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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx

对比文件的名称:2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing

目标专利的名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料<br>《直接公开》【0010】段落:<br>「本発明では、平面型磁気素子の構造を、フェライト磁性膜/平面コイル/フェライト磁性膜/外部電極構造とし、基板を除くことによってさらに薄型化することが可能になった。」<br>【0041】段落:<br>「この上にフォトレジストを塗布した後、フォトエッチングによりライン幅40μm/ライン間隔40μm、厚み40μm、3ターン+3ターンのダブルスパイラルコイルのレジストフレームを形成した。... 電気メッキにより、レジストフレーム内にCuを析出させた...」对比文件公开了一种平面磁元件,其包含平面线圈(平面コイル)。该线圈由导电材料铜(Cu)通过电镀形成。这对应于目标专利中由导电材料构成的第一电感器绕组。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料<br>《直接公开》【0041】段落:<br>「...3ターン+3ターンのダブルスパイラルコイル... これは、3ターンのスパイラルコイルが2個直列に並んで...」<br>【0038】段落及图13、14:<br>「図13は、2個のスパイラル型平面コイル11a,11bを直列に結合した例、図14は2個のスパイラル型平面コイル11a,11bを並列に結合した例を示した。」对比文件明确公开了包含两个螺旋线圈(ダブルスパイラルコイル)的结构,这两个线圈可以串联或并联。第二个螺旋线圈(11b)同样由铜等导电材料构成。这直接对应于目标专利中的第二电感器绕组。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,<br>《隐含公开》【0010】段落:<br>「本発明では、平面型磁気素子の構造を、フェライト磁性膜/平面コイル/フェライト磁性膜/外部電極構造とし...」<br>【0036】段落及图1、2:<br>「表面実装型平面磁気素子1は、平面コイル11、上下部フェライト磁性膜13、14とその間に介装された平面コイル11とから成り...」对比文件公开了结构为“铁氧体磁性膜/平面线圈/铁氧体磁性膜”。虽然对比文件的“填充物”是铁氧体磁性膜,而目标专利可以是环氧树脂,但两者在结构上都位于线圈(绕组)之间,起到支撑、固定和提供磁路的作用。根据宽松的隐含公开判断标准,本领域技术人员可以合理推断出在两个线圈组件之间存在一种“填充物”或“介电/磁性材料”来构成完整的元件结构。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,<br>《隐含公开》【0010】段落:<br>「...フェライト磁性膜/平面コイル/フェライト磁性膜...」<br>【0036】段落:<br>「...上下部フェライト磁性膜13、14とその間に介装された平面コイル11とから成り...」对比文件中,上下铁氧体磁性膜将平面线圈夹在中间,共同构成了一个完整的、具有结构完整性的磁元件。这种结构必然要求铁氧体膜对线圈起到支撑、固定和结合的作用,即提供了“结构耦合”。虽然目标专利的填充物可能侧重物理粘结,而对比文件的铁氧体膜还兼具磁芯功能,但两者在实现绕组之间的物理结合以形成稳定结构方面的作用是相同或相似的。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。<br>《直接公开》【0010】段落:<br>「従来の平面磁気素子は、磁性膜やコイルを支持する基板を有しており、これが素子厚みの大半を占めていた。本発明では、平面型磁気素子の構造を、フェライト磁性膜/平面コイル/フェライト磁性膜/外部電極構造とし、基板を除くことによってさらに薄型化することが可能になった。」<br>「このような基板を有しない磁気素子(基板フリー磁気素子)の製法の一例を以下に示す。」<br>【0042】段落:<br>「基板フリー表面実装型平面磁気素子とした。」对比文件明确提出了“无基板磁元件(基板フリー磁気素子)”的概念,并详细说明了通过移除基板(例如通过特定环境条件使铁氧体膜/基板界面剥离)来制造更薄元件的方法。这直接对应于目标专利的“没有作为基底部分的基板”这一核心特征。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。<br>《直接公开》【0041】段落:<br>「...3ターン+3ターンのダブルスパイラルコイル...」<br>【0038】段落及图13、14:<br>图13和图14明确展示了两个螺旋线圈(11a, 11b)在同一平面上并排排列(直列或並列)。对比文件中的“双螺旋线圈”以及图13、14所示的多个螺旋线圈,明确是制作在同一平面(同一层)上的。这直接公开了多个电感器绕组横向共面的技术特征。