** 说明书第[2]段及图1公开了导电性支持基板10（如Si基板、Cu-W等）。（**毫无异议公开**）

* **特征F, H, I, J（发光结构）：** 说明书第[2]段、图1公开了化合物半导体层14，包括n型クラッド層4（第一导电类型半导体层）、p型クラッド層6（第二导电类型半导体层）以及活性層5（有源层）。（**毫无异议公开**）

* **特征K, L（电极）：** 图1公开了表面电极12（第一电极），形成在化合物半导体层14的上方。（**毫无异议公开**）

* **特征B, C, E（结合层与第二支撑构件的结合）：** 说明书第[2]段及图1公开了金属接合層11（11a、11b，如Au）和Ti层18，用于将导电性支持基板10与发光结构结合。（**实质公开/毫无异议公开**）

* **未公开的技术特征：** D2重点在于单个或晶圆级转移芯片的层叠粘接，未公开芯片阵列化固定在第一支撑构件（A）上的多芯片阵列架构，更未公开“相邻发光器件的第二支撑构件经通过金属层连接（M）”。

#### 3. D3（EP1993152A2）

* **公开的技术特征：**

* 与D1基本一致，公开了具有多层外延发光结构（包含第一/第二导电类型半导体层及有源层）的半导体发光器件，以及封装/底座（Grundgehäuse 8，图3）。（**毫无异议公开**）

* **未公开的技术特征：** 未公开权利要求1中的芯片阵列特征（A、B、C）及侧面金属层连接特征（M）。

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### 三、 技术特征比对表格

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### 四、 最接近对比文件的选择与创造性分析

#### 1. 最接近对比文件的判定

在创造性分析中，**对比文件2（D2：JP2008263015A）** 最适合作为**最接近的对比文件**（最接近对比文件可为D2）。

* **理由：**

1. **技术领域与问题：** 目标专利与D2均属于垂直结构LED半导体发光器件及其基板转移/结合技术领域，解决的都是如何将发光外延层转移至导电支撑基板并实现高效散热和稳定结合的技术问题。

2. **技术特征重合度：** D2不仅公开了发光结构（F-J）和电极结构（K-L），还全面公开了垂直结构LED的核心结构——“导电支撑基板（第二支撑构件D）”与“金属结合层（结合层B）”的组合结构。

#### 2. 区别技术特征与技术效果分析

将权利要求1与最接近对比文件D2进行比对，区别技术特征为：

1. **特征A、C：** 存在“第一支撑构件”，且至少两个结合层布置在该第一支撑构件上（即形成芯片阵列的粘附基底）。

2. **特征M：** 发光器件的第二支撑构件（导电支撑基板）经由金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接（芯片侧面连接）。

* **区别特征实际解决的技术问题与技术效果：**

* **特征A、C：** 解决了在芯片划片分离后对多个独立发光芯片进行暂存、固定和转移阵列化贴片的问题，效果是能够提高芯片后续封装贴片/引线键合的制造效率。

* **特征M：** 解决了在晶圆切片/划片分离过程中芯片容易散落、定位失效的问题，通过在划片后预留或熔融再固化金属层将相邻芯片的侧面支撑基板连接，提供了阵列整体机械约束，使芯片在贴片前保持规则排布。

#### 3. 其他对比文件（D1、D3）对区别特征的公开情况

审查对比文件D1（JP2008060595A）与D3（EP1993152A2）可知：

* D1和D3均主要针对LED荧光粉波长转换（白光LED）的封装/结构进行改进，未涉及芯片切割划片过程中“通过侧面金属层连接相邻支撑基板”的阵列化支撑工艺。

* 因此，**区别特征M（相邻第二支撑构件经通过金属层连接）未被现有对比文件D1、D2、D3公开**。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征与攻击策略

#### 1. 最薄弱的技术特征：特征M

权利要求1中最薄弱、也是最具防御性的技术特征是 **特征M（发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接）**。

#### 2. 特征M的法律与技术缺陷（无效突破口）

* **理解一（实质为制造过程中间状态/残留物）：**

从目标专利说明书第[0039]、[0088]及[0090]段可知，该“金属层160a”实际上是激光划片（划槽）过程中**未完全切断的支撑基板残留部分**，或者是**划片产生的熔融金属重新固化遗留的毛刺/边缘层**。

* **无效理由（权利要求不明确 / 缺乏实用性 / 缺乏创造性）：**

1. 如果解释为最终发光器件阵列产品，将相邻芯片通过划片残留金属层相连，这会导致相邻芯片的导电支撑基板（通常作为下电极）短路，无法实现独立的电学控制，这在发光器件封装应用中属于**制造过程中的“未切割完全缺陷”**。

2. 在现有技术中，LED晶圆划片（Dicing/Scribing）工艺中预留半切割状态（Semi-cutting）或划片槽内残留金属/基板是公知常识。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略

为了彻底无效权利要求1（尤其是击破特征M与阵列结合特征A/B/C），建议采取以下补充检索策略：

1. **针对特征M（划片后金属层/基板侧面连接）的专项检索：**

* **技术主题：** LED/半导体晶圆激光划片（Laser dicing/Scribing）、隐形划片（Stealth dicing）、半切割（Expansion tape/Platter）工艺。

* **IPC/CPC分类号组合检索：**

* `H01L33/0066`（发光器件的制造/切割工艺）

* `H01L21/78`（半导体器件衬底切割/分离）

* `B23K26/364`（激光划槽/激光切割）

* **关键词检索式：** `(LED OR "light emitting") AND (dicing OR scribing OR cleavage) AND (metal layer OR substrate) AND (connect* OR remain* OR residual OR bridge) AND (adjacent OR neighbor*)`

* **检索重点：** 寻找在切割/激光划片过程中，故意保留侧面金属层（如Au/Sn、Cu基板）作为桥接（Bridge）或撕裂连结部的对比文件。

2. **针对特征A/B/C（切割带/蓝膜/暂存片上的芯片阵列固定）的公知常识检索：**

* **关键词：** `dicing tape`, `UV tape`, `blue tape`, `carrier substrate`, `temporary bonding`

* **检索重点：** 证明使用粘性切片带（Dicing Tape/基底片230）作为第一支撑构件固定切割后的芯片阵列是半导体后道封装领域的公知常识（Common General Knowledge）。

