**对比文件名称：** JP2002280878A Electronic circuit unit
**目标专利名称：** 无基板分立耦合电感器结构 CN104969312B
**模型名称：** 本次调用的模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号/位置) | 公开性论述 |
| **A: 包括第一电感器绕组，其包括导电材料** | 【0012】“第１のインダクタ２と第２のインダクタ３は、アルミナ等からなる基板１０上に蒸着やスパッタ等のフォトリソ技術を用いて薄膜形成されている。” | 对比文件明确公开了第一电感器（第１のインダクタ２），并且通过蒸镀或溅射等光刻技术薄膜形成，这必然使用导电材料（如金属）。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **B: 第二电感器绕组，其包括导电材料** | 【0012】“第１のインダクタ２と第２のインダクタ３は、アルミナ等からなる基板１０上に蒸着やスパッタ等のフォトリソ技術を用いて薄膜形成されている。” | 对比文件明确公开了第二电感器（第２のインダクタ３），其形成方式与第一电感器相同，同样使用了导电材料。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **C: 填充物，其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间** | 未找到明确或隐含的对应描述。 | 对比文件描述了第一和第二电感器在基板同一平面上以同心圆状配置并电磁耦合【0007】。但并未提及在第一与第二电感器绕组“之间”存在任何“填充物”。绝缘体层11【0012】是用于引出部与电感器之间的绝缘，并非位于两个电感器绕组之间。因此，技术特征C未被公开。 |
| **D: 所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合** | 未找到明确或隐含的对应描述。 | 由于对比文件未公开位于两电感器绕组之间的“填充物”，自然也谈不上该填充物提供“结构耦合”的功能。对比文件中两个电感器的结构支撑和固定依赖于基板10，其电磁耦合是物理邻近和同心布置的结果，而非由额外填充物实现的结构耦合。因此，技术特征D未被公开。 |
| **E: 其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。** | 【0012】“第１のインダクタ２と第２のインダクタ３は、アルミナ等からなる基板１０上に蒸着やスパッタ等のフォトリソ技術を用いて薄膜形成されている。” | 对比文件明确且反复强调电感器是形成在基板10（アルミナ等からなる基板）之上的【0007, 0012, 0014】。基板10是整个电子电路单元的结构基底。这与目标专利明确要求“没有作为基底部分的基板”的技术特征完全相反。因此，技术特征E未被公开。 |
| **F: 其特征在于，所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。** | 【0012】“第１のインダクタ２と第２のインダクタ３は基板１０の同一平面上で所定間隔ｄを保って同心円状に電磁結合されており” | 对比文件明确记载第一电感器和第二电感器在基板10的“同一平面上”（同一平面上）。这直接公开了两个电感器绕组是横向共面的。因此，技术特征F被对比文件直接公开。 |
| **G: 其特征在于，所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状，并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。** | 【0007】“基板の同一平面上に第１のインダクタと第２のインダクタをそれぞれ渦巻き形状に薄膜形成する” | 对比文件明确公开了第一和第二电感器均为“渦巻き形状”，即螺旋形状。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **H: 其特征在于，所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。** | 【0015】“第１および第２のインダクタ２，３を角形の渦巻き形状にする代わりに円形の渦巻き形状にしてもよい” | 对比文件公开了电感器可以是“角形”或“円形”的螺旋形状。目标专利的“拉长的圆形形状”（如赛马场形状）是螺旋形状的一种特定形态。对比文件公开的“圆形螺旋”与之类似，但未明确描述为“拉长的”。从宽松的隐含公开标准判断，本领域技术人员可以从公开的“圆形螺旋”形状，根据设计需要合理推断或选择实现为“拉长的圆形”这一具体螺旋形态。因此，技术特征H被对比文件隐含公开。 |
| **I: 其特征在于，所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子，并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。** | 【0012】“第１および第２のインダクタ２，３はそれぞれ引き出し部２ａ，３ａを有し” 以及附图1-3所示电路连接。 | 对比文件明确记载第一和第二电感器分别具有引出部（引き出し部）2a和3a。在电路图中（图1），第一电感器2一端连接晶体管集电极，另一端连接集电极电压端子6；第二电感器3两端分别连接输出端子8和9。这公开了每个电感器绕组具有两个电连接端（即端子）。因此，技术特征I被对比文件直接公开。 |
| **J: 其特征在于，所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端，并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。** | 【0012】“一方の引き出し部２ａは第１のインダクタ２に中心部で接続され...他方の引き出し部３ａも同様に構成されており、この引き出し部３ａは第２のインダクタ３に中心部で接続され” | 对比文件描述了引出部从电感器的“中心部”连接并引出。目标专利的“第一端”和“第二端”可能指电感器绕组的起止端。对比文件并未明确描述端子（引出部）具体连接到绕组的两端（起止端）。从电路功能推断，电感器需要有输入和输出连接点，但对比文件公开的具体连接点是“中心部”，这与连接到绕组“端部”的技术方案并不相同。因此，技术特征J未被公开。 |
| **K: 其特征在于，所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。** | 【0012】“薄膜形成されている” | 对比文件提及电感器是“薄膜形成”。薄膜技术在电子领域通常意味着厚度很薄，可能在微米级。然而，“薄膜”是一个相对概念，并未给出具体的数值范围。对比文件完全没有提及厚度为“小于0.2毫米”这一具体限定。因此，技术特征K未被公开。 |
| **L: 其特征在于，所述填充物为环氧树脂。** | 未找到明确或隐含的对应描述。 | 对比文件未提及任何位于两电感器之间的“填充物”，更未公开该填充物的材料为环氧树脂。因此，技术特征L未被公开。 |
| **M: 其特征在于，所述电感器结构还包括：至少一个铁磁层，其位于与所述填充物相邻。** | 未找到明确或隐含的对应描述。 | 对比文件的整个说明书中均未提及任何铁磁层。因此，技术特征M未被公开。 |
| **N: 其特征在于，所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。** | 未找到明确或隐含的对应描述。 | 对比文件描述的是在单独的基板10上形成电感器并构成电子电路单元，并未提及任何关于层叠封装（PoP）结构的内容。因此，技术特征N未被公开。 |
| **O: 其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。** | 【0012】“基板１０上に蒸着やスパッタ等のフォトリソ技術を用いて薄膜形成されている” | 对比文件公开了电感器形成在基板10的表面上。目标专利的“封装基板”是特定类型的基板。对比文件的基板10（例如氧化铝）是电路基板，其用途是承载电路元件。从广义和宽松的标准看，本领域技术人员可以将这种在基板表面制作电感器的技术应用于“封装基板的表面”这一具体场景，这是一种合理的、可预见的技术迁移。因此，技术特征O被对比文件隐含公开。 |
| **P: 其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板内部。** | 未找到明确或隐含的对应描述。 | 对比文件仅描述了电感器形成在基板表面，没有任何内容涉及将电感器集成到封装基板的“内部”。因此，技术特征P未被公开。 |
| **Q: 其特征在于，所述电感器结构被纳入在电子设备中。** | 【0002】“携帯電話等の無線通信機器の分野において” | 对比文件明确其技术领域涉及“移动电话等无线通信设备”。这直接公开了包含所述电感器的电子电路单元将被用于电子设备（如移动电话）中。因此，技术特征Q被对比文件直接公开。 |
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