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对比文件列表
2004-01-20_US6680521B_发明授权_US06680521B1 High density composite MIM capacitor with reduced voltage dependence in semiconductor dies_+++G_H_e_f_i+++.docx
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2004-04-20_US6723600B_发明授权_US06723600B2 Method for making a metal-insulator-metal capacitor using plate-through mask techniques_+++D_G_j+++.docx
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2004-08-17_US6777777B_发明授权_US06777777B1 High density composite MIM capacitor with flexible routing in semiconductor dies_+++D_H_I_g_j+++.docx
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2006-05-10_CN1771603A_发明公开_CN1771603A 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器_+++D_H_I_g+++.docx
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2006-08-16_CN1819194A_发明公开_CN1819194A 具有多种垂直排列电容区域的电容元件_+++D_E_G_a_b_c+++.docx
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2006-09-28_JP2006522464A_发明专利_JP2006522464A In a semiconductor die, a high density composite mim capacitor with reduced voltage dependence_+++D_F_G_I_h_j+++.docx
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2007-05-10_US2007102745A_发明申请_US20070102745A1 CAPACITOR STRUCTURE_+++B_E_a_d_g+++.docx
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2007-10-11_JP2007528604A_发明专利_JP2007528604A Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device produced by the present method_+++d_f_g_h_i+++.docx
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2007-11-29_WO2007134903A_发明申请_WO2007134903A1 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++B_E_G+++.docx
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2008-01-08_US7317221B_发明授权_US07317221B2 High density MIM capacitor structure and fabrication process_+++D_g_h_j+++.docx
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2008-03-01_TW200811915A_发明专利_TW200811915A 高良率高密度晶片電容設計 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++A_B_C_D_E_g_j+++.docx
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2008-09-25_US2008230820A_发明申请_US20080230820A1 SEMICONDUCTOR DEVICE_+++A_B_C_D_E_G+++.docx
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2008-12-12_KR1020080108351A_发明公开_KR1020080108351A 고수율 고밀도 온-칩 커패시터 설계_+++B_E_G_a_c_d+++.docx
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2009-01-15_DE102008028554A_发明专利_DE102008028554A1 Semiconductor device with reduced capacitance tolerance value_+++A_C_D_E_G_b_j+++.docx
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2009-06-18_US2009152612A_发明申请_US20090152612A1 HIGH YIELD, HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++G+++.docx
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2010-11-11_JP2010258130A_发明专利_JP2010258130A Semiconductor device and layout method of the same_+++D_G_j+++.docx
2026-03-24 23:36
JPS63120457A_Description_20260318_1917_+++G+++.docx
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US2011086487A1_Description_20260318_1917_+++D_G_j+++.docx