资深专利代理师意见如下，针对目标专利（CN102263119B）权利要求1与三份对比文件的比对分析、最接近对比文件的选取、薄弱特征认定以及后续检索策略展开详细拆解：

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### 一、 权利要求技术特征解析与目标专利说明书澄清

结合目标专利（CN102263119B）说明书[0006]–[0012]、[0037]–[0040]、[0087]–[0090]及图1–图2、图11–图12：

1. **第一支撑构件（特征A）**：指承载阵列的底座，如基底片230（[0037]）。

2. **结合层及其位置（特征B、C）**：指布置在第一支撑构件上的结合层170（如[0037]）。

3. **第二支撑构件及其位置（特征D、E）**：指导电支撑基板160（[0039]），布置在各结合层170上。

4. **发光结构及布置（特征F、G、H、I、J）**：包含第一导电类型半导体层120、有源层130、第二导电类型半导体层140的叠层，布置在第二支撑构件上。

5. **第一电极（特征K、L）**：布置在发光结构上（[0056]）。

6. **金属层连接相邻第二支撑构件（特征M，核心关键特征）**：依据说明书[0009]、[0039]、[0088]及图2，指在阵列状态下，相邻发光器件的导电支撑基板160之间通过**激光划片后熔融再固化**或**预留的金属层160a**相互连接，用以固定侧面并保持阵列整体性。

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### 二、 对比文件特征比对分析与比对表格

#### 1. D1：KR1020090001107A（LED 패키지）

* **原文对应分析**：

* D1公开了一种LED封装结构（[0015]、[0019]）。

* 其包含封装主体130（相当于支撑主体），内部包含一对手线引脚110, 120（[0019]）。LED芯片160通过导电胶（如Ag epoxy）附着在引脚110上（[0022]）。

* 凹陷腔体150内壁包含用于反射的金属部140a和用于增强密封胶粘结力的非金属部140b（[0015]、[0021]）。

* **缺陷/未公开特征**：D1针对的是**单个封装好的LED器件内部结构**，不存在“阵列状态下多个独立发光器件的第二支撑构件通过金属层彼此物理连接”的结构，**未公开特征B、C、E、M**。

#### 2. D2：JP2009065194A（Light-emitting semiconductor element）

* **原文对应分析**：

* D2公开了一种混色/白光半导体发光元件及其封装结构（[0002]）。

* 包含半导体多层结构7（包含活性层，图1, 图9）、背面电极接点11、前面电极接点12（[0002]图1）以及外围密封/转换层5, 4。

* **缺陷/未公开特征**：D2侧重于波长转换层（荧光粉）和光学封装设计，未涉及晶圆级/阵列级第二支撑基板之间的金属层连接结构，**未公开特征B、C、E、M**。

#### 3. D3：JP2009081407A（Method for manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode, and lamp）

* **原文对应分析**：

* **特征A**：公开了“仮貼付基板24”（假贴附基板）或切割工作台（[0015]、[0053]图5(c)）。

* **特征B、C**：公开了“熱発泡テープ25”（热发泡胶带），布置在假贴附基板与电镀层之间（[0053]图5(c)）。

* **特征D、E**：公开了作为基体的“メッキ層1”（电镀层1，通常为Cu，[0029]），电镀层布置在热发泡胶带/假贴附基板上。

* **特征F、G、H、I、J**：公开了化合物半导体层11（包含n型半导体层8、发光层7、p型半导体层6），布置在电镀层1上（[0026]、[0039]图1）。

* **特征K、L**：公开了布置在半导体层上的“n型電極層9”（[0027]图1）。

* **特征M（实质公开/明确公开）**：依据D3原文[0063]段及图10：“メッキ層1のレーザによる切断面は、メッキ層1を構成する銅が溶融した状態となる。その後、上記方法で切断された分断溝1bの底部は、各々の切断面同士が溶融銅によって再溶着する。これにより、メッキ層1全体が再溶着された状態となるため、分断された素子が飛び散ること無くウェーハ全体で保持される。”（激光划片后电镀层Cu溶融并重新熔接，使相邻器件的电镀基板在分断沟底部通过溶融铜重新连接，保持晶圆阵列不飞散）。

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#### 技术特征比对表

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### 三、 最接近对比文件的选择（从整体解决的技术问题与技术效果角度）

1. **对比文件分析**：

* **D1 & D2** 均为**单个LED封装/器件**技术，解决的是封装防剥离（D1）或荧光转换混色（D2）问题，与权利要求1所要解决的“在芯片切割分离过程中防止芯片飞散、便于后续贴片/引线键合及转移”的**阵列化制造与暂存技术问题**完全无关。

* **D3（JP2009081407A）** 是**最接近对比文件**。

2. **技术问题与效果匹配度**：

* **目标专利解决的问题与效果**：通过在阵列中保留或重新熔接金属层160a连接相邻支撑基板，防止划片后独立芯片散落，提高后续贴片和键合的制造效率（目标专利[0005]、[0039]、[0088]）。

* **D3解决的问题与效果**：针对现有技术中划片后芯片散落导致生产效率低下（D3[0007]、[0011]），提出在激光切割分断沟1b后利用电镀铜的熔融再溶接（再溶着），使得分割后的芯片依然由熔接铜连接并保持在假贴基板上，实现“分断された素子が飛び散ること無くウェーハ全体で保持される”（D3[0063]）。

* **结论**：D3与目标专利属于同一技术领域，解决相同的技术问题（防止划片散落），且公开了权利要求1的**全部技术特征（包括核心特征M）**。因此，**D3是唯一且最适合的最接近对比文件**。

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### 四、 无效请求中最薄弱的技术特征分析

若针对权利要求1发起专利无效宣告请求，**最薄弱的技术特征为：特征M（第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接）**。

* **薄弱原因分析**：

1. 目标专利在申请过程中，特征M是用于区别于传统完全切割独立芯片的“核心发明点”（见目标专利说明书[0009]、[0088]）。

2. 然而，D3（JP2009081407A）在其说明书[0063]段及图10中，已经**明确记载了激光划片过程中电镀金属层（Cu）熔融再凝固形成连接相邻芯片电镀基板的再溶接结构**。

