对比文件的名称：2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor
目标专利的名称：发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括金属片<br>**未公开** | 对比文件公开了支持体包括绝缘基板（玻璃环氧树脂111）和外部电极（Cu层110、Ni层109、Au层108、Ag层107等）（【0023】），其中Cu层厚度18-70μm，是外部电极的一部分，并非独立金属片。 | 对比文件中没有单独设置“金属片”这一构件，Cu层是外部电极的组成部分，位于绝缘基板之上，且LED芯片不安装在该Cu层表面。目标专利的金属片是独立于引线框的散热片，位于绝缘层之下，芯片直接表面安装在其上。两者在结构、位置、功能上均不同，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得到该特征。 |
| 技术特征B：表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片<br>**未公开** | 对比文件公开了LED芯片100通过Au凸点106倒装焊在外部电极的Au层108上，芯片的电极面朝下（【0023】、【0042】）。 | 对比文件中的芯片采用倒装焊方式，通过凸点与电极连接，而非直接表面安装在金属片上。目标专利的芯片使用导热糊直接安装在金属片表面，二者安装方式、所依附的构件均不同，因此未公开。 |
| 技术特征C：在所述金属片上的绝缘层<br>**未公开** | 对比文件公开了绝缘性基板（玻璃环氧树脂111）上形成外部电极，即绝缘层在底部，金属层在上（【0023】）。 | 目标专利的绝缘层位于金属片之上，对比文件的绝缘基板位于金属层之下，层叠顺序相反，因此未公开该特征。 |
| 技术特征D：所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离<br>**直接公开** | 对比文件公开了绝缘基板111上形成外部电极，LED芯片100通过凸点106连接在外部电极上，芯片与绝缘基板之间隔着外部电极层和内部反射层（【0024】、实施例2）。 | 对比文件中，芯片与绝缘基板不直接接触，它们之间被外部电极和内部反射层分隔，因此芯片与绝缘层是隔离的。这与目标专利中绝缘层与芯片隔离（避免干扰）的作用相同，本领域技术人员可直接识别。 |
| 技术特征E：在所述绝缘层上的引线框<br>**直接公开** | 对比文件公开了在绝缘性基板（玻璃环氧树脂111）上分离积层的外部电极112（【0023】），外部电极包括Cu、Ni、Au、Ag层，形成电路图案。 | 对比文件的外部电极相当于引线框，形成在绝缘基板上，即绝缘层上具有导体线路。目标专利的引线框同样在绝缘层上用于电连接，因此直接公开。 |
| 技术特征F：在所述引线框上的反射涂层<br>**直接公开** | 对比文件公开了反射层（Ag层107或外部反射层201）形成在外部电极上（【0023】、【0034】），如“Ag层107形成在Au层108上”，“外部反射层201形成在外部电极上”。 | 反射层直接形成在外部电极（引线框）上，与目标专利的反射涂层在引线框上相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：模塑材料<br>**直接公开** | 对比文件公开了模塑部材301（【0034】），用于封住LED芯片和反射层。 | 对比文件明确具有模塑材料，用于封装保护，与目标专利的模塑材料作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征H：该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片<br>**直接公开** | 对比文件公开了模塑部材301可以形成凸透镜形状等（【0034】），并模制芯片。 | 模塑材料成型为预定形状（如透镜）以覆盖芯片，实现光控制，与目标专利的模制方式相同，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间<br>**直接公开** | 对比文件公开了反射层（Ag层107）设有贯通孔（【0023】），或外部反射层201具有贯通孔（【0032】），该贯通孔用于容纳芯片或凸点。 | 反射层内部具有贯通孔，即第一空间，用于容纳芯片或提供安装空间，与目标专利的第一空间作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征J：所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部<br>**直接公开** | 对比文件实施例3中，模塑部材（环氧树脂）填充在外部反射层201的贯通孔内（【0035】），封住芯片。 | 模塑材料设置在反射层的贯通孔（第一空间）内部，直接公开。 |
| 技术特征K：和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中<br>**未公开** | 对比文件未明确公开绝缘层和引线框包围的第二空间。模塑材料主要设置在外部反射层贯通孔内及上方，绝缘基板与外部电极之间无此空间。 | 目标专利中模塑材料还填充在绝缘层和引线框所包围的空间，而对比文件没有对应结构，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上。<br>**直接公开** | 对比文件实施例3中，模塑材料（环氧树脂）覆盖在外部反射层201上面和LED芯片基板上（【0035】），即模塑材料高于反射层内部空间。 | 模塑材料部分位于反射层内部空间之上，形成覆盖层，与目标专利中模塑材料高于反射涂层内部第一空间的特征相同，直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述金属片具有25μm～75μm的厚度。<br>**未公开** | 对比文件公开了Cu层110厚度18-70μm（【0042】），但该Cu层是外部电极的一部分，并非金属片。 | 对比文件未公开独立的金属片，其Cu层厚度范围与目标专利不完全相同且功能不同，因此未公开该厚度限定。 |
| 技术特征N：其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成。<br>**直接公开** | 对比文件公开了绝缘性基板使用玻璃环氧树脂111（【0023】）。 | 玻璃环氧树脂即为玻璃环氧基材料，直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成。<br>**隐含公开** | 对比文件公开了绝缘性基板使用玻璃环氧树脂（【0023】），玻璃环氧树脂通常包括FR-4（阻燃剂-4）树脂。 | 阻燃剂-4树脂是玻璃环氧树脂的常见类型，本领域技术人员可合理推断对比文件中的玻璃环氧树脂可能包含FR-4，但未明确写明，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分。<br>**直接公开** | 对比文件公开了反射层可以使用树脂，并含有扩散剂，扩散剂包括氧化钛（【0035】）。 | 反射层包含树脂和氧化钛，目标专利同样以氧化钛和树脂为主组分，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：其中所述反射涂层由白色树脂制成。<br>**隐含公开** | 对比文件公开了反射层含有扩散剂如氧化钛（【0035】），使树脂呈白色。 | 含有氧化钛等扩散剂的树脂通常为白色，本领域技术人员可合理推断反射层为白色树脂，但未明确说明，因此隐含公开。 |
| 技术特征R：所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成。<br>**未公开** | 对比文件扩散剂列举了氧化钡、钛酸钡、氧化硅、氧化钛、氧化铝等（【0035】），未包含碳酸钙、硫酸钡、氧化锌。 | 对比文件未公开这些特定材料，也没有暗示使用这些材料，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上。<br>**直接公开** | 对比文件公开了反射层（Ag层107）设有贯通孔，因此反射层仅覆盖外部电极的部分区域（【0023】）。 | 反射层具有开口，仅形成在引线框的部分区域，与目标专利相同，直接公开。 |
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