对比文件的名称：2006-02-16_JP2006049486A_发明专利_JP2006049486A Semiconductor device and its manufacturing method
目标专利的名称：互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
特征比对表格：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，<br>**未公开** | 对比文件全文未提及“金属氧化物金属(MOM)电容器”。对比文件描述的是多层堆叠的MIM（金属绝缘体金属）电容器结构（例如，[2]段：“複数のＭＩＭ容量を有する多層配線構造”）。 | 技术特征A限定了“MOM电容器结构”，其根据目标专利说明书（例如[0002]、[0025]段）是利用互连层内横向叉指之间的电容性耦合的装置。对比文件全文仅涉及垂直极板耦合的MIM电容器，未公开任何形式的MOM电容器。因此，本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出存在MOM电容器结构，故该特征既未被直接公开也未被隐含公开。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层<br>**未公开** | 对比文件全文未提及MOM电容器，因此自然也未有MOM电容器包含下互连层的记载。 | 由于对比文件未公开技术特征A（MOM电容器结构），因此其包含“至少一个下互连层”的特征也未被公开。本领域技术人员无法从对比文件推断出该技术特征。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层<br>**未公开** | 对比文件全文未提及MOM电容器，因此自然也未有第二上互连层耦合到MOM电容器的记载。 | 由于对比文件未公开MOM电容器结构，因此与其耦合的第二上互连层这一特征也未被公开。本领域技术人员无法从对比文件推断出该技术特征。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层<br>**《直接公开》** | [2]段：“第２の金属膜配線と上層の第３の金属膜配線との間に形成された第２の上部電極と、第２の金属膜配線の一部よりなる第２の下部電極と、第２の上部電極と第２の下部電極との間に存在する第２の容量絶縁膜とからなる第２のＭＩＭ容量”。<br>译文：在第二金属膜配线与上层的第三金属膜配线之间形成的第二上部电极、由第二金属膜配线的一部分构成的第二下部电极、以及存在于第二上部电极与第二下部电极之间的第二电容绝缘膜构成的第二MIM电容。 | 对比文件明确公开了在第二金属膜配线（对应第二上互连层）与第三金属膜配线（对应第三上互连层，对于该层间结构而言可视为第二上互连层）之间存在由上部电极、下部电极和其间的电容绝缘膜（即MIM电容器层）构成的MIM电容。这与技术特征D限定的“位于第一上互连层与第二上互连层之间的至少一个MIM电容器层”在结构上完全相同，作用均是形成电容。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，属于直接公开。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，<br>**未公开** | 对比文件全文未提及MOM电容器，因此自然也未有MIM电容器结构耦合到MOM电容器的记载。 | 技术特征E限定了MIM电容器结构“耦合到所述MOM电容器结构”。对比文件虽然公开了MIM电容器结构，但并未公开其与MOM电容器结构存在耦合关系。由于MOM电容器结构本身未被公开，该耦合关系更无从谈起。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，<br>**未公开** | 对比文件[2]段描述了MIM电容器的极板构成，例如：“第１の金属膜配線の一部よりなる第１の下部電極”（由第一金属膜配线的一部分构成的第一下部电极）和“第１の上部電極”（第一上部电极）。这些电极（如501， 502）是专门为电容器形成的独立金属层（参见图2及对应描述），并非“仅包括所述第一上互连层的一部分”。在另一个实施例（图4）中，使用了层间绝缘膜2011作为电容绝缘膜，但电极302是专门的金属层，并非上互连层的一部分。 | 技术特征F限定了MIM电容器的一个极板“仅包括所述第一上互连层的一部分”，即利用互连层本身作为电容器极板。对比文件中公开的MIM电容器，其极板（无论是上部电极如501、502、5，还是下部电极如301、302的一部分）虽然可能与互连层（金属膜配线）共用材料或通过同一工艺步骤形成，但根据对比文件的描述和图2、4，这些极板是专门为电容器图案化形成的独立结构（“上部電極”），而非目标专利中所述的直接利用互连层（如M9）的一部分作为极板。