3. 目标专利说明书[0088]中记载的“在激光划片之后的预定量的熔融金属被再次固化，以形成能够将分离的导电支撑基板相互连接的金属层160a”与D3[0063]记载的技术手段、物理过程及实现的功能效果**完全相同**。

4. 只要将D3作为对比文件，权利要求1不仅具备被评价为不具备创造性（与公知常识组合）的极高风险，甚至可能直接被D3单篇破坏**新颖性（A22条3款）**或**创造性（A22条4款）**。

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### 五、 进一步的对比文件检索策略建议

为了确保能够100%稳固地无效掉目标专利（包含其从属权利要求），建议采取以下补充检索策略：

1. **针对“结合层边缘缩进/特定形状”的补强检索（针对从属权利要求[0007]）**：

* **检索要素**：结合层/粘结层（bonding layer/adhesive）、边缘缩进（recessed edge/narrower width）、预留凹槽以防止激光切割毛刺（burr reduction）。

* **分类号组合**：`H01L33/00`（发光器件制造）、`H01L21/78`（衬底分割/划片）。

* **关键词（中/英/日）**：`(结合层 OR 粘结层 OR 胶层) NEAR/5 (宽度 OR 边缘 OR 缩进 OR 窄) AND (毛刺 OR 溢胶)` / `(bonding layer OR adhesive) NEAR/3 (narrower OR recessed) AND (burr OR dicing)`。

2. **针对“结合层表面微凹凸结构”的补强检索（针对从属权利要求[0008]）**：

* **检索要素**：粘结层表面粗糙化/凹凸结构以增强粘附力（roughness/uneven surface/micro-structure for adhesion）。

* **关键词**：`(凹凸 OR 粗糙 OR 凸起) AND (结合层 OR 粘接层 OR 贴片) AND (剥离 OR 粘附力)` / `(uneven OR rough OR bumpy) NEAR/5 (bonding layer OR adhesive) AND (adhesion OR peeling)`。

3. **追踪D3同族专利与引证/被引证专利**：

* 围绕 **JP2009081407A (D3)** 进行扩展：检索其同族专利（如对应US、CN、KR同族，注意`WO2005029572`等引证文献），审查是否有表达更直接的激光切割再熔融/残留金属连接的图文证据，作为补充证据链。

作为资深专利代理师，我针对目标专利 CN102263119B 的权利要求1，结合目标专利说明书及三份对比文件（D1: JP4278479B2, D2: JP4280598B2, D3: JP4286104B2）进行深入的技术特征比对、创造性及无效可行性分析。

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### 一、 权利要求1的技术特征拆解与说明书含义解释

依据目标专利说明书 [0036]–[0092] 及附图（图1、图2、图11、图12）：

* **特征A（第一支撑构件）**：指支撑发光器件阵列的基底，对应说明书中的基底片230（如带状UV胶带或硅胶带）[0037]。

* **特征B/C（至少两个结合层及其布置）**：指位于第一支撑构件上、用于将发光芯片固定在基底片上的结合层170（宽度可窄于发光结构，形成局部结合）[0040]。

* **特征D/E（第二支撑构件及其布置）**：指发光芯片底部的支撑衬底，对应导电支撑基板160（如Mo、Si、Cu等导电/导热衬底）[0039][0043]。

* **特征F-J（发光结构及其各层）**：指从下至上布置在第二支撑构件上的半导在外延层，包括第二导电型半导体层140、有源层130和第一导电型半导体层120 [0048]-[0055]。

* **特征K/L（第一电极及其布置）**：指位于发光结构顶层（第一导电型半导体层120）上的电极190，用于引线键合 [0056]。

* **特征M（关键发明点：经金属层连接相邻的第二支撑构件）**：指在通过激光划片/切割将发光器件分隔为独立芯片的过程中，导电支撑基板160熔融再固化形成的金属层160a，或者保留的预定金属部分，用于将相邻发光器件的第二支撑构件（导电支撑基板160）侧面并行连接在一起 [0039][0088][0090]。

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### 二、 对比文件技术特征比对表格

三份对比文件均来自同一专利族（Osram Opto Semiconductors），核心披露的均是荧光粉转换型半导体发光器件（如LED芯片、封装体及波长转换技术）。

* **D1**: JP4278479B2 (Semiconductor light-emitting element)

* **D2**: JP4280598B2 (Light-emitting semiconductor chip)

* **D3**: JP4286104B2 (Use of the semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting element)

#### 特征比对表

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### 三、 最接近对比文件分析与创造性评估

#### 1. 整体解决的技术问题与技术效果

* **目标专利**：解决在LED芯片制造/分割过程中“**防止产生金属毛刺、提高芯片剥离粘附性以及实现平滑有效的贴片/引线键合**”的问题。其通过在中间阵列阶段保留/形成连接相邻第二支撑构件（基板）的“金属层160a”，结合基底胶带和凹凸结合层，确保芯片在切割分离前保持稳定排列阵列结构 [0005][0094]。

* **对比文件（D1, D2, D3）**：解决的是“**利用半导体发光芯片搭配光转换/荧光粉材料生成均匀混合光（如白光）**”的问题，侧重于波长转换、发光效率及封装胶体/转化层的配置。

#### 2. 最接近对比文件的选择

* **评价**：D1 (JP4278479B2)、D2 (JP4280598B2) 和 D3 (JP4286104B2) 属于同一专利族的同族/分案申请。从技术领域看，它们都属于半导体发光器件领域，公开了垂直/平面结构LED芯片的基础半导体层叠结构（特征F, G, H, I, J, K, L, D）。

* 因此，**D1、D2、D3均可作为最接近对比文件**（三者在芯片基本半导体结构层面的公开程度完全一致）。

#### 3. 未被最接近对比文件公开的技术特征分析

对比文件D1、D2、D3**均未能公开**以下核心组合结构特征：

1. **特征A/B/C/E（阵列支撑及结合构造）**：第一支撑构件（基底胶带）及在其上布设的“至少两个结合层”，且第二支撑构件分别布置在结合层上。

2. **特征M（核心发明点）**：“发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接”。

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### 四、 无效请求中最薄弱的技术特征与无效可行性诊断

#### 1. 最薄弱的技术特征判定

本专利权利要求1在无效宣告程序中**最薄弱（最容易被攻破）的技术特征**是：**特征M**（*发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接*）。

