**对比文件名称**：JP2009537972A High-density on-chip capacitor design of high yield
**目标专利名称**：互补后端制程(BEOL)电容器 CN105074915B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构。<br>**公开性判断**：**未公开** | 说明书第[2]段：“CVCAP316は、漸進的に大きくなる金属層の3つのグループによって定められる。4つの金属層718（マルチキャパシタ素子310の底部から、それぞれ第1、第2、第3および第4の金属層であるM1からM4まで）である第1の底部グループ716...第2の中間グループ...第3の最も大きい上部グループ...” | 对比文件公开了VNCAP（垂直原生电容，相当于MOM电容器）结构，其包含多个金属层（如M1-M8）。然而，对比文件并未明确记载该VNCAP结构“耦合到互连堆叠的第一上互连层”。对比文件中的电容结构（包括CVCAP和CMIM）通过CA层712与底层的MOS电容（FEOL部分）连接，并最终连接到端口801和802，其连接关系是并联的电气连接，并未明确指定与互连堆叠中特定的“第一上互连层”（如目标专利中的M9层）存在直接的耦合关系。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层。<br>**公开性判断**：**《直接公开》** | 说明书第[2]段：“CVCAP316は、漸進的に大きくなる金属層の3つのグループによって定められる。4つの金属層718（マルチキャパシタ素子310の底部から、それぞれ第1、第2、第3および第4の金属層であるM1からM4まで）である第1の底部グループ716は、...第2の中間グループが、...第3の最も大きい上部グループが、...” | 对比文件明确公开了VNCAP（垂直原生电容，其通过金属层之间的横向叉指形成电容，属于MOM电容器）结构包含多个金属层，例如M1到M4、M5、M6、M7、M8。这些金属层对应于集成电路互连堆叠中的导电互连层，并且是位于上层的MIM电容之下的下层金属层，即属于“下互连层”。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层。<br>**公开性判断**：**未公开** | 说明书第[2]段：“ポート2 802は、「＋」と符号付けされたCVCAPの第1のレベルの金属プレート820、「＋」と符号付けされたCVCAPの第2のレベルの金属プレート830、「＋」と符号付けされたCVCAPの第3の上部レベルの金属板840、及びCMIMの底部プレート754に電気的に接続される。” | 对比文件公开了所有电容结构（CVCAP和CMIM）的两个端口801和802，它们是并联连接的。端口802连接到CMIM的底部极板754以及CVCAP的各个正极板。然而，端口802或CMIM的底部极板754并未被描述为是“互连堆叠中的第二上互连层”。在目标专利中，“第二上互连层”（如M10）是互连堆叠中一个特定的、用于布线的金属层。对比文件中的CMIM极板是专用的电容器极板层，而非用于信号/电源布线的互连层。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。<br>**公开性判断**：**未公开** | 说明书第[2]段：“MIMCAP314も、BEOLの一部であり、上部プレート752及び底部プレート754と、それらの間の誘電体756とを有し...” | 对比文件公开了MIM电容器（CMIM 314）结构，其包含上部极板752、底部极板754以及其间的介电体756。然而，对比文件并未描述该MIM电容器层是“位于第一上互连层与第二上互连层之间”。在对比文件中，MIM电容器位于整个堆叠结构的顶部，其极板是独立的电容器极板，并未被描述为是两个用于布线的上互连层（如M9和M10）之间的介质层。目标专利的特征D限定了MIM电容器层位于两个特定的上互连层之间，这是其结构的关键，对比文件未公开此布置。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构。<br>**公开性判断**：**《直接公开》** | 说明书第[2]段：“本例は、...CMOS312は、FEOLキャパシタとして機能し...CVCAP316は、...CMIM314も、BEOLの一部であり...”；以及“ポート1 801は、...及びCMIMの上部プレート752に電気的に接続される。ポート2 802は、...及びCMIMの底部プレート754に電気的に接続される。” | 对比文件明确公开了其复合电容结构包括MOS电容（CMOS 312）、垂直原生电容（CVCAP 316，相当于MOM电容）和金属-绝缘体-金属电容（CMIM 314）。如图9的电路图所示，这三种电容在端口801和802之间是并联连接的。因此，MIM电容器结构（CMIM 314）在电气上是与MOM电容器结构（CVCAP 316）耦合（并联连接）的。该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分。<br>**公开性判断**：**未公开** | 说明书第[2]段：“MIMCAP314も、BEOLの一部であり、上部プレート752及び底部プレート754と、それらの間の誘電体756とを有し...” | 对比文件公开的MIM电容器结构具有独立的上部极板752和底部极板754。这两个极板是专门为电容器形成的独立金属层，并未被描述为是互连堆叠中用于布线的“上互连层”（如M9）的一部分。目标专利的特征F是核心创新点之一，即MIM电容器的一个极板由已有的互连层（第一上互连层）的一部分构成，从而节省工艺步骤和面积。对比文件没有公开或暗示这种将互连层直接用作电容器极板的结构。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**公开性判断**：**未公开** | 说明书第[2]段：“MIMCAP314も、BEOLの一部であり、上部プレート752及び底部プレート754と、それらの間の誘電体756とを有し...” | 对比文件中的MIM电容器极板（752，754）是完整的、独立的金属层。目标专利的特征G限定第二电容器极板是“MIM电容器层”的至少一部分，这里的“MIM电容器层”应理解为包含介质层和电极层的复合层结构中的电极部分。虽然从广义上讲，对比文件的极板752或754也是MIM电容器的一部分，但该特征必须与特征F结合理解，其前提是独特的“第一极板仅包括第一上互连层的一部分”的结构。由于特征F未被公开，且对比文件中的极板是独立层而非“层的一部分”，因此该特征未被单独公开或隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**公开性判断**：**未公开** | 对比文件未描述相关内容。 | 对比文件仅公开了一个单一的MIM电容器结构（CMIM 314）。没有公开在两层上互连层之间存在两个MIM电容器结构，更没有公开这两个MIM电容器结构共享一个极板（即一个MIM结构的极板作为另一个MIM结构的极板）的嵌套或堆叠结构。该特征是目标专利中一种提高集成密度的特定配置，对比文件中完全不存在。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**公开性判断**：**未公开** | 对比文件未描述相关内容。 | 该特征是对特征H中描述的附加MIM电容器结构的具体连接关系的进一步限定。由于特征H所限定的附加MIM电容器结构本身未被对比文件公开，因此该具体的连接关系也无从谈起。对比文件中不存在将一个互连层（第二上互连层）的不同部分分别连接到两个不同MIM电容器极板的描述。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**公开性判断**：**未公开** | 对比文件未描述相关内容。 | 对比文件全文描述了高密度片上电容器设计及其优点，但并未具体列举或暗示将该电容器集成到任何具体的终端应用设备中，如蜂窝电话、PCS单元等。目标专利的该特征属于应用领域的限定，对比文件没有公开。 |
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