对比文件名称：2008-10-02_JP2008235498A_发明专利_JP2008235498A Semiconductor device
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号或位置) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，《隐含公开》 | [2]（实施の形態3）「配線Ｍ６が埋め込まれた絶縁膜３３上には、絶縁膜（層間絶縁膜）３４が形成されている。... 絶縁膜３７には配線溝とこの配線溝に埋め込まれた配線Ｍ７が形成されている。... 下部電極４３、絶縁膜４６および上部電極４９により、キャパシタ形成領域にＭＩＭ（Metal insulator Metal）型の容量素子Ｃ３が形成される。」<br>[2]（实施形态1）「ｎ型半導体領域４、絶縁膜５、上部電極６およびｎ型半導体領域７により、容量素子Ｃ１が形成され、容量素子Ｃ１は、ＭＩＳＦＥＴとほぼ同じ工程で形成することができる。」 | 对比文件公开了在互连堆叠中形成多种电容器结构，例如在实施形态1中，在半导体基板上形成了MOS型电容器C1，该电容器（包括n型半导体区域4和上部电极6）通过插塞13、配线M1等连接到上层的互连层（例如配线M2-M6，以及实施形态3中的配线M7）。特别地，在实施形态3中，电容器C1、C2被进一步与更上层的电容器C3并联连接，电容器C3形成在配线M7之上。配线M7可被视为一个“上互连层”。虽然对比文件中明确称为“MOM电容器结构”的是目标专利的特定术语，但对比文件中的MOS型电容器C1（其利用半导体区域和上方导体电极形成电容）在功能上属于一种“金属-氧化物-半导体”电容器，广义上可被视为MOM电容器的一种类型或等同结构。该电容器结构通过配线M1、M2等连接到互连堆叠的上层（如M7）。因此，本领域技术人员从对比文件公开的“在互连堆叠的不同层设置并联的多种电容器（包括基板上的MOS电容和上层金属互连形成的电容）”这一整体构思中，能够合理推断出可以存在一个耦合到互连堆叠中第一上互连层（如M7）的电容器结构（如C1或C2）。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层《隐含公开》 | [2]（实施形态1）「容量素子Ｃ２は、同層に形成された金属パターンＭＰ１（第１金属パターン）と金属パターンＭＰ２（第２金属パターン）との間の容量を利用した容量素子であり... 容量素子Ｃ２を形成する金属パターンＭＰ１〜ＭＰ４は、半導体基板１上に形成された配線層（ここでは配線Ｍ２〜Ｍ６）または配線層のパターンにより形成されており」<br>[2]（实施形态3）「配線Ｍ６が埋め込まれた絶縁膜３３よりも上の構造について説明する。... 配線Ｍ７は、配線Ｍ６よりも１つ上層の第７層配線（配線層）である。」 | 对比文件中的电容器C2是利用配线层M2至M6的金属图案（MP1-MP4）之间的电容形成的MIM型电容器。配线M2至M6相对于更上层的配线M7而言，属于“下互连层”。虽然目标专利的MOM电容器特指利用横向叉指结构的电容器，而对比文件的C2是利用同层梳状金属图案间电容的MIM电容器，两者具体结构类型上存在差异。然而，从“电容器结构包含互连堆叠中的下互连层”这一广义技术特征来看，对比文件明确公开了电容器C2包含了互连堆叠的多个下互连层（M2-M6）作为其电极构成部分。本领域技术人员能够理解，为实现电容功能，利用已有的互连层（无论是作为MIM的电极还是MOM的叉指）是常见的后端制程手段。因此，尽管目标专利的MOM与对比文件的C2在类型上不完全相同，但“包括至少一个下互连层”这一特征已被对比文件部分公开，结合本领域知识可以合理推断出MOM电容器结构也可以包含下互连层。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层《隐含公开》 | [2]（实施形态3）「配線Ｍ７が埋め込まれた絶縁膜３７上には、絶縁膜（層間絶縁膜）３８が形成されている。... プラグ４０が埋め込まれた絶縁膜３８上には、絶縁膜（層間絶縁膜）４１が形成されている。... 下部電極４３は、その底部でプラグ４０と接して電気的に接続されている。... 上部電極４９および配線Ｍ７の配線部Ｍ７ｂに平面的に重なる位置にスルーホール４４およびそれを埋めるプラグ４５が配置され、このプラグ４５を介して、容量素子Ｃ３の上部電極４９が配線Ｍ７の配線部Ｍ７ｂに電気的に接続されている。」<br>及附图20-21。 | 对比文件公开了在互连堆叠中存在一个上互连层，即第7层配线M7。该配线M7通过插塞40、45等分别连接到电容器C3的下部电极43和上部电极49。同时，电容器C2和C1通过配线M1-M6及插塞等与配线M7电性连接（例如，M7的配线部M7a通过插塞36连接到M6的配线部MC1，进而连接到C2的第一电极和C1的下部电极）。