**代理师分析理由**：

1. **结构属性争议**：说明书[0088]和[0090]明确记载，金属层160a是激光划片（划线/切割）过程中“**划片后预留的预定部分**”或“**熔融金属再次固化形成**”的产物，其最终在芯片贴片封装前会被移除（[0091][0099]）。

2. **制造中间态 vs 最终产品**：权利要求1限定的是一种“发光器件阵列”。如果将特征M解释为晶圆级/切割半分离状态下的“残存金属连接桥”或“再固化金属渣/边缘金属层”，这种实现在LED垂直结构芯片晶圆划片（Wafer Dicing/Scribing）领域属于**制造过程中的典型中间产物或工艺必然现象**。

#### 2. 现现有对比文件（D1-D3）的无效力度评估

仅凭当前的D1、D2、D3**不足以直接无效掉权利要求1**。因为D1-D3完全聚焦于“荧光粉光转换LED芯片与封装”，完全没有披露：

* LED阵列的转移/切片胶带支撑结构（特征A、B、C）；

* 垂直芯片切割过程中通过金属层连接相邻导电衬底的阵列中间态（特征M）。

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### 五、 进一步对比文件检索策略建议

为了成功提出无效宣告请求，必须补充针对 **“特征M（垂直LED芯片激光划片/金属衬底切割连接）”** 以及 **“特征A-C（芯片切割转移胶带/粘接层构造）”** 的对比文件。建议采用以下检索策略：

#### 1. 关键检索要素（IPC分类号与关键词组合）

* **分类号 (IPC/CPC)**：

* `H01L33/00`（半导体发光器件的制造方法）

* `H01L33/62` / `H01L33/48`（封装/阵列结构）

* `H01L21/78`（半导体衬底的分割/划片）

* `B23K26/38` / `B23K26/00`（激光切割/划片）

* **关键词（中/英/日）**：

* **组A（芯片分离/划片/连接）**：划片 (dicing/scribing)、激光剥离/切割 (laser dicing/melting)、金属层/衬底残余 (metal layer/substrate remaining/interconnect)、熔融再固化 (re-solidified metal)、相邻芯片连接 (adjacent chip connection/linked)。

* **组B（阵列/切割胶带支撑）**：支撑片/胶带 (support sheet/dicing tape/blue tape)、结合层/粘结剂 (bonding layer/adhesive)、发光器件阵列 (LED array)。

#### 2. 重点目标专利文献检索方向

1. **垂直结构LED制造与切割工艺专利**：重点检索 Cree、Osram、LG Innotek、Epistar（晶电）、三星（Samsung）在 **2009年-2010年（目标专利优先权日之前）** 申请的关于“垂直LED晶圆激光划片 (Laser Dicing of Vertical LEDs with Metal Substrate)”的专利。

2. **具体工艺突破点**：寻找公开了“在利用激光切割金属导电衬底（如Cu/Mo/W）时，控制激光能量使相邻芯片衬底间保留部分金属层或形成熔融金属连接，以便于整体转移”的技术方案。一旦检索到该技术特征与现有技术（如D1-D3披露的垂直LED结构）结合，权利要求1的创造性将彻底被摧毁。

从发光器件阵列、封装及其制造方法的专业角度，结合对比文件原文及目标专利说明书，对权利要求1进行逐特征比对、接近对比文件筛选、薄弱特征识别及后续检索策略制定如下：

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### 一、 权利要求1的技术特征拆解与说明书/对比文件特征比对

目标专利说明书（CN102263119B）明确指出：第一支撑构件可为基底片230；第二支撑构件可为导电支撑基板160；金属层160a通过划片/断裂工艺熔融/再次固化或保留预定部分形成，将相邻的发光器件的导电支撑基板160连接并固定其侧面（说明书[0037]、[0039]、[0088]）。

#### **对比文件公开号对应表：**

* **D1**：JP4308620B2

* **D2**：JP4334497B2

* **D3**：US7629621B2

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#### **特征比对表格（Feature Mapping Table）**

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### 二、 最接近对比文件的选择与分析

在进行创造性分析（法条/审查指南相关逻辑）时：

1. **整体解决的技术问题与技术效果分析**：

* **目标专利**解决的技术问题是：在发光器件阵列的切割分离/贴片过程中，防止芯片移位与剥离毛刺，实现平滑且有效的贴片/引线键合（说明书[0005]、[0077]、[0094]）。

* **对比文件 D1、D2、D3**：三者均属于**白光LED/波长转换发光元件**技术领域，其核心目的均在于解决发光颜色均匀性、波长转换效率以及大众化再现性生产的问题（D1/D2的[2]課題；D3的SUMMARY OF THE INVENTION [0008]）。三者所关注的是**单体LED器件的光学与封装胶体结构**，而非发光器件**阵列级（Array-level）的中间制造工艺结构或多芯片物理连接**。

2. **最接近对比文件的判定**：

* 从**技术领域**来看，D1、D2、D3均属于半导体发光器件领域，公开了完整的垂直/同侧电极LED芯片结构（特征D、F、G、H、I、J、K、L）。因此三者均可以作为评价权利要求1创造性的常规现有技术（最接近对比文件候选）。

* 但从**技术实质与发明构思**来看，D1、D2、D3**均不适合单独作为最接近对比文件**来直接否定权利要求1的创造性。因为D1~D3均缺乏目标专利“阵列结构（第一支撑构件 + 阵列结合层 + 相邻器件第二支撑构件间经金属层连接）”这一核心关键构思。

3. **未被公开特征的交叉对比**：

* **特征A、C、E、M**（即第一支撑构件、阵列布置的结合层、以及相邻器件第二支撑构件通过金属层连接）在对比文件 **D1、D2、D3 中均未被公开**。

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### 三、 无效请求中最薄弱的技术特征

若要向国家知识产权局（或对应专利局）提起无效宣告请求，权利要求1中**最薄弱（即最容易被无效/最难以维持专利权）的技术特征**为：

* **最薄弱特征**：**特征M**（`其中发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接`）。