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2006-05-10_CN1771603A_发明公开_CN1771603A 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器_+++D_H_I_g+++.docx

对比文件名称:2006-05-10_CN1771603A_发明公开_CN1771603A 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器

目标专利名称:336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B

模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括:耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构,《未公开》未发现相关描述。对比文件全文仅涉及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构,未提及金属氧化物金属(MOM)电容器。目标专利的特征A明确限定了“金属氧化物金属(MOM)电容器结构”。根据目标专利说明书[0002]-[0005]段,MOM电容器是利用互连层中横向导电叉指之间的电容性耦合(横向耦合)形成的。对比文件CN1771603A全文(包括技术领域、背景技术、发明内容及具体实施方式)仅描述了由垂直堆叠的平行极板构成的复合MIM电容器(参见图1、图2及对应描述),其电容来源于垂直方向的极板耦合,完全不涉及利用互连层横向叉指的MOM电容器。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开MOM电容器结构。
技术特征B:所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层,《未公开》未发现相关描述。对比文件中“下互连金属层”用于构成MIM电容器的下电极(参见说明书第[0038]段),而非用于形成MOM电容器。由于技术特征A中的MOM电容器结构本身未被对比文件公开,因此构成该MOM电容器的“至少一个下互连层”自然也未被公开。目标专利中MOM电容器利用下互连层(如M1-M6)形成横向叉指电容(参见说明书[0002]段)。对比文件中的互连金属层(如互连金属层107、115)是作为MIM电容器的电极板(如金属板124、122)存在的(参见说明书第[0038]、[0042]段),其作用是为垂直MIM电容器提供极板,与目标专利中用于形成横向耦合的MOM电容器的作用不同。
技术特征C:所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层,《未公开》未发现相关描述。对比文件中的上互连层(如互连金属层121)用于连接MIM电容器的电极(参见说明书第[0043]段),而非连接到MOM电容器。此特征限定了第二上互连层与MOM电容器结构的耦合关系。由于对比文件中不存在MOM电容器结构,因此也就不存在第二上互连层与该结构的耦合。对比文件中的上互连层(例如互连金属层121)及其连接(通过过孔116、119等)仅用于将上下MIM电容器的电极引出并联(参见说明书第[0043]段及图1),其作用与目标专利中连接MOM电容器的第二上互连层(如M10)不同。
技术特征D:位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层,《直接公开》“介质部分134位于金属板122上...金属板130位于介质部分134上...层间介质112位于互连金属层115上...过孔116和过孔119位于层间介质112中。...金属部分126位于过孔116和过孔119上互连金属层121中。”(参见说明书第[0042]-[0043]段)目标专利的特征D限定了位于两个上互连层之间的MIM电容器层。对比文件明确公开了由介质部分134和金属板130构成的“上MIM电容器”层,该结构位于互连金属层115(相当于第一上互连层)和互连金属层121(相当于第二上互连层)之间(参见图1及说明书第[0042]-[0043]段)。该MIM电容器层在对比文件中起到提供垂直电容的作用,与目标专利中MIM电容器层的作用相同。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了位于两个上互连层之间的MIM电容器层。
技术特征E:耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构,《未公开》未发现相关描述。对比文件中的MIM电容器结构(如下MIM电容器和上MIM电容器)之间相互耦合并联(参见图1、图2),但未与MOM电容器结构耦合。此特征限定了MIM电容器结构与MOM电容器结构的耦合。由于对比文件未公开MOM电容器结构(技术特征A),因此也就不存在MIM电容器结构与MOM电容器结构之间的耦合关系。对比文件仅公开了多个MIM电容器结构之间的并联耦合(如第[0036]段所述“下MIM电容器与上MIM电容器并联连接”),其作用是为了降低电压相关性,与目标专利中将MIM电容与MOM电容组合以增大电容密度的目的和作用不同。
技术特征F:所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板,所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分,《未公开》“金属板122...位于互连金属层115中。...金属板122,即上MIM电容器的下电极...”(参见说明书第[0042]段)目标专利的特征F限定了MIM电容器结构的一个极板“仅包括第一上互连层的一部分”,即该极板由上互连层(如M9)的导体材料构成,是其一部分。对比文件中,MIM电容器的极板(如“上MIM电容器的下电极”金属板122)虽然形成于互连金属层115中,但其是互连金属层115中经过构图形成的独立“金属板”(参见第[0042]段),并非互连金属层115本身或其一部分。互连金属层115作为布线层,其功能是承载并连接多个电路元件(包括金属板122),金属板122是其中专门为电容器形成的一个电极部件。因此,对比文件中的极板是互连层中一个独立的元件,而非“互连层的一部分”,两者结构不同。
