对比文件名称：2008-04-17_JP2008091551A_发明专利_JP2008091551A Magnetoresistance effect element, magnetic storage device, and magnetic memory device
目标专利名称：334包括位于钉扎层中的功能层的磁性存储元件及其制造方法CN102986047B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括钉扎层堆叠，其集成在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM中。《未公开》 | 对比文件[2]段公开了磁阻效应元件用于磁存储器装置（例如，第4实施形态的磁気メモリ装置）。 | 对比文件公开的磁阻效应元件可用于磁存储装置（如硬盘驱动器）和磁存储器装置（如MRAM）。然而，目标专利明确限定为“自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）”。对比文件全文未提及“自旋转移力矩（STT）”或“STT-MRAM”。其描述的存储器写入方式包括磁场写入（图16）或自旋极化电流注入（图19），但并未将其明确限定或等同于STT-MRAM技术。STT-MRAM是MRAM的一种特定类型，其写入机制依赖于自旋转移力矩。本领域技术人员阅读对比文件后，不能毫无疑义地得出或合理推断出其中公开的磁存储器装置就是STT-MRAM。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征B：所述钉扎层堆叠由多个层形成。《直接公开》 | 对比文件[2]段记载：“固定磁化積層体３３は、反強磁性層３２側から第１固定磁化層３４、非磁性結合層３５、第２固定磁化層３６が順に積層されてなる。”（固定磁化积层体33，从反强磁性层32侧起依次层叠有第1固定磁化层34、非磁性结合层35、第2固定磁化层36。） | 对比文件明确公开了“固定磁化积层体33”，其由第1固定磁化层34、非磁性结合层35和第2固定磁化层36多个层形成。在目标专利中，“钉扎层堆叠”对应于具有固定磁化方向的层叠结构。因此，对比文件直接公开了“钉扎层堆叠由多个层形成”这一技术特征。 |
| 技术特征C：所述多个层包括底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层。《直接公开》 | 对比文件[2]段记载：“固定磁化積層体３３は、反強磁性層３２側から第１固定磁化層３４、非磁性結合層３５、第２固定磁化層３６が順に積層されてなる。” | 对比文件公开的“第1固定磁化层34”位于反强磁性层侧，其作用为固定磁化方向，相当于目标专利的“底部钉扎层”；“非磁性结合层35”用于实现上下铁磁层间的反铁磁耦合，相当于目标专利的“耦合层”；“第2固定磁化层36”位于非磁性结合层之上，其磁化方向被固定，相当于目标专利的“顶部钉扎层”。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征D：第一功能层，其安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中。《未公开》 | 对比文件[2]段记载：“非磁性金属層３７…拡散防止層３８…自由磁化層３９が順次積層された構成からなる。”以及“拡散防止層３８はＣｏＦｅＡｌからなる。” | 对比文件公开了“扩散防止层38”，其由CoFeAl形成，位于非磁性金属层37和自由磁化层39之间。在目标专利中，“功能层”是安置于“钉扎层”（即固定磁化层）的内部，例如在底部钉扎层或顶部钉扎层之中（如图3、4所示）。而对比文件的扩散防止层38位于钉扎层堆叠（固定磁化积层体33）之外，介于钉扎层（第2固定磁化层36）与自由层（自由磁化层39）之间，其位置和作用（防止Mn从自由层扩散）均不同于目标专利中位于钉扎层内部的功能层（用于防止材料在钉扎层堆叠内扩散或增强结晶）。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征E：其中所述第一功能层是形成自钽的结晶增强功能层。《未公开》 | 对比文件[2]段记载：“拡散防止層３８はＣｏＦｅＡｌからなる。” | 对比文件明确记载扩散防止层的材料是CoFeAl，而非“钽（Ta）”。虽然对比文件在其他部分提及Ta膜可用于下地层等（例如[2]段），但并未将其作为“扩散防止层”或类似“功能层”的材料，更未提及由其形成的层具有“结晶增强”功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征F：其中所述第一功能层保护所述钉扎层堆叠免于穿过所述多个层的高温材料扩散。《未公开》 | 对比文件[2]段记载：“拡散防止層３８…自由磁化層３９のＭｎ系ホイスラー合金のＭｎ原子が非磁性金属層３７に拡散するのを抑止する。” | 对比文件中扩散防止层38的作用是防止自由磁化层39中的Mn原子扩散到相邻的非磁性金属层37中。其保护对象是“非磁性金属层”，防止来自“自由层”的扩散。而目标专利中功能层的作用是“保护钉扎层堆叠”，防止高温过程中材料（如来自AF层的Mn或来自耦合层的Ru）在钉扎层堆叠内部（底部钉扎层、耦合层、顶部钉扎层之间）扩散。两者所要解决的技术问题、保护对象及作用机制均不相同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中所述结晶增强功能层促进晶体形成。《未公开》 | 对比文件未提及扩散防止层具有促进晶体形成的作用。 | 对比文件详细描述了扩散防止层（CoFeAl）在防止Mn扩散、低保磁力、低饱和磁化强度等方面的优点（[2]段），但从未提及或暗示该层具有“促进晶体形成”或“结晶增强”的功能。目标专利的“结晶增强功能层”明确用于增强相邻层（如耦合层中的Ru或隧穿势垒中的MgO）的结晶化。对比文件未公开此作用。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层包括第一层和第二层，所述第一功能层插入于所述第一层与第二层之间。