#### **薄弱性分析（法律与技术双重角度）：**

1. **依据目标专利说明书的自我暴露（容易被指责为“隐性结合”或“已被激光切割工艺隐性公开”）**：

目标专利说明书[0088]明确记载：“*在激光划片之后的预定量的熔融金属被再次固化，以形成能够将分离的导电支撑基板相互连接的金属层160a。替代地，在激光划片工艺中保留导电支撑基板160的预定部分以形成金属层160a。*”

说明该“连接相邻第二支撑构件的金属层”**本质上是晶圆级激光划片（Laser Dicing）或半切割（Half-cut）工艺中残余/重新固化的金属渣滓或未切透的余量**。

2. **界定清晰度与保护范围的矛盾**：

在实际产品中，如果已经切割分离成阵列，相邻芯片通过金属熔渣连接反而会导致电学短路或贴片困难；若属于未完全切割状态，该特征属于半导体晶圆切割（Wafer Dicing/Singulation）领域的常规工艺现象（Common General Knowledge）。因此，只要检索到记载“LED晶圆划片切割时衬底/金属层半切（Half-Dicing）或融熔连接”的晶圆制造类对比文件，特征M将极易被认定为公知常识或显而易见的技术手段。

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### 四、 进一步的对比文件检索策略（Search Strategy）

基于现有的D1~D3仅公开了“单芯片层结构”，缺乏“阵列临时支撑基板”和“激光划片残留连接金属层”的情况，建议采取以下精准检索策略：

#### 1. 核心扩展检索要素（Key Search Elements & IPC）：

* **核心主题**：LED晶圆切割（Wafer Dicing）、阵列切割（Array Singulation）、切割带（Dicing Tape/Base Sheet）、半切割/熔融残留（Half-Cut/Molten Metal Residual）。

* **推荐分类号 (IPC/CPC)**：

* `H01L33/00`（发光器件制造）

* `H01L21/78`（半导体器件分离/切割）

* `H01L33/48` / `H01L33/62`（封装及支撑构件）

#### 2. 具体检索表达与组合（Search Queries）：

* **策略一：针对“第一支撑构件+结合层+阵列分离”**

* `(LED or "light emitting diode") AND ("dicing tape" or "carrier substrate" or "base sheet") AND (array or matrix)`

* 检索方向：寻求公开“在粘性蓝膜/切割胶带（对应第一支撑构件）上粘贴已划片的LED芯片阵列”的专利（如蓝膜Dicing Tape相关专利）。

* **策略二：针对最薄弱特征M（“第二支撑构件/衬底通过金属层连接”）**

* `(LED or "light emitting diode") AND ("submount" or "substrate") AND (laser or dicing or cutting) AND ("remained metal" or "reflowed metal" or "half cut" or "connecting portion")`

* 检索方向：重点攻克半导体晶圆激光切割/划片工艺专利，证明“划片时保留衬底金属层/熔融金属再固化形成连接”是划片工艺中的已知现象或公知技术。

#### 3. 优先级国家/文献库：

* 重点检索 **KR（韩国专利）** 和 **CN/TW（中国及台湾地区专利）**，因为该专利申请人（LG Innotek）主要技术研发与制造供应链部署在韩国及台湾地区，其早期关于“半导体晶圆激光剥离（LLO）与切割（Dicing）”的制造工艺专利中极有可能包含了特征M的优先公开。

这是一份针对**CN102263119B（目标专利）**权利要求1的专业专利无效宣告深度对比与分析报告。

作为专利代理师，我将严格依据目标专利说明书对权利要求1的技术特征进行拆解，并与对比文件 **D1（EP1434279B1）**、**D2（JP4388940B2）** 和 **D3（KR1020100020494A）** 的原文具体出处进行逐一比对，评估各对比文件的公开情况、寻找最接近对比文件（含多个），并给出具体的无效检索与诉讼策略。

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## 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书释义

根据 CN102263119B 目标专利说明书（特别是附图1、2及说明书[0037]-[0040]、[0087]-[0092]段），权利要求1的技术特征解释如下：

* **特征A（第一支撑构件）**：说明书中指基底片230（[0037]），如胶带/基底胶片，用于在分离独立芯片后提供暂时的整体支撑。

* **特征B、C（至少两个结合层；布置在第一支撑构件上）**：指结合层170（[0037]、[0040]），宽度比发光结构窄（[0040]），被切割构图后用于将各个独立的器件固定在第一支撑构件上。

* **特征D、E（第二支撑构件；布置在每一个结合层上）**：指导电支撑基板160（[0039]），如金属/合金支撑基板（Cu、Mo、W等），为发光结构提供机械支撑和导电/散热路径。

* **特征F、G（发光结构；布置在第二支撑构件上）**：指包含外延半导体层的结构（[0048]-[0055]）。

* **特征H、I、J（第一/第二导电类型半导体层及有源层）**：LED外延层结构（N型层、P型层及MQW有源层）。

* **特征K、L（第一电极；布置在发光结构上）**：指上电极190（[0056]）。

* **特征M（发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接）**：**【核心防守特征/争议点】** 说明书[0039]、[0088]、[0090]指出，在激光划片分离导电支撑基板时，**预留部分基板**或**熔融金属（如160a）再次固化**，使得相邻器件的第二支撑构件（导电基板160）侧面通过金属层160a连接，形成发光器件阵列。

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## 二、 对比文件特征比对与原文详细出处

针对三个对比文件进行原文比对分析如下：

* **D1**: EP1434279B1 (`EP1434279B`)

* **D2**: JP4388940B2 (`JP4388940B2`)

* **D3**: KR1020100020494A (`KR1020100020494A`)

### 1. 详细特征比对表

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## 三、 最接近对比文件的选择分析

在进行创造性分析（如意向性的三步法）时，选择最接近对比文件的标准包括：技术领域相同、解决的技术问题最接近、揭示的技术特征最多。

### 1. 候选对比文件评估

* **D1 (EP1434279B1)** 与 **D2 (JP4388940B2)**：属于同族或高度相关的专利，侧重于**荧光粉转换白光LED及封装**。其使用的均是传统生长衬底（如SiC/蓝宝石），未涉及转移衬底（第二支撑构件）、阵列切割胶带（第一支撑构件）等结构，公开的特征仅局限于基本的LED芯片电极和外延层。