技术特征G:所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分,《未公开》“金属板130位于介质部分134上...金属板130形成上MIM电容器的上电极。”(参见说明书第[0042]段)目标专利的特征G限定了第二电容器极板是“MIM电容器层”的至少一部分。对比文件中,MIM电容器层由介质部分134和上电极金属板130构成(参见图1及第[0042]段)。第二电容器极板(即上电极)是独立的金属板130,它属于MIM电容器结构的一部分,但并非“MIM电容器层”的一部分。“MIM电容器层”通常指包含介质和上下电极的复合层,而电极是其中的组成部分。从广义上看,电极属于MIM电容器层的一部分。然而,目标专利的该特征旨在限定极板的构成材料来源(即来自MIM电容器层),而对比文件明确公开了第二极板(金属板130)就是该MIM电容器层的上电极,因此实质上公开了“第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”。但从最严谨的直接公开判断角度,对比文件并未明确描述“极板包括层的一部分”这一关系,而是描述了极板是层内的一个组成元件。因此,此特征未被**直接公开**。但考虑到极板是构成MIM电容器层的必要部件,本领域技术人员可以合理推断出第二极板是MIM电容器层的一部分。因此,该特征被**隐含公开**。
技术特征H:进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构,所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板,所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板,《直接公开》“结构100包括为两个MIM电容器形成电极的金属板124、金属板120、金属板122,以及金属板130。在结构100中,金属板124和金属板120形成‘下’MIM电容器的两个电极,而金属板122和金属板130形成‘上’MIM电容器的两个电极。...下MIM电容器的上电极,即金属板120,电连接至上MIM电容器的下电极,即金属板122。”(参见说明书第[0036]、[0042]段)及图1。目标专利的特征H限定了在第一和第二上互连层之间,除了一个MIM电容器结构外,还存在一个“附加MIM电容器结构”,并且该附加结构与第一个结构共享一个极板(即第一个结构的第一极板作为附加结构的第二极板)。对比文件图1及相应文字明确公开了在第一上互连层(对应互连金属层115)和第二上互连层(对应互连金属层121)之间,存在两个垂直堆叠的MIM电容器:一个“上MIM电容器”(电极:金属板122和130)和一个“下MIM电容器”(电极:金属板124和120)。其中,“下MIM电容器”的上电极(金属板120)通过过孔114电连接到“上MIM电容器”的下电极(金属板122)(参见第[0042]段)。虽然文字上描述为“连接”,但从结构上看,这两个电容器共享了连接节点,并且“下MIM电容器”的上电极(金属板120)实质上可以视为“上MIM电容器”结构的一部分(即共同构成了一个复合电容器的内部节点)。更重要的是,对比文件明确教导了这两个电容器是并联的(第[0046]段及图2),并且都位于所述的两个上互连层之间的空间内(下MIM电容器的介质132和上电极120位于层间介质110中,介于互连金属层107和115之间;上MIM电容器的介质134和上电极130位于层间介质112中,介于互连金属层115和121之间)。这完全公开了“处于第一上互连层和第二上互连层之间的附加MIM电容器结构”。此外,所述“附加MIM电容器结构”(即下MIM电容器)包括第一电容器极板(金属板124)、介电层(介质部分132)、以及所述MIM电容器结构(即上MIM电容器)的第一电容器极板(金属板122)作为其第二电容器极板(金属板120通过过孔114与金属板122连接,功能上等效)。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。
技术特征I:所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板,并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板,《直接公开》“金属部分126通过过孔116电连接至金属板130,即上MIM电容器的上电极,并且通过过孔119电连接至金属部分128...金属部分128通过过孔118电连接至金属板124,即下MIM电容器的下电极。”(参见说明书第[0043]段)及图1。目标专利的特征I限定了第二上互连层通过不同的部分连接到附加MIM电容器结构的两个极板。对比文件中,第二上互连层对应互连金属层121。该层中的“金属部分126”通过过孔116连接到上MIM电容器的上电极(金属板130),同时,该“金属部分126”又通过过孔119连接到金属部分128,进而通过过孔118连接到下MIM电容器(即附加MIM电容器结构)的下电极(金属板124,即其第一电容器极板)(参见图1及第[0043]段)。因此,互连金属层121(第二上互连层)的“金属部分126”这一部分,同时耦合到了附加MIM电容器结构(下MIM电容器)的两个极板(极板124和通过连接等效的极板120/122)。虽然连接路径中包含了中间连接件(金属部分128),但本领域技术人员可以理解,第二上互连层(金属部分126)通过其不同的连接点(过孔116和119所连接的区域)实现了与附加MIM电容器结构两个极板的电学连接,这公开了“第二部分被耦合到...第二电容器极板”。对于“第一部分被耦合到第一电容器极板”,虽然金属部分126直接连接的是金属板130(上MIM电容器的上电极),但根据特征H的分析和对比文件图2的电路原理,上MIM电容器的上电极(金属板130)与下MIM电容器的下电极(金属板124)在电路上是连接在同一节点的(第二接线端,节点232),因此通过金属部分126连接到金属板130也就等效于连接到下MIM电容器的下电极(金属板124)。因此,该特征被对比文件直接公开。
技术特征J:所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中,《未公开》“高性能混合信号和RF电路需要高密度集成电容器。”(参见说明书第[0002]段)目标专利的特征J限定了电容器的具体应用设备。对比文件仅一般性地提及电容器用于“高性能混合信号和RF电路”(背景技术第[0002]段)或“半导体芯片”(技术领域),并未具体公开将其集成到权利要求所列的任一具体设备(如蜂窝电话、PCS单元等)中。虽然本领域技术人员知晓混合信号/RF电路可用于这些设备,但这属于公知常识的推理,而非对比文件本身公开的内容。因此,该应用领域的限定既未被直接公开,也未被隐含公开(隐含公开的判断标准虽宽松,但要求能从对比文件内容合理推断出该具体应用,对比文件仅提供了一般性应用领域)。

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