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对比文件列表
2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device_+++G_H+++.docx
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2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
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2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes_+++G_H+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2003-11-28_JP2003338639A_发明专利_JP2003338639A Display_+++A_G_H+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device_+++F_G_H_S+++.docx
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2004-10-28_US2004211970A_发明申请_US20040211970A1 Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function_+++G_H_n_o+++.docx
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2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
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2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
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2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx

对比文件名称:2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

调用模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括金属片。未公开对比文件未公开独立的金属片。在[0270]中,光发射器12安装在引线框的基座15上,基座是引线框的一部分,并非单独的金属片;在[0231]中,光反射部分20是金属构件,但用于反射而非芯片安装。目标专利的金属片是用于安装LED芯片并散热的薄金属板,对比文件没有公开这种独立的金属片结构,因此未公开。
技术特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片。未公开对比文件[0270]:“光发射器12安装在基座15前壁上的杯42内侧表面上。” 杯是引线框的一部分,没有金属片。目标专利的芯片直接安装在金属片上,对比文件中芯片安装在引线框的杯上,而非金属片,因此未公开。
技术特征C:在所述金属片上的绝缘层。未公开对比文件没有公开绝缘层。目标专利的绝缘层在金属片上,对比文件无此结构,因此未公开。
技术特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离。未公开对比文件未公开绝缘层,无隔离关系。由于没有绝缘层,该特征未公开。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框。未公开对比文件未公开绝缘层上的引线框。对比文件引线框直接埋入树脂中,没有绝缘层,因此未公开。
技术特征F:在所述引线框上的反射涂层。**隐含公开**对比文件[0270]:“用于光反射的杯42围绕基座1上的光发射器安装位置设置。” 该杯是引线框的一部分,具有反射光的作用。对比文件中的杯作为引线框的一部分,具有反射光的功能,与目标专利中反射涂层在引线框上反射光的作用相同。本领域技术人员可以合理推断出在引线框上设置反射涂层以实现反射,因此隐含公开。
技术特征G:模塑材料。**直接公开**对比文件[0206]:“光发射器12(LED芯片)密封在由光学透明树脂材料制成的模塑树脂13中。”对比文件明确公开了模塑材料(mold resin)用于密封LED芯片,因此直接公开。
技术特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片。**直接公开**同上[0206]。模塑材料密封芯片即是以预定形状包裹芯片,直接公开。
技术特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间。**隐含公开**对比文件[0270]:杯42形成内部空间(杯状空间),用于容纳芯片和模塑材料。杯作为反射结构,其内部形成第一空间,与目标专利中反射涂层内部的第一空间功能相同,因此隐含公开。
技术特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部。**隐含公开**对比文件[0270]和[0271]显示模塑树脂13填充在杯42内部,即第一空间内部。模塑材料填充在杯形成的内部空间,与目标专利的模塑材料设置在第一空间内部一致,因此隐含公开。
技术特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中。未公开对比文件未公开绝缘层,也无提及由绝缘层和引线框包围的第二空间。目标专利的第二空间需要绝缘层,对比文件无此结构,因此未公开。
技术特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上。**隐含公开**对比文件[0271]:模塑树脂覆盖芯片并延伸到杯上方,因此部分模塑材料位于杯内部空间的上方。对比文件中模塑材料部分高于杯内部空间,与目标专利的模塑材料部分高于第一空间一致,因此隐含公开。
技术特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度。未公开对比文件未公开任何金属片的厚度范围。目标专利的金属片厚度特定,对比文件未涉及,因此未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成。未公开对比文件未公开玻璃环氧基材料。因此未公开。
技术特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成。未公开对比文件未公开阻燃剂-4树脂。因此未公开。
技术特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分。未公开对比文件中的反射涂层为金属膜(如铝、银)或金属构件,未提及氧化钛和树脂。因此未公开。
技术特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成。未公开对比文件未公开白色树脂。因此未公开。
技术特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成。未公开对比文件未公开上述组分。因此未公开。
技术特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上。**隐含公开**对比文件[0270]:杯42仅形成在引线框的局部区域(基座周围),不是整个引线框。杯作为反射结构,仅设置在引线框的部分区域,本领域技术人员可以合理推断出反射涂层仅形成在部分区域上,因此隐含公开。

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