* **D3 (KR1020100020494A)**：属于**垂直结构发光二极管（Vertical LED）及其阵列分离制造方法**。D3明确公开了：

1. 通过剥离原生衬底（LLO），在金属支撑层（`metal support element`，即第二支撑构件，如Cu/Au）上形成发光结构；

2. 将芯片阵列贴附在蓝带/UV带（`grip tape (201)`，即第一支撑构件）上；

3. 结合层、垂直电极架构与发光结构。

### 2. 结论：最接近的对比文件

**D3 (KR1020100020494A) 最适合作为最接近的对比文件。**

* **技术领域与问题分析**：D3 与目标专利完全一致，均致力于解决“垂直结构LED芯片在阵列剥离、划片分离以及芯片转移封装过程中的结构强度与工艺效率问题”。

* **特征覆盖率**：D3 几乎公开了权利要求1中除**特征M**以外的**所有技术特征（特征A至特征L）**。

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## 四、 未被最接近对比文件公开的特征分析及最薄弱环节

### 1. 区别技术特征

最接近对比文件 D3 未公开的技术特征为 **特征M**：

> “其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。”

*(注：D1 和 D2 中也完全没有公开或教导特征M。)*

### 2. 特征M的作用与目标专利解决的技术问题

* **实际解决的技术问题**：在LED芯片阵列切割 separation 过程中，如何防止芯片散落、保持芯片阵列的相对位置稳定性，以便于后续贴片（Die Bonding）和引线键合（Wire Bonding）工艺的平滑执行（目标专利说明书[0005]、[0039]、[0088]）。

* **实现方式**：在对导电支撑基板160进行激光划片（Laser Scribing）时，控制激光能量使预留部分基板不切断，或者使划片熔融的金属（如160a）再次固化，将相邻芯片的侧基板“微连接”起来。

### 3. 无效请求中最薄弱的技术特征（目标专利的防守核心）

**最薄弱（即目标专利最坚固、无效请求人最难攻克）的技术特征是：特征M。**

* **原因分析**：

1. **传统工艺偏见（教导相反）**：在传统的半导体/LED划片（Dicing/Scribing）工艺中，行业技术人员追求的是**彻底分离（Complete Isolation/Separation）**，以避免芯片间短路或残留毛刺。D3 中段落[137]、[171]等甚至将“无物理机械残留、完全化学分离”作为其核心卖点。

2. **特有的工艺产物/结构**：目标专利将“划片未完全切断/熔融金属再固化形成的金属连接层160a”作为一个结构特征写入权利要求1。这种“半切/金属桥连”的阵列连接结构在现有的垂直LED制造对比文件（如D1-D3）中均未被公开。

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## 五、 进一步对比文件检索策略（针对“特征M”）

为了成功无效目标专利权利要求1（攻克特征M），需要调整检索策略，重点寻找**“LED/半导体芯片阵列在划片分离时，利用未切断的支撑基板/熔融金属层将相邻芯片保持连接”**的技术方案。

建议采取以下进一步检索策略：

### 1. 检索要素组合（Keyword & Classification Strategy）

* **IPC/CPC分类号组合**：

* `H01L33/00`（发光器件制造）

* `H01L21/78`（半导体器件切断/划片）

* `H01L33/48` / `H01L33/62`（发光器件封装/支撑结构）

* **核心关键词组合（多语种扩展）**：

* **中文**：(发光器件 OR 芯片 OR 垂直结构) AND (基板 OR 支撑件 OR 金属层) AND (连结 OR 连接 OR 残留 OR 熔融 OR 未切断 OR 桥连) AND (划片 OR 割片 OR 激光 separation OR 阵列)

* **英文**：(`LED` OR `semiconductor chip`) AND (`metal substrate` OR `carrier` OR `support`) AND (`connected` OR `bridging` OR `partially cut` OR `remnant` OR `re-solidified` OR `molten metal`) AND (`dicing` OR `scribing` OR `singulation` OR `array`)

* **日文**：(`発光素子` OR `半導体チップ`) AND (`金属基板` OR `支持体`) AND (`連結` OR `接続` OR `未分割` OR `溶融金属`) AND (`ダイシング` OR `スクライビング`)

### 2. 重点检索方向与专利库推荐

1. **聚焦“激光划片/半切工艺（Laser Half-Dicing / Stealth Dicing）”领域**：

* 检索滨松光子（Hamamatsu Photonics）、DISCO等专业划片设备大厂的专利，重点看在金属基板（Cu/Mo/W）上进行 **Stealth Dicing（隐形划片）** 或 **Partial Dicing（半切）** 以形成连接梁/连接层的技术。

2. **聚焦“晶圆级封装（WLP）与垂直LED转移技术”**：

* 检索 Cree、Osram、Lumileds、Nich Nichia（日亚）、LG Innotek（目标专利原申请人同期竞争对手）、Samsung 在 2005–2011 年间关于垂直LED（Vertical LED）基板切割与 Array-level Packaging 的专利。

3. **公知常识/教科书/期刊检索**：

* 检索激光热加工领域关于“激光切割金属基板时由于重熔（Re-melting/Re-solidification）导致边缘二次焊接/连接”的失效分析论文或工艺手册，证明“熔融金属再次固化连接”属于激光划片中本领域技术人员公知且不可避免的技术现象（公知常识），或者属于故意保留的半切连接工艺。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利 CN102263119B 的权利要求1，结合其说明书及三份对比文件（D1: JP2010067818A、D2: KR1020100036758A、D3: BRPI9715293B1）进行严谨的技术特征比对、最接近对比文件选择以及创造性分析，并提供无效请求策略与检索建议。

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## 一、 结合目标专利说明书对权利要求1的解释

目标专利（CN102263119B）的核心发明目的是解决发光器件在制造、划片及分芯片过程中的工艺问题，改善器件粘附性、减少毛刺并提高贴片/引线键合效率。

结合目标专利说明书的记载，对权利要求1的各技术特征解释如下：

* **第一支撑构件（特征A）**：指用于在芯片分离后支撑整个发光器件阵列的临时或永久基底。说明书[0037]与[0038]段明确指出，第一支撑构件可以是**基底片230**（如具有UV带形状或硅处理带形状的胶带/黏贴带，材料可为PVC、PAT、PPT混合环氧树脂）。

