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对比文件列表
1995-03-17_None_发明专利_JPH0775026A Image pickup device_+++A_B_D_E_F_O_P_Q_R_S_T_U_X_c_m_n_v_w+++.docx
2026-03-23 23:51
1995-11-28_US5471515A_发明授权_US5471515A Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer_+++O_a_b_n_q_r_t_u_v_w_x+++.docx
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1996-11-01_None_发明专利_JPH08289205A Light receiving element and image input device using the same_+++A_B_O_Q_R_T_U_W_X_c_d_f_m_n_p_s_v+++.docx
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2000-09-05_US6115065A_发明授权_US6115065A Image sensor producing at least two integration times from each sensing pixel_+++A_B_O_n_p_q_r_s_t_u_v_w_x+++.docx
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2001-03-16_JP2001069408A_发明专利_JP2001069408A Solid-state image pickup device, its drive method and camera system_+++A_B_O_c_d_v_x+++.docx
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2002-12-10_US6493030B_发明授权_US06493030B1 Low-noise active pixel sensor for imaging arrays with global reset_+++O_V+++.docx
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2003-03-18_US6535247B_发明授权_US06535247B1 Active pixel sensor with capacitorless correlated double sampling_+++O_a_b_n_v_w_x+++.docx
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2004-04-29_US2004080652A_发明申请_US20040080652A1 Electric camera_+++A_B_F_G_H_I_J_O_P_Q_R_T_U_V_X_c_d_k_l_m+++.docx
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2004-09-28_US6798451B_发明授权_US06798451B1 Solid-state image pickup device and method for driving the same_+++A_B_O_V_X_f_g_h_i_j_k_l+++.docx
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2005-03-08_KR1020050022748A_发明公开_KR1020050022748A 조도차가 다른 영상의 재구성 장치 및 방법_+++A_B_M_X_c_d_o_v+++.docx
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2005-10-20_JP2005295336A_发明专利_JP2005295336A Light receiving part and solid-state image pickup device_+++A_B_O_Q_R_T_U_V_W_X_n+++.docx
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2005-11-17_US2005253935A_发明申请_US20050253935A1 Image input apparatus having addition and subtraction processing_+++A_B_O_P_Q_R_S_T_U_v_w_x+++.docx
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2006-03-28_US7019277B_发明授权_US07019277B2 Imaging device_+++A_B_V_X_o+++.docx
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2006-07-20_US2006158542A_发明申请_US20060158542A1 Photosensitive part and solid-state image pickup device_+++A_B_N_O_R_U_V_W_X_q_t+++.docx
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2006-08-17_US2006181624A_发明申请_US20060181624A1 Wide dynamic range operation for CMOS sensor with freeze-frame shutter_+++A_B_N_O_V_W_X_m_r_u_x+++.docx
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2006-10-19_JP2006287612A_发明专利_JP2006287612A Solid-state imaging apparatus_+++A_B_N_O_X_d_v+++.docx
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2007-08-15_EP1819151A_发明公开_EP1819151A1 Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device and camera_+++A_B_P_R_S_U_V_X_f_g_h_i_j_n_o_q_t_w+++.docx
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2007-08-21_US7259413B_发明授权_US07259413B2 High dynamic range image sensor_+++O_W_v_x+++.docx
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2007-11-22_US2007268396A_发明申请_US20070268396A1 IMAGE PICKUP DEVICE AND IMAGE PICKUP APPARATUS_+++A_B_F_O_V_X_d_e_m_n+++.docx
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2007-12-20_JP2007329896A_发明专利_JP2007329896A Imaging element and imaging apparatus_+++A_B_F_O_V_X_d_e+++.docx
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2008-02-14_US2008036889A_发明申请_US20080036889A1 Solid-state imaging device and driving method for a solid-state imaging device_+++A_B_N_O_Q_R_T_V_W_u_x+++.docx
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2008-06-12_WO2008069015A_发明申请_WO2008069015A1 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置_+++A_B_F_G_H_I_J_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_d_e_k_l+++.docx
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JP2004064165A_Description_20260320_0224_+++A_B_O_Q_R_T_U_X_k_l_n_p_v+++.docx
2026-03-23 23:51
JP2008277894A_Description_20260320_0224_+++A_B_G_H_I_J_O_X_f_k_l_m_v+++.docx
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US2007216789A1_Description_20260320_0224_+++O_a_b_v_w_x+++.docx
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2007-08-15_EP1819151A_发明公开_EP1819151A1 Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device and camera_+++A_B_P_R_S_U_V_X_f_g_h_i_j_n_o_q_t_w+++.docx

**本次调用模型名称:** DeepSeek-R1

**对比文件名称:** 2007-08-15_EP1819151A_发明公开_EP1819151A1 Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device and camera