《未公开》 | 对比文件中未记载将固定磁化层（钉扎层）进一步划分为第一层和第二层，并在其间插入功能层。 | 目标专利的特征H限定了功能层在钉扎层内部的具体位置结构，即钉扎层被分成两层，功能层插入其间（如图3中底部钉扎层分为206a和206b，功能层340插入其中）。对比文件中的固定磁化层（如第1固定磁化层34、第2固定磁化层36）均被描述为单层，未提及将其再细分并在内部插入任何功能层。扩散防止层38位于整个固定磁化积层体33（即钉扎层堆叠）之外。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其进一步包括第二功能层，所述第二功能层安置于与安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层相对的钉扎层中。《未公开》 | 对比文件[2]段（第3例GMR膜60）记载了在自由磁化层39的上下均设有扩散防止层（38和68）。 | 对比文件虽然公开了在自由层两侧设置多个“扩散防止层”（38和68），但这些层均位于自由层与非磁性层/保护层之间，并非如目标专利所限定的“安置于钉扎层中”。目标专利的第二功能层是安置在与第一功能层相对的另一个钉扎层（如一个在底部钉扎层，另一个在顶部钉扎层）内部。对比文件的结构完全不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中所述第二功能层由不同于所述第一功能层的材料形成。《未公开》 | 对比文件[2]段（第3例GMR膜60）中，下部拡散防止層３８和上部拡散防止層６８均由CoFeAl形成。 | 由于对比文件未公开如目标专利所定义的第一和第二功能层（位于钉扎层内部），因此关于它们材料是否相同的限定无从谈起。即便考虑对比文件中的多个扩散防止层，其材料也相同（CoFeAl），而非“不同”。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述第二功能层由相同于所述第一功能层的材料形成。《未公开》 | 对比文件[2]段（第3例GMR膜60）中，下部拡散防止層３８和上部拡散防止層６８均由CoFeAl形成。 | 同特征J所述，基础特征（功能层位于钉扎层中）未被公开。即使本领域技术人员看到对比文件中多个扩散防止层材料相同，也无法毫无疑义地或通过合理推断得出目标专利中位于钉扎层内部的功能层材料相同的技术方案。因为位置和作用的根本差异导致这种组合推断缺乏结合启示。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L：其进一步包括与所述第一功能层安置于同一底部钉扎层或顶部钉扎层中的第二功能层。《未公开》 | 对比文件中未记载在同一固定磁化层（钉扎层）内部安置两个或以上功能层。 | 目标专利的特征L涉及在同一钉扎层（如底部钉扎层）内插入多个功能层（如图9、10所示）。对比文件从未描述将固定磁化层（钉扎层）分割成多个子层并在其中插入多个功能层。其“扩散防止层”均位于层堆叠中不同材料的界面处（如自由层/非磁性层界面），而非同一材料层内部。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M：其进一步包括反铁磁层、隧穿势垒层、自由层和/或罩盖层。《直接公开》 | 1. 反强磁性层32：[2]段记载：“反強磁性層３２は、例えば膜厚４ｎｍ〜３０ｎｍのＭｎ−ＴＭ合金から構成される。”<br>2. 隧穿势垒层（非磁性绝缘层37a）：[2]段记载：“非磁性絶縁層３７ａは、例えば厚さが０．２ｎｍ〜２．０ｎｍからなり、Ｍｇ…の酸化物からなる。”<br>3. 自由磁化层39：[2]段记载：“自由磁化層３９は、Ｍｎ系のホイスラー合金からなる。”<br>4. 保护层40：[2]段记载：“保護層４０は非磁性金属材料からなり、例えばＲｕ、Ｃｕ、Ｔａ…から構成される。” | 对比文件明确公开了磁阻效应元件包含：反强磁性层（对应目标专利的反铁磁层AF）、非磁性绝缘层（对应目标专利的隧穿势垒层）、自由磁化层（对应目标专利的自由层）以及保护层（对应目标专利的罩盖/硬掩模层）。这些层是构成CPP型磁阻效应元件（包括TMR）的基本要素，在目标专利中也是MTJ存储元件的必要组成部分。因此，这些技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述存储元件集成在选自由以下各项组成的群组的电子装置中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机。《未公开》 | 对比文件[2]段公开了磁阻效应元件可用于“磁気記憶装置”（如硬盘驱动器）和“磁気メモリ装置”（如MRAM）。 | 对比文件仅一般性地公开了磁阻效应元件可用于存储装置和存储器装置。目标专利则具体限定了存储元件集成在一系列具体的电子装置中。对比文件并未提及或暗示其元件应用于“机顶盒、音乐播放器、视频播放器、导航装置、通信装置、PDA、固定位置数据单元和计算机”这些特定产品。虽然存储装置或存储器可以作为部件用于这些产品，但对比文件本身未公开这种具体的应用场景限定。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述STT-MRAM装置集成在至少一个半导体裸片中。《未公开》 | 对比文件[2]段（第4实施形态）描述了磁気メモリ装置形成在シリコン基板（硅基板）上。 | 对比文件提到存储器装置形成在硅基板上，但未使用“半导体裸片（semiconductor die）”这一术语。目标专利强调“集成在至少一个半导体裸片中”，这涉及半导体制造的后道工序和封装形式。虽然“硅基板”是半导体裸片的基础，但“集成在半导体裸片中”包含了切割、封装等含义，对比文件并未明确描述到这一层次。更关键的是，对比文件未公开其装置是“STT-MRAM装置”（见特征A分析）。因此，该技术特征未被公开。 |
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