对比文件名称：1973-02-20_None_实用新型_JPS4815035U JPS4815035U
目标专利名称：用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模CN106104830B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (摘要部分) | 公开性论述 |
| **A**：包括：第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠 <br> **未公开** | “半導体基板上に、導電性薄膜（例えばアルミニウム膜）を被覆して第１のマスク層とする。” <br> (在半导体基板上覆盖导电性薄膜（例如铝膜）作为第一掩模层。) | 对比文件公开了在基板上形成第一导电掩模层（如铝膜）。然而，目标专利中的“第一导电硬掩模”位于“第二电极层”上，而“第二电极层”位于并电耦合至“MTJ层堆叠”。对比文件中的“半导体基板”是一个通用概念，没有公开其具有“MTJ层堆叠”这一特定结构，更没有公开位于其上的“第二电极层”。因此，对比文件未公开目标专利中具有特定位置和功能关系（位于第二电极层上，且该电极层与MTJ堆叠耦合）的“第一导电硬掩模”。 |
| **B**：所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体 <br> **未公开** | “次に、該第１のマスク層上に絶縁性薄膜（例えば酸化珪素膜）を被覆する。” <br> (接着，在该第一掩模层上覆盖绝缘性薄膜（例如氧化硅膜）。) | 对比文件公开了在第一掩模层上覆盖绝缘薄膜（如氧化硅）。该绝缘薄膜可能起到类似“间隔体”的作用。然而，目标专利的“第一间隔体”位于“第一导电硬掩模的侧壁、第二电极层的侧壁以及MTJ层堆叠的表面上”。对比文件完全没有提及“第二电极层”和“MTJ层堆叠”的存在，因此不可能公开覆盖在它们侧壁或表面上的间隔体。对比文件仅描述了绝缘薄膜覆盖在“第１のマスク層上”（第一掩模层上），并未明确限定其覆盖在侧壁，也未限定其覆盖其他特定层。 |
| **C**：与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上， <br> **未公开** | “次いで該絶縁性薄膜をエッチングして第１のマスク層に接する凹部を形成し、該凹部に導電性材料を埋込んで第２のマスク層とする。” <br> (然后蚀刻该绝缘性薄膜，形成与第一掩模层接触的凹部，在该凹部中埋入导电性材料作为第二掩模层。) | 对比文件公开了蚀刻绝缘薄膜以形成凹部，并在凹部中填充导电材料形成“第二掩模层”。这个过程可能导致形成的“第二掩模层”与蚀刻后绝缘薄膜（相当于第一间隔体）的侧壁“对准”，并且该第二掩模层位于第一掩模层之上。然而，目标专利中的“第二导电硬掩模”明确位于“第一导电硬掩模和第一间隔体上”。对比文件中的“凹部”形成于绝缘薄膜中并“与第一掩模层接触”，这意味着填充导电材料后，第二掩模层必然与第一掩模层接触，但并未明确描述第二掩模层是否覆盖在剩余的绝缘薄膜（即第一间隔体）的上表面。目标专利的结构是第二硬掩模“在...第一间隔体上”，对比文件对此没有明确教导。更关键的是，对比文件完全缺失“MTJ层堆叠”和“第二电极层”的上下文，导致其“第二掩模层”的功能和技术目的（用于蚀刻MTJ堆叠）与目标专利完全不同。 |
| **D**：其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 对比文件没有公开“第二电极层”和“MTJ层堆叠”这些结构元素，因此不可能公开第二硬掩模与第二电极层的“交叠”关系，也不可能公开“MTJ层堆叠的横向尺寸与第二导电硬掩模的横向尺寸对准”这一特定蚀刻结果。该特征限定了由第二硬掩模定义的图案如何精确传递到下方的MTJ堆叠，这是目标专利多步骤蚀刻工艺的核心目的之一，在对比文件的通用半导体制造上下文中未被披露。 |
| **E**：其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。 <br> **隐含公开** | “次いで該絶縁性薄膜をエッチングして第１のマスク層に接する凹部を形成し、該凹部に導電性材料を埋込んで第２のマスク層とする。” <br> (然后蚀刻该绝缘性薄膜，形成与第一掩模层接触的凹部，在该凹部中埋入导电性材料作为第二掩模层。) | 对比文件明确教导，通过蚀刻绝缘薄膜形成的“凹部”是“与第一掩模层接触的”。随后，将导电材料填充入此“凹部”以形成“第二掩模层”。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，当导电材料被填充到与第一掩模层（本身是导电的，如铝膜）物理接触的凹部中时，所形成的第二掩模层必然与第一掩模层形成电连接，即“电耦合”。虽然对比文件没有明确使用“电耦合”一词，但根据其描述的工艺和结构，这是必然的技术结果。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **F**：其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 对比文件仅提及“導電性材料”（导电性材料），并未具体限定其材料种类。目标专利明确限定了第二导电硬掩模的材料选自“钽、铪和铂构成的组中”。对比文件没有公开这些特定材料，因此该特征未被公开。 |
| **G**：其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 对比文件虽然提到了“絶縁性薄膜”（绝缘性薄膜），但并未给出其厚度范围，更没有公开“10纳米与50纳米之间”这一具体数值范围。因此，该特征未被公开。 |
| **H**：其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。 <br> **未公开** | “絶縁性薄膜（例えば酸化珪素膜）を被覆する。” <br> (覆盖绝缘性薄膜（例如氧化硅膜）。) | 对比文件公开的绝缘薄膜（相当于第一间隔体）的示例材料是“酸化珪素膜”（氧化硅膜，即SiOx）。目标专利明确限定第一间隔体是“SiNx材料”。SiOx和SiNx是两种不同的介电材料，其蚀刻选择性等性质不同。对比文件没有公开或暗示使用SiNx作为该绝缘薄膜/间隔体材料。因此，该特征未被公开。 |
| **I**：其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 对比文件描述的结构始于“半导体基板”，并未提及任何“第一电极层”，更没有提及该电极层电耦合至“MTJ层堆叠”。MTJ层堆叠是磁性存储器特有的结构，在对比文件的通用半导体制造上下文中不存在。因此，该特征未被公开。 |
| **J**：其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 对比文件的工艺在形成第二掩模层后即结束，没有描述在其上或周围进一步沉积另一层间隔体（即第二间隔体）。因此，该特征未被公开。 |
| **K**：其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 同上，对比文件没有公开“第二间隔体”的存在，更不可能公开该第二间隔体覆盖在MTJ层堆叠、第一间隔体和第二导电硬掩模的侧壁上这一具体位置关系。因此，该特征未被公开。 |
| **L**：其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 对比文件没有公开“第二间隔体”，因此也不可能公开在它上面的“第二介电层”。因此，该特征未被公开。 |
| **M**：其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 对比文件描述的工艺止于形成第二掩模层，并未涉及后续的互连工艺，如形成延伸通过介电层的导电互连。因此，该特征未被公开。 |
| **N**：其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。 <br> **未公开** | 无对应内容。 | 对比文件仅描述了一种半导体装置的制造方法，并未提及将所制造的装置具体集成到任何特定的终端产品或设备中。目标专利限定的具体应用领域（如移动电话、计算机等）未被对比文件公开。因此，该特征未被公开。 |
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