* **至少两个结合层（特征B、C）**：指布置在第一支撑构件上、用于将各个独立发光器件固定在第一支撑构件上的粘接介质。说明书[0040]与[0075]段指出，结合层170的宽度被构图为**比发光结构的宽度窄**（例如边缘以内1~10微米），且表面可形成凹凸微结构[0041]。

* **第二支撑构件（特征D、E）**：指直接支撑半导体发光结构并提供机械支撑或导电/导热功能的基底。说明书[0039]与[0043]段指出，第二支撑构件为**导电支撑基板160**（如Mo、Si、W、Cu、Al等或其合金/载具晶圆）。

* **发光结构及第一电极（特征F~L）**：指典型的垂直结构发光二极管（LED）外延层及电极，依次包括第一导电类型半导体层120（如n-GaN）、有源层130（MQW）、第二导电类型半导体层140（如p-GaN），以及布置在发光结构顶部的第一电极190（n型电极）。

* **经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（特征M）**：**此特征为权利要求1的划界/核心特征**。说明书[0039]、[0088]及[0090]段明确解释：在采用激光划片（Laser Scribing）分离导电支撑基板160时，划片产生的熔融金属经**再次固化**，或者在划片时**保留一部分**导电支撑基板，从而形成将相邻器件的第二支撑构件（导电支撑基板160）在侧面相互连接的**金属层160a**。

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## 二、 对比文件特征比对（含详细出处与对比表格）

### 1. 对比文件公开号及基本信息

* **D1**：JP2010067818A（公开日：2010-03-25）

* **D2**：KR1020100036758A（公开日：2010-04-08）

* **D3**：BRPI9715293B1（公开日：2016-11-01，优先权日/母案申请日：1997-06-26）

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### 2. 特征比对表格（与权利要求1特征比对）

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### 3. 各对比文件公开细节与原文出处分析

#### (1) 对比文件 D1 (JP2010067818A)

* **公开特征分析**：

* **特征 A、B、C、D、E**：D1公开了一种用于半导体发光元件的晶圆及其制造方法。图1及说明书[2]段第[0011]~[0013]节公开了：在化合物半导体层14（**特征F~J**）下方设有Si支持基板10（**特征D**），支持基板10的第二主表面上部分形成有第二电极13（**特征B、E**）。在进行切割（Dicing）时，晶圆被放置在切割胶带（Dicing Sheet，**特征A**）上，使第二电极13与胶带接触（**特征C**）。第一电极12形成在光取出面上（**特征K、L**）。

* **未公开特征**：

* **特征 M**：D1不仅**没有公开**特征M，而且其**技术教导恰恰相反**。D1的核心发明点在于“在待切割的预定位置（划片道 Dicing street 19）**不形成**第二电极13（Au软金属）”（参见说明书[2]段第[0011]节：“*...前記支持基板の第二電極は、ダイシング加工されるべき所定の位置に前記第二電極が形成されていない...*”），其目的是避免切割刀头被金属堵塞导致基板背部崩边（Backside Chipping）。

#### (2) 对比文件 D2 (KR1020100036758A)

* **公开特征分析**：

* **特征 D、F~L**：D2公开了一种垂直结构LED。说明书第[18]段及图1公开了：导电基板71（Si, GaAs, Cu, Ni等，**特征D**），其上依次叠置金属反射层61、粘接层67、P型半导体层59（**特征I**）、活性层57（**特征J**）、N型半导体层55（**特征H**），以及顶部的电极垫83（**特征K、L**）。

* **未公开特征**：

* **特征 A、B、C、E、M**：D2未公开第一支撑构件（胶带）、阵列化的结合层，更未公开相邻导电基板之间通过金属层连接的特征M。说明书第[37]段仅指出沿着预定义的划线（Scribing lines）切断导电基板71以分离成独立芯片。

#### (3) 对比文件 D3 (BRPI9715293B1)

* **公开特征分析**：

* **特征 D、F~L**：D3公开了一种光电复合发光元件。说明书[2]段第[0059]~[0060]节及图1、图9公开了具有衬底18或导电引线2（**特征D**）、外延层结构7（**特征F~J**，含N型、P型层及活性区）以及前侧电极12（**特征K、L**）。

* **未公开特征**：

* **特征 A、B、C、E、M**：D3主要关注荧光转换（YAG:Ce）实现白光的技术，未涉及发光器件阵列在第一支撑构件上的结合层布局及晶圆切割划片时相邻第二支撑构件间的金属层连接结构。

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## 三、 最接近对比文件的选择与技术效果分析

### 1. 最接近对比文件的选择：**D1 (JP2010067818A)**

在创造性分析中，**D1 是最适合作为最接近对比文件（Primary Prior Art）的文献**。

* **理由**：

1. **技术领域相同**：D1与目标专利均属于“半导体发光器件阵列/晶圆及其切片制造方法”技术领域。

2. **解决的技术问题重合度最高**：两者均致力于解决垂直结构LED在带支持基板/金属层切片（Dicing/Scribing）过程中的工艺难题（如减少划片损耗、防止切片剥离、提高分芯片与贴片封装的良率）。

3. **技术特征重合度最高**：D1公开了权利要求1的大部分技术特征（特征 A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L），构成了最为接近的技术方案。

### 2. D1未公开的技术特征及区别特征分析

将权利要求1与最接近对比文件 D1 进行比对，**区别技术特征**为：

* **区别特征 M**：*发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。*

#### 区别特征 M 在目标专利中实际解决的技术问题与效果：

* **目标专利说明书记载（[0039]、[0088]、[0090]、[0094]）**：在通过激光划片（Laser Scribing）或半切割分离导电支撑基板160时，允许形成/保留再次固化的金属层160a将相邻的第二支撑构件固定连接。

* **技术效果**：

1. 在芯片切片（Separation）及移载至临时基底（基底片230）的过程中，通过金属层160a侧向牵牢相邻芯片，能够**防止未完全固化的独立芯片发生位移或提前脱落**；

2. 保持发光器件阵列的整体结构稳定，使得后续贴片（Die Bonding）和引线键合（Wire Bonding）工艺能够更平滑、高效地执行。

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## 四、 创造性与“最薄弱技术特征”分析

### 1. 区别特征是否被其他对比文件（D2、D3）公开？

* **结论：未被公开。**

* **分析**：

* **D2** 中仅提到常规的“沿划线切断（Cutting along scribing lines）”，切断后芯片即完全独立，没有任何关于“划片后相邻基底间仍保留或再次固开金属层进行连接”的教导。