因此，配线M7作为互连堆叠中的一个上互连层（相对于M2-M6），被耦合到了由C1、C2等组成的电容器组合体（可对应目标专利的MOM电容器结构概念）。虽然目标专利明确为“第二上互连层”，而对比文件中M7是作为连接更上层电容器C3并汇总下方电容器节点的互连层，其在电路中的作用是类似的。本领域技术人员能够从对比文件公开的“通过上互连层（M7）连接上下叠置的多个电容器”这一方案中，合理推断出存在耦合到下方电容器结构的第二上互连层。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层《未直接或隐含公开》 | [2]（实施形态3）「下部電極４３上を含む絶縁膜４１上に絶縁膜４６が形成され、絶縁膜４６上に導体膜４７が形成され、導体膜４７上に導体膜４８が形成されている。導体膜４７および導体膜４８により、容量素子Ｃ３用の上部電極（金属電極、上部金属電極）４９が構成される。... 下部電極４３および上部電極４９間の絶縁膜４６とにより、キャパシタ形成領域にＭＩＭ（Metal insulator Metal）型の容量素子Ｃ３が形成される。」 | 对比文件确实公开了至少一个MIM电容器层，即形成电容器C3的绝缘膜46（作为介电层）及其上下金属电极43和49。然而，目标专利的技术特征D明确限定该MIM电容器层是“位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间”。在目标专利的语境中（参见图2-6及说明书），这意味着MIM电容器介电层被夹在两个用作电极或连接的上互连层（例如M9和M10）之间。而在对比文件中，MIM电容器C3的下部电极43是一个专门形成的金属电极层（通过镶嵌工艺形成在绝缘膜41中），而不是一个作为互连用途的上互连层的一部分；其上部电极49也是专门形成的金属层。配线M7虽然位于C3下方并通过插塞40与下部电极43连接，但它本身并非构成C3两个极板之一的“上互连层”。对比文件没有公开MIM电容器的介电层被夹在两个上互连层之间。因此，该技术特征既未被直接公开，也无法从对比文件公开的内容中合理推断出来。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，《隐含公开》 | [2]（实施形态3）「容量素子Ｃ３の下部電極４３は、プラグ４０、配線Ｍ７の配線部Ｍ７ｃ，Ｍ７ａおよびプラグ３６を介して、容量素子Ｃ２の第１電極（配線Ｍ２〜Ｍ６の金属パターンＭＰ１，ＭＰ３からなる第１電極）と電気的に接続され、更に容量素子Ｃ１の下部電極（ｎ型半導体領域４）とも電気的に接続されている。... 容量素子Ｃ３の上部電極４９は、プラグ４５、配線Ｍ７の配線部Ｍ７ｂおよびプラグ３６を介して、容量素子Ｃ２の第２電極（配線Ｍ２〜Ｍ６の金属パターンＭＰ２，ＭＰ４からなる第２電極）と電気的に接続され、更に容量素子Ｃ１の上部電極（上部電極６）とも電気的に接続されている。... 容量素子Ｃ１と容量素子Ｃ２と容量素子Ｃ３とは、並列に接続されている。」 | 对比文件明确公开了MIM型电容器C3通过配线M7和一系列插塞（36,40,45）与下方的电容器C1（MOS型）和C2（利用互连层的MIM型）并联连接。如前所述，电容器C1和C2的组合可以对应于目标专利中“MOM电容器结构”的广义概念。因此，对比文件公开了一个MIM电容器结构（C3）被耦合到由C1和C2组成的电容器结构上，且是并联连接。虽然目标专利中的MIM电容器结构可能特指其附图2-5中的特定构造（例如共享上互连层作为极板），但“耦合到MOM电容器结构的MIM电容器结构”这一上位特征已被对比文件公开的“并联连接的叠层电容器”整体方案所涵盖。本领域技术人员能够从对比文件中毫无疑义地得出存在与下层电容器结构耦合的MIM电容器结构。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，《未直接或隐含公开》 | [2]（实施形态3）「下部電極４３は、その底部でプラグ４０と接して電気的に接続されている。... 導体膜４７および導体膜４８により、容量素子Ｃ３用の上部電極（金属電極、上部金属電極）４９が構成される。」 | 目标专利的特征F限定了MIM电容器结构的一个极板“仅包括所述第一上互连层的一部分”。这意味着该极板由上互连层（例如M9）的局部区域直接充当，而非一个独立形成的专用电极层。在对比文件公开的MIM电容器C3中，其第一电容器极板（下部电极43）和第二电容器极板（上部电极49）都是专门沉积并图案化形成的独立金属电极层（43是镶嵌钨电极，49是铝等构成的电极），而不是由作为互连导线的上互连层（如配线M7）的一部分来充当。配线M7虽然与电极43连接，但它是独立的互连层，电极43并非M7的一部分。因此，对比文件没有公开“第一电容器极板仅包括第一上互连层的一部分”这一特定构造。