The Non oBviousness
Game
Invalidation of patent, the AI way
最新资讯
登录
登录
The Non oBviousness
Game
主页
历史访问项目
登录后查看历史访问项目
Search
返回项目页面
对比文件列表
暂无对比文件
请从左侧选择对比文件查看内容
权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括： 第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠
B
所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体
C
与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上，
D
其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。
权利要求 2
E
其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。
权利要求 3
F
其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。
权利要求 4
G
其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。
权利要求 5
H
其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。
权利要求 6
I
其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。
权利要求 7
J
其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。
权利要求 8
K
其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。
权利要求 9
L
其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。
权利要求 10
M
其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。
权利要求 11
N
其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。