* **D3** 主要涉及光转换与封装结构，完全未涉及晶圆划片分离及相邻基底间的金属连接。

### 2. 无效请求中最薄弱的技术特征

目标专利权利要求1在无效宣告程序中**最薄弱的技术特征是：特征 M（第二支撑构件经通过金属层与相邻第二支撑构件连接）**。

#### 薄弱性原因分析（代理师视角）：

1. **反向教导（Technical Technical Disincentive / Anti-Teaching）风险**：

* 在本领域（LED划片工艺）中，划片的根本目的是将晶圆**彻底分割为彼此电学与物理绝缘的独立芯片**。D1明确教导了划片道上残留金属会导致刀片堵塞及崩边，因此要求“避开金属”。

* 目标专利中的“金属层160a连接相邻基板”实际上是**激光划片过程中热熔金属再固化形成的残留物/废屑连接**（如说明书[0088]所述：“*激光划片之后的预定量的熔融金属被再次固化...或者保留预定部分*”）。将制造过程中的“划片残留物/未切透状态”定义为结构特征，在专利授权合规性上存在逻辑瑕疵。

2. **公知常识/有限选择（Common General Knowledge）**：

* 如果发光器件阵列在划片后尚未进行终极扩胶（Expansion）或单独拾取（Pick-and-place），相邻芯片间存在连条（Tie-bar）或未切透的金属余量属于半导体切割工艺中常见的“半切割（Half-cut）状态”。

* 专利局复审委或法院极易认定：**在连分体切割工艺中，控制激光能量使得基底间残留部分金属层（半切状态）以维持阵列形状，属于本领域技术人员根据工艺需要容易想到的公知常识或常规选择。**

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## 五、 进一步的对比文件检索策略（无效检索建议）

由于现有对比文件（D1~D3）未能直接击中**特征 M（激光划片/切割后相邻基底间保留熔融/残留金属层连接）**，若要成功无效权利要求1，建议采取以下针对性的检索策略：

### 1. 检索要素表达（Keywords & IPC/CPC）

* **核心概念 1（划片/切割/半切）**：

* Keywords: `Half-cut`, `Laser scribing`, `Laser dicing`, `Remnant`, `Re-solidified`, `Connecting layer`, `Bridge`, `熔融`, `再次固化`, `半切割`, `连条`, `划片残留`

* **核心概念 2（金属基底/支撑层连接）**：

* Keywords: `Metal substrate`, `Submount`, `Adjacent chips`, `Conductive carrier`, `金属支撑基板`, `相邻芯片`, `侧面连接`

* **分类号（IPC/CPC）组合**：

* `H01L 33/00`（半导体发光器件制造）

* `H01L 21/78`（将半导体衬底切割/分离成独立芯片的技术，特别是含金属层的划片）

* `B23K 26/38` / `B23K 26/40`（激光切割半导体/金属复合结构）

### 2. 重点检索方向与文献库推荐

1. **聚焦“激光剥离（LLO）与激光划片（Laser Scribing）”专项专利**：

* 重点排查 2005 年 ~ 2011 年期间（目标专利申请日 2011年5月 之前），各大 LED 晶圆制造巨头（如 **Cree、Philips Lumileds、Osram、Nikko Materials、Epistar 晶电、San'an 三安**）关于垂直结构 LED（Vertical LED）划片工艺的专利。

* **重点寻找**：描述“采用激光对金属复合基底（Cu/W/Si）进行切割时，通过控制激光脉冲/功率，使熔融金属在切缝侧面凝固形成连接桥（Metal bridges），以防芯片飞散，后续通过机械拉伸（Expanding）拉断连接”的现有技术。

2. **非专利文献（NPL）检索**：

* IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies

* Journal of Electronic Materials

* 检索关于 *“Laser dicing of metal-matrix substrates for vertical LEDs”* 或 *“Thermal melting and re-solidification in laser dicing”* 的学术论文。这类论文常会详细描述激光划片后切缝边缘金属熔化重凝（Re-solidification）连接相邻 Submount 的物理现象。

3. **围绕目标专利说明书[0088]段的“半切割”公知常识证据收集**：

* 检索半导体后道封测（Back-end packaging）手册或教材，证明在晶圆切割（Dicing）工序中，“半切（Half-cutting）”或“利用切缝底部/侧面残存金属维持阵列定位”属于通用工艺手段。

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<FollowUp label="是否需要我针对特征M编写一份详细的无效宣告补充理由书草案（基于D1结合公知常识）？" query="请基于D1结合公知常识，针对权利要求1的技术特征M编写一份严谨的无效宣告理由书草案。"/>

根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米。

根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述结合层包括凹凸结构；所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上。

根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同。

根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同。

根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同。

根据权利要求1所述的发光器件阵列，进一步包括；欧姆层；所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间。

根据权利要求7所述的发光器件阵列，进一步包括；反射层；所述反射层被布置在所述欧姆层 and 所述第二支撑构件之间。

根据权利要求8所述的发光器件阵列，进一步包括；粘附层；所述粘附层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。

根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述第二支撑构件是导电支撑基板；并且所述导电支撑基板包括从由Mo、Si、W、Cu以及Al组成的组或者所述组的合金、Au、Cu合金、Ni－镍、Cu-W以及载具晶圆中选择的材料中的至少一个。

根据权利要求7所述的发光器件阵列，其中所述欧姆层包括从由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IZON、AGZO、IGZO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf组成的组中选择的至少一个。

根据权利要求8所述的发光器件阵列，其中所述反射层包括Al、Ag、Pt以及Rh的合金、Al、Ag、Ni、Pt以及Rh中的至少一个。

根据权利要求9所述的发光器件阵列，其中所述粘附层包括从由Au、Sn、In、Al、Si、Ag、Ni以及Cu组成的组或者所述组的合金中选择的至少一个。

根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述第一支撑构件包括PVC、PAT以及PPT中的一个。

根据权利要求14所述的发光器件阵列，其中所述第一支撑构件进一步包括环氧树脂。