因此，该特征未被直接公开。同时，对比文件也未提供足够信息使本领域技术人员能合理推断出这种特定的极板构成方式，故也未被隐含公开。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**未公开** | 对比文件[2]段明确指出MIM电容器由“上部電極”、“下部電極”和其间的“容量絶縁膜”（电容绝缘膜）构成。例如图2中，501是上部电极，401是电容绝缘膜。电极（501）和绝缘膜（401）是分立的层。 | 技术特征G限定的“第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”含义不清，但结合目标专利说明书（如[0009]、[0010]段）及图2，其含义是MIM电容器的极板（如252）是由MIM工艺中沉积的金属层（即MIM电容器层的一部分）构成。对比文件中，MIM电容器的极板（如501、502）是明确的金属电极层，而“MIM电容器层”通常指包括电极和介电层的整体，或特指介电层。无论如何理解，对比文件中的电极是独立的金属层，并非“包括”介电层的一部分。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**《直接公开》** | [2]段（实施形态2）：“符号３０２は層間絶縁膜２０１１上に形成された第２層目金属膜配線を示し、第１のＭＩＭ容量の上部電極と第２のＭＩＭ容量の下部電極とを兼ねる。”<br>译文：符号302表示在层间绝缘膜2011上形成的第2层金属膜配线，兼作第1MIM电容的上部电极和第2MIM电容的下部电极。<br>（结合图3、4可知，302既是下层MIM电容（以301为下极板，2011为介电层）的上极板，又是上层MIM电容（以302为下极板，4为介电层，5为上极板）的下极板。） | 对比文件实施形态2明确公开了在多层金属膜配线（相当于互连层）之间堆叠了两个MIM电容器。其中，第二层金属膜配线（302）同时作为下层MIM电容器的“第一电容器极板”（即上极板）和上层（附加）MIM电容器的“第二电容器极板”（即下极板）。这完全对应于技术特征H中“所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板”的限定。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，属于直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**《直接公开》** | [2]段（实施形态2，结合图4）：“符号３０３は層間絶縁膜２０２上に形成された第３層目金属膜配線を示す。符号６は層間絶縁膜２０２に形成されて上部電極５０２と第３層目金属膜配線３０３とを接続するタングステンプラグを示す。”<br>译文：符号303表示在层间绝缘膜202上形成的第3层金属膜配线。符号6表示在层间绝缘膜202中形成并连接上部电极502与第3层金属膜配线303的钨塞。<br>（在图4中，第三层金属膜配线303通过插塞602连接到上层MIM电容器的上极板5（即附加MIM电容器结构的第一电容器极板）。同时，第三层金属膜配线303也通过其他路径（未在图4明确画出插塞，但根据电路连接关系）连接到作为该附加MIM电容器下极板的金属膜配线302（即第二电容器极板），这在图8、9的并联实施例中有更清晰的展示，其原理相同。） | 对比文件图4及相应描述公开了上层的金属膜配线（303，相当于第二上互连层）通过插塞（602）连接到附加MIM电容器结构的上极板（5，即第一电容器极板）。同时，根据图4所示的结构，上层金属膜配线（303）也必然通过插塞或其他导电通路（例如经由侧向连接，如图8、9实施例所示）连接到作为该电容器下极板的金属层（302，即第二电容器极板），以实现电容器的两端引出。这完全对应于技术特征I的限定。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，属于直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**《直接公开》** | [2]段：“また、携帯電話用システム電源に使用する半導体集積回路では、入／出力を内部回路よりも高電圧で使用する場合が多い。”<br>译文：此外，在用于移动电话系统电源的半导体集成电路中，输入/输出经常以高于内部电路的电压使用。 | 对比文件明确记载了其发明的MIM电容器结构可用于“携帯電話”（移动电话）。移动电话属于技术特征J所列举的“蜂窝电话”范畴。因此，对比文件直接公开了将包含所述MIM电容器的半导体装置集成到蜂窝电话中的应用。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，属于直接公开。 |
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