对比文件名称：2008-12-12_KR1020080108351A_发明公开_KR1020080108351A 고수율 고밀도 온-칩 커패시터 설계
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，《隐含公开》 | 参见[64]、[65]、[69]段：“CMOS(312)是 FEOL 电容器... CVNCAP(316)是... 金属层... M1 至 M4... M5 及 M6... M7 及 M8... Port 1(801) 电连接到... CMOS(312)的栅极(708)、‘-’标记 CVNCAP 第一金属层极板(822)、‘-’标记 CVNCAP 第二金属层极板(832)、‘-’标记第三上部金属层极板(842)及 CMIM 上部极板(752)。Port 2(802) 电连接到... ‘+’标记 CVNCAP 第一金属层极板(820)... CMIM 下部极板(754)。” | 对比文件公开了VNCAP（垂直原生电容器，属于MOM电容器的一种）由互连堆叠中的多个金属层（M1-M8）构成，并且这些金属层通过通孔与上层的MIM电容器（CMIM）的极板电连接，共同构成一个并联的复合电容器结构。MIM电容器（CMIM）可以认为是位于互连堆叠的“上”部（BEOL）。虽然对比文件未明确使用“第一上互连层”这一术语，但其描述的CMIM电容器（314）的下部极板（754）和上部极板（752）实质上是位于互连堆叠上层的导电层，并作为电路端口（Port 1, Port 2）的一部分。VNCAP（MOM电容器）通过其上层金属（如M7, M8）与CMIM电容器的极板电连接，这隐含了MOM电容器结构耦合到了互连堆叠中相当于“第一上互连层”的层级（即CMIM电容器的极板所在层）。本领域技术人员能够从这种连接关系毫无疑义地推断出，MOM电容器（VNCAP）通过其最上方的金属层（如M7/M8）与上层的MIM电容器结构实现了电学上的耦合，从而构成了一个整体。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层，《直接公开》 | 参见[64]、[65]段：“CVNCAP(316)包含三组逐渐增大的金属层... 第一下部组(716)为四个金属层(718, M1 至 M4)... 第二中间组(724)为更大的金属层(726, M5 及 M6)... 第三最上部组(740)为金属层(742, M7 及 M8)...” | 对比文件明确且直接地描述了VNCAP（即MOM电容器）包含互连堆叠中的多个金属层，具体包括M1至M4这些下部的金属互连层。这与目标专利中MOM电容器结构包括至少一个下互连层的技术特征完全相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层，《隐含公开》 | 参见[65]、[69]段：“CMIM(314)也是BEOL的一部分，具有上部极板(752)及下部极板(754)... Port 1(801) 电连接到... CMIM上部极板(752)。Port 2(802) 电连接到... CMIM下部极板(754)。” 以及[72]段：“...CMOS(312)/CMIM(314)/CVNCAP(316) 要素(310)作为 Port 1(801) 与 Port 2(802) 之间的一个片上功能。” | 对比文件公开了MIM电容器（CMIM）具有独立的上部极板(752)和下部极板(754)，它们分别连接到两个电路端口（Port 1, Port 2）。在集成电路的互连堆叠中，这些用作电容器极板的金属层同时承担着互连功能，连接到外部电路。因此，CMIM的上部极板(752)和/或下部极板(754)实质上起到了“上互连层”的作用。由于MOM电容器（VNCAP）通过其金属层（如M7, M8）与CMIM的极板电连接（见[69]段），可以合理推断，存在一个与MOM电容器结构耦合的“第二上互连层”（即CMIM的上部极板或下部极板），用于将整个复合电容器连接到电路的其他部分。本领域技术人员根据对比文件公开的电连接关系，能够推理出这一特征。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层，《隐含公开》 | 参见[65]段：“CMIM(314)也是BEOL的一部分，具有上部极板(752)及下部极板(754)以及其间的电介质(756)...” | 对比文件明确公开了MIM电容器（CMIM）包含介电层（756）位于上部极板（752）和下部极板（754）之间。结合对技术特征A和C的分析，上部极板(752)和下部极板(754)可分别对应于“第二上互连层”和“第一上互连层”（或反之）。因此，位于这两个极板之间的介电层（756）即构成了“至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层”。本领域技术人员能够从对比文件公开的MIM电容器结构直接且毫无疑义地得出该技术特征。因此，技术特征D被隐含公开（实质上已直接公开，但因其依赖于对“第一/第二上互连层”的认定，故在此列为隐含公开）。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，《直接公开》 | 参见[45]、[69]、[72]段：“...并联 CMOS(312)/CMIM(314)/CVNCAP(316) 要素(310)...”、“Port 1(801) 电连接到... CMIM上部极板(752)... CVNCAP... 极板... Port 2(802) 电连接到... CMIM下部极板(754)... CVNCAP... 极板...”、“...CMOS(312)/CMIM(314)/CVNCAP(316) 要素(310)作为 Port 1(801) 与 Port 2(802) 之间的一个片上功能。” | 对比文件明确且直接地描述了MIM电容器（CMIM）与MOS电容器（CMOS，属于FEOL电容器）以及VNCAP（MOM电容器，属于BEOL电容器）并联连接，共同构成一个复合电容器元件（310）。这种并联关系明确构成了“耦合”。因此，技术特征E被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，《未公开》 | 参见[65]段：“CMIM(314)也是BEOL的一部分，具有上部极板(752)及下部极板(754)以及其间的电介质(756)...” | 对比文件公开的MIM电容器（CMIM）具有独立形成的上部极板(752)和下部极板(754)。这两个极板都是专门为MIM电容器沉积形成的，并非由已有的互连层（如M1-M10中的某一层）的一部分直接充当。目标专利的核心改进点之一在于MIM电容器的一个极板（第一电容器极板）是由已有的第一上互连层（例如M9层）的一部分直接构成，从而节省掩模和工艺步骤。对比文件完全没有公开或暗示这种“仅包括第一上互连层的一部分”作为MIM电容器极板的结构。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。《直接公开》 | 参见[65]段：“CMIM(314)也是BEOL的一部分，具有上部极板(752)及下部极板(754)以及其间的电介质(756)...” | 对比文件明确公开了MIM电容器（CMIM）包含上部极板(752)和下部极板(754)。这些极板是构成MIM电容器层的必要组成部分。因此，“第二电容器极板”（无论是上部极板还是下部极板）必然“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”。这与目标专利的技术特征G完全相同。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件仅公开了一个单一的MIM电容器结构（CMIM），该结构具有独立的上、下极板和中间的介电层。没有公开任何“附加MIM电容器结构”，更没有公开两个MIM电容器结构共享一个极板（即一个MIM电容器的极板同时作为另一个MIM电容器的极板）的层叠或嵌套结构。目标专利的此特征描述了一种特定的、更复杂的MIM电容器组合方式，对比文件中完全没有涉及。因此，技术特征H未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。《未公开》 | 无对应内容。 | 由于技术特征H所述的“附加MIM电容器结构”未被对比文件公开，因此关于该附加结构如何与第二上互连层连接的技术特征I自然也未被公开。对比文件中不存在对“第二上互连层”进行分割并与不同MIM电容器极板分别连接的技术方案。因此，技术特征I未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件全文仅描述了片上电容器结构本身及其制造、电学特性，并未提及或暗示将该电容器结构集成到任何具体的终端设备或应用中，例如蜂窝电话、PCS单元等。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
<<<B>>><<<E>>><<<G>>><<<a>>><<<c>>><<<d>>>