对比文件名称：2007-10-11_JP2007528604A_发明专利_JP2007528604A Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device produced by the present method
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，<br>**《未直接公开或隐含公开》** | 无相关引用。 | 对比文件全文仅描述了金属-绝缘体-金属（MIM）电容器（例如电容器210、220、710、720等）及电阻器的制造与结构，未提及任何金属氧化物金属（MOM）电容器结构。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开一个耦合到互连堆叠第一上互连层的MOM电容器结构。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层<br>**《未直接公开或隐含公开》** | 无相关引用。 | 由于对比文件未公开MOM电容器结构，因此自然也未公开该MOM电容器结构包含互连堆叠的至少一个下互连层这一特征。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层<br>**《未直接公开或隐含公开》** | 无相关引用。 | 由于对比文件未公开MOM电容器结构，因此也不存在耦合到该MOM电容器结构的第二上互连层。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层<br>**《隐含公开》** | [2] “例えば、半導体装置の層間誘電体（ＩＬＤ）領域の内部に形成される金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタについて考察する。”<br>（例如，考虑在半导体器件的层间介电体（ILD）区域内形成的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。）<br>[2] “図２に示すように、誘電体材料１５０及び電極材料１４０をパターニングしてキャパシタ２２０の電極２２１を形成し、キャパシタ２１０の電極２１２を形成し、そして抵抗体２３０を画定している。 キャパシタ２１０及び２２０、及び抵抗体２３０の少なくとも一部分はパターニング済み配線層１２０の上に形成される。”<br>（如图2所示，对介电材料150和电极材料140进行图案化，形成电容器220的电极221，电容器210的电极212，并限定电阻器230。电容器210和220以及电阻器230的至少一部分形成在图案化布线层120上。） | 对比文件明确公开了在半导体器件中形成MIM电容器（如210、220）。这些电容器包含介电材料（如150）和电极材料（如140、160）构成的层，这些层本质上就是MIM电容器层。虽然对比文件未明确使用“第一上互连层”和“第二上互连层”的术语，但其描述的“图案化布线层”（如120）是本领域技术人员公知的互连层（即后端制程中的金属层）。MIM电容器形成在这些互连层之上（“パターニング済み配線層１２０の上に形成される”），这意味着MIM电容器层位于其下方的互连层（可视为一个上互连层）与其上方的后续互连层或电极（可视为另一个上互连层或等效结构）之间。本领域技术人员能够理解，在多层互连结构中，MIM电容器层必然位于两个导电层（例如金属互连层或专门的电容器电极层）之间以实现电容功能。因此，对比文件隐含公开了位于两个互连层（或等效导电层）之间的至少一个MIM电容器层。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，<br>**《未直接公开或隐含公开》** | 无相关引用。 | 对比文件虽然公开了MIM电容器结构（如210、220），但由于其未公开MOM电容器结构，因此也不存在一个“耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构”。两个结构之间的耦合关系在对比文件中没有基础。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，<br>**《隐含公开》** | [2] “一の実施形態では、パターニング済み配線層１２０の部分１２１はキャパシタ２１０の電極２１３を構成する。 同じ、または別の実施形態では、パターニング済み配線層１２０の部分１２２はキャパシタ２２０の電極２２２を構成する。”<br>（在一个实施方式中，图案化布线层120的部分121构成电容器210的电极213。在相同或另一实施方式中，图案化布线层120的部分122构成电容器220的电极222。）<br>[2] “一例として、電極２１１はキャパシタ２１０の上部電極とすることができ、電極２１２はキャパシタ２１０の中間電極とすることができ、そして電極２１３はキャパシタ２１０の下部電極とすることができる。 別の例として、電極２２１はキャパシタ２２０の上部電極とすることができ、そして電極２２２はキャパシタ２２０の下部電極とすることができる。”<br>（例如，电极211可以作为电容器210的上部电极，电极212可以作为电容器210的中间电极，电极213可以作为电容器210的下部电极。另一例如，电极221可以作为电容器220的上部电极，电极222可以作为电容器220的下部电极。） | 对比文件明确公开了使用已有的“图案化布线层”（即互连层）的一部分直接作为MIM电容器的电极（极板）。