本领域技术人员也无法从对比文件的内容中合理推断出这种节省掩模和沉积步骤的特定极板构成方式。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。《未直接或隐含公开》 | [2]（实施形态3）「下部電極４３上を含む絶縁膜４１上に絶縁膜４６が形成され、絶縁膜４６上に導体膜４７が形成され、導体膜４７上に導体膜４８が形成されている。導体膜４７および導体膜４８により、容量素子Ｃ３用の上部電極（金属電極、上部金属電極）４９が構成される。」 | 目标专利的特征G限定了第二电容器极板“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”。结合说明书（例如图2），这里的“MIM电容器层”指的是沉积的介电层和可能伴随的导体层（如顶部极板252）。第二电容器极板（例如252）是沉积形成的MIM电容器层的一部分。在对比文件中，MIM电容器C3的第二电容器极板（上部电极49）是由导体膜47、48构成的专门电极层。虽然绝缘膜46是MIM电容器的介电层，但上部电极49是位于介电层46之上的独立层，不能表述为“包括MIM电容器层的至少一部分”，因为“MIM电容器层”通常指形成电容所需的介质层或介质+导体叠层，而上部电极49是形成在该叠层之上的终端电极。此外，目标专利中第二极板是MIM工艺中形成的底部极板掩模定义的（如图2中252），这与对比文件中上部电极49的形成方式和层级位置不同。因此，该特定技术特征未被对比文件公开，也无法合理推断。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。《未直接或隐含公开》 | [2]（实施形态3）「容量素子Ｃ３は、絶縁膜を介して上下に配置された上部金属電極（金属の上部電極、ここでは上部電極４９）と下部金属電極（金属の下部電極、ここでは下部電極４３）との間の容量を利用した容量素子である。」<br>[2]（实施形态1，关于C2）「容量素子Ｃ２は、同層の金属パターン間（同層の金属パターンＭＰ１，ＭＰ２間および同層の金属パターンＭＰ３，ＭＰ４間）の容量を利用した容量素子とみなすことができる。」 | 目标专利的特征H描述了一个嵌套或共享极板的复杂MIM电容器组合结构，例如图4所示，其中第一MIM电容器结构（450）的顶部极板（452）同时作为第二MIM电容器结构（460）的底部极板（462）。对比文件公开了两种MIM电容器：C2（利用同层互连图案）和C3（垂直板极结构）。它们是并联关系，但各自具有独立的电极组。C2的电极是互连层M2-M6的图案，C3的电极是专门的下部电极43和上部电极49。对比文件没有公开在“第一上互连层和第二上互连层之间”存在一个附加的MIM电容器结构，更没有公开该附加结构的极板与另一个MIM电容器结构的极板共享（即一个极板同时属于两个电容器）。虽然对比文件有将不同电容器并联叠置的构思，但未公开这种特定的极板共享和层级关系。因此，该技术特征未被对比文件公开，也无法从现有内容中合理推断。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。《未直接或隐含公开》 | [2]（实施形态3）「配線Ｍ７の配線部Ｍ７ａおよび配線Ｍ６の配線部ＭＣ１に平面的に重なる位置に配置されたスルーホール３５およびそれを埋めるプラグ３６が配置され、このプラグ３６を介して、配線Ｍ７の配線部Ｍ７ａが配線Ｍ６の配線部ＭＣ１に電気的に接続されている。... 配線Ｍ７の配線部Ｍ７ｂおよび配線Ｍ６の配線部ＭＣ２に平面的に重なる位置に配置されたスルーホール３５およびそれを埋めるプラグ３６が配置され、このプラグ３６を介して、配線Ｍ７の配線部Ｍ７ｂが配線Ｍ６の配線部ＭＣ２に電気的に接続されている。」 | 特征I依赖于特征H中定义的“附加MIM电容器结构”。由于特征H未被公开，因此特征I的前提不存在。虽然对比文件中显示上互连层M7的不同部分（M7a， M7b）通过插塞分别连接到下方电容器C2的两个电极（对应于MC1和MC2），但这是连接到下层梳状电容器C2的电极，而不是连接到如特征H所描述的、位于两个上互连层之间的“附加MIM电容器结构”的两个极板。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。《未直接或隐含公开》 | 对比文件全文中未提及任何具体的终端应用设备。 | 对比文件仅涉及半导体器件本身的电容器结构，其背景和具体实施方式中均未提及将该电容器集成到任何具体的电子设备或系统中，如蜂窝电话、PCS单元等。该特征属于应用领域限定，对比文件没有提供任何相关的教导或启示。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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