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。<br>《直接公开》【0038】段落及图11、13、14:<br>「図11はスパイラル型...図13は、2個のスパイラル型平面コイル11a,11bを直列に結合した例、図14は2個のスパイラル型平面コイル11a,11bを並列に結合した例を示した。」<br>【0012】段落:<br>「平面コイルとしては、スパイラル型...がより好適である。さらには、スパイラル型コイルを2つ以上...並べて...」对比文件不仅将螺旋形(スパイラル型)作为优选的线圈形状,而且在实施例和附图中明确示出了使用两个螺旋形平面线圈(11a和11b)的结构。这直接公开了第一和第二电感器绕组均为螺旋形状的特征。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。<br>《未公开》无相关描述。对比文件公开的螺旋线圈形状(如图11所示)通常是方形或圆形的螺旋,并未描述或暗示“拉长的圆形形状”(例如跑道形)。该特定形状未被公开。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。<br>《直接公开》【0036】段落及图1、2:<br>「表面実装型平面磁気素子1は、平面コイル11、...コイルの端子12の上に上部フェライト磁性膜14に開孔が形成され、この開孔を通って外部電極15が上部フェライト上に形成されている。」<br>【0038】段落及图13、14:<br>图13和14中,每个螺旋线圈(11a, 11b)都有其各自的端子引出。对比文件明确显示了平面线圈具有端子(端子12),并通过开口与外部电极连接。对于包含两个线圈的结构(如双螺旋),每个线圈必然有自己的两个端子以实现电气连接。因此,该特征被直接公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。<br>《未公开》无相关具体描述。对比文件虽然公开了线圈有端子并连接至外部电极,但并未具体描述每个端子是耦合到线圈的“第一端”还是“第二端”(即线圈的起始端和结束端)。该具体的连接关系未被明确公开。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。<br>《隐含公开》【0021】段落:<br>「前記平面コイルの厚みについては、10μm以上100μm以下とする。」<br>【0052】表6:<br>实施例7中测试了10μm到100μm(即0.01mm到0.1mm)不同厚度的线圈。对比文件明确将平面线圈的厚度范围限定在10μm至100μm之间,即0.01mm至0.1mm。该范围完全落入目标专利“小于0.2毫米”的范围内。本领域技术人员能够毫无疑义地得出线圈厚度可以小于0.2mm的技术方案。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。<br>《未公开》无相关描述。对比文件中位于线圈之间的“填充物”是铁氧体磁性膜(フェライト磁性膜),其成分是铁氧体磁粉与粘合剂的混合物,经烧结形成。这与目标专利中明确指出的“环氧树脂”这种未烧结的聚合物填充材料完全不同。该特定材料特征未被公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。<br>《隐含公开》【0010】、【0036】段落:<br>结构为“フェライト磁性膜/平面コイル/フェライト磁性膜”。铁氧体(フェライト)是一种铁磁材料。对比文件的整个磁芯结构就是由上下铁氧体磁性膜构成,它们直接与中间的线圈(相当于目标专利中填充物所在的位置)相邻。虽然目标专利的铁磁层可能是附加层,而对比文件的铁氧体膜是主体结构,但根据宽松的隐含公开标准,对比文件公开了与绕组相邻的铁磁材料层。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。<br>《未公开》无相关描述。对比文件仅描述了独立的表面安装型磁元件本身及其制造方法,并未涉及其集成到层叠封装(PoP)结构的具体应用或实施例。该集成场景特征未被公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。<br>《未公开》无相关描述。对比文件未描述将所述磁元件集成在“封装基板”的表面上。其应用场景是作为独立元件表面安装在电路板上。该特征未被公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。<br>《未公开》无相关描述。对比文件未描述将所述磁元件嵌入或集成在“封装基板”内部。该特征未被公开。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。<br>《直接公开》【0002】段落:<br>「近年、携帯電話やノート型パソコンなどのような、電池で駆動される携帯機器の利用が進んでいる。... 電源に搭載されるトランス、インダクタなどの磁気素子...」对比文件在背景技术和发明目的中明确指出,该磁元件(如电感器)旨在用于移动电话、笔记本电脑等便携设备中。这直接公开了将电感器结构纳入电子设备中的特征。

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