例如，图案化布线层120的部分121作为电容器210的电极213（下部电极），部分122作为电容器220的电极222（下部电极）。这意味着，MIM电容器结构的一个极板（下部电极）仅由互连层（即第一上互连层）的一部分构成，而没有使用额外沉积的专用电极材料来形成该极板。这完全对应于目标专利中“第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分”的技术方案。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**《隐含公开》** | [2] “図２に示すように、誘電体材料１７０及び電極材料１６０をパターニングしてキャパシタ２１０の電極２１２を形成している。 図２に更に示すように、誘電体材料１５０及び電極材料１４０をパターニングしてキャパシタ２２０の電極２２１を形成し、キャパシタ２１０の電極２１２を形成し、そして抵抗体２３０を画定している。”<br>（如图2所示，对介电材料170和电极材料160进行图案化，形成电容器210的电极212。如图2进一步所示，对介电材料150和电极材料140进行图案化，形成电容器220的电极221，电容器210的电极212，并限定电阻器230。） | 对比文件公开了通过图案化沉积的介电材料和电极材料来形成MIM电容器的另一极板（例如电容器210的电极212、电容器220的电极221）。这些电极（212、221）是通过图案化MIM电容器层（包括介电层和电极材料层）形成的，因此“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”。例如，电极212是通过图案化介电材料150和电极材料140（它们共同构成MIM电容器层）形成的，电极221也是如此。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**《隐含公开》** | [2] “図示の実施形態では、キャパシタ２１０は並列接続される２つのＭＩＭキャパシタを有する積層型キャパシタを構成する。”<br>（在图示的实施方式中，电容器210构成具有并联连接的两个MIM电容器的堆叠型电容器。）<br>[2] “一例として、電極２１１はキャパシタ２１０の上部電極とすることができ、電極２１２はキャパシタ２１０の中間電極とすることができ、そして電極２１３はキャパシタ２１０の下部電極とすることができる。”<br>（例如，电极211可以作为电容器210的上部电极，电极212可以作为电容器210的中间电极，电极213可以作为电容器210的下部电极。） | 对比文件公开了堆叠型电容器210，其包含两个串联/并联的MIM电容器单元。具体地，电容器210具有电极213（下部电极，来自布线层121）、电极212（中间电极）和电极211（上部电极）。电极212和电极213之间通过介电层（如150）形成一个MIM电容器，电极211和电极212之间通过另一介电层（如150或170之下的结构）形成另一个MIM电容器。在此结构中，电极212既作为第一个MIM电容器（以213为下极板）的上极板，又作为第二个MIM电容器（以211为上极板）的下极板。这完全对应于目标专利中“附加MIM电容器结构”共享极板的结构：一个MIM电容器结构（对应第一个单元）的第一极板（电极213）作为附加MIM电容器结构（对应第二个单元）的第二极板。虽然对比文件未明确限定这两个“上互连层”，但电极213来自互连层（第一上互连层的一部分），电极211是沉积形成的上部电极，本领域技术人员可以理解它们分别耦合或等效于互连堆叠中的不同导电层。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**《隐含公开》** | [2] “図３に示すように、電気コンタクト３１１はキャパシタ２１０の電極２１３に接続され、電気コンタクト３１２及び３１３はキャパシタ２１０の電極２１１に接続され、そして電気コンタクト３１４はキャパシタ２１０の電極２１２に接続されている。”<br>（如图3所示，电接触311连接到电容器210的电极213，电接触312和313连接到电容器210的电极211，并且电接触314连接到电容器210的电极212。） | 对比文件图3示出了堆叠电容器210的各个电极（213， 212， 211）均通过电接触（311， 314， 312/313）连接到外部电路。这些电接触最终会连接到互连堆叠的上层金属（即第二上互连层或更高层）以实现电路连接。本领域技术人员可以毫无疑义地推断，为了将电容器集成到电路中，其各电极必须通过通孔（即电接触）连接到上方的互连层。具体到堆叠电容器210，其两个MIM电容器单元的两个极板（例如对应于附加MIM电容器结构的第一极板和第二极板，根据上文分析可能是电极211和电极212）分别通过不同的电接触（312/313和314）连接到上方的互连层（第二上互连层）。这隐含公开了第二上互连层的不同部分分别耦合到附加MIM电容器结构的两个极板。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**《未直接公开或隐含公开》** | 无相关引用。 | 对比文件仅一般性地描述了半导体器件及其中的电容器结构，并未提及将这些电容器具体集成到任何特定的终端设备或产品中，如蜂窝电话、PCS单元等。因此，该应用领域特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
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