**目标专利名称:** 374高动态范围图像传感器CN103141081B

**特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本<br>**《直接公开》**说明书第[0024]段:“The drive circuits (the first drive circuit 11 and the second drive circuit 12) read out signals of the first pixels 31 and the second pixels 41 in the readout row in the pixel array 11.”(驱动电路(第一驱动电路11和第二驱动电路12)读出像素阵列11中读出行的第一像素31和第二像素41的信号。)对比文件公开了从“第一像素”(即低灵敏度像素)读出信号。该操作必然涉及在某个时间点(第一时间)对来自第一像素的信号进行取样以产生一个样本(第一样本)。这与目标专利特征A“在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本”在技术手段和作用上相同,都是获取像素在特定曝光条件下的信号值。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征B**:在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本<br>**《直接公开》**同上,说明书第[0024]段。对比文件同样公开了从“第二像素”(即高灵敏度像素)读出信号。该操作必然涉及在另一个时间点(第二时间)对来自第二像素的信号进行取样以产生另一个样本(第二样本)。这与目标专利特征B“在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本”在技术手段和作用上相同。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征C**:将第一可变加权因子应用于所述第一样本,其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定<br>**《未被公开》**无相关原文引用。对比文件全文均未提及对从第一像素(低灵敏度像素)读出的样本应用任何“可变加权因子”,更没有公开该加权因子是基于某个函数界定的。对比文件的核心在于通过独立控制不同灵敏度像素的曝光时间来拓宽动态范围,并可能对高灵敏度像素的多帧进行积分或加权组合(见下文特征D/E论述),但并未对低灵敏度像素的单个样本应用基于函数的可变加权。因此,该技术特征未被对比文件公开。
**技术特征D**:将第二可变加权因子应用于所述第二样本,其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定<br>**《未被公开》**无相关原文引用。对比文件虽然在第[0107]-[0109]段(第十八示例)提到了对高灵敏度像素(第二像素)的多帧输出乘以不同的“权重系数”(weight coefficients)然后求和,但其目的是为了减少在集成多帧图像时,由于帧选择切换行而产生的曝光时间错位的不连续性(discontinuity)。该权重是基于每行中帧曝光时间与低灵敏度像素曝光时间的重叠比例(如Ta:Th:Th:Th:Tb)来确定的固定权重分配,以平滑过渡,并非目标专利中所述的、基于单个第二样本值(如亮度值)本身通过一个函数(如组合曲线C())来动态决定的可变加权因子M(i,j),以在组合时根据饱和程度调整贡献度。两者作用原理不同。因此,对比文件未公开“基于函数界定的可变加权因子应用于第二样本”这一技术特征。
**技术特征E**:根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)=SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))...<br>**《未被公开》**无相关原文引用。对比文件未公开上述特定的组合等式。该等式是目标专利的核心组合算法,其中M(i,j)是随长曝光样本值变化的可变加权因子。对比文件中组合图像的方式主要是对高灵敏度像素的多帧进行积分或求和(如第[0079]-[0082]、[0107]-[0109]段),或直接使用不同像素的信号,但并未公开使用此等式进行加权融合。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征F**:使所述第一时间与所述第二时间对准,使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束<br>**《隐含公开》**说明书第[0071]段:“Fig. 13 shows an example in which a mechanical shutter is used to achieve the same exposure period termination timing. The termination of the exposure period can also be carried out by electric transfer and retention of the accumulated charge.”(图13显示了一个使用机械快门来实现相同曝光周期终止时间的例子。曝光周期的终止也可以通过电荷的电转移和保持来实现。)对比文件在第[0071]段明确提到了“实现相同曝光周期终止时间”的技术手段(全局快门操作)。虽然该描述出现在针对特定示例(第十一示例)的上下文中,其目的是为了在全局快门操作下为不同灵敏度的像素设置独立的曝光时间,但该教导明确给出了使不同曝光操作的结束时间对齐(大体上同时结束)的技术启示。本领域技术人员为了实现图像在时间上的一致性(尤其是在拍摄动态场景时),能够从该启示中合理推断出可以将不同像素行(如奇偶行)的曝光时间设置为同时开始和/或同时结束,这正是特征F所要求的技术方案。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征G**:在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光<br>**《隐含公开》**说明书第[0013]段:“The first pixel row is formed of a plurality of first pixels 31 arranged in the row direction and the second pixel row is formed of a plurality of second pixels 41, each having higher sensitivity than that of the first pixel 31, arranged in the row direction.”(第一像素行由在行方向上排列的多个第一像素31形成,第二像素行由在行方向上排列的多个第二像素41形成,每个第二像素41具有比第一像素31更高的灵敏度。)图1显示了第一像素行和第二像素行交替排列。对比文件公开了像素阵列由低灵敏度像素行(第一像素行)和高灵敏度像素行(第二像素行)交替排列构成(见图1)。目标专利中的“偶数编号线”和“奇数编号线”是用于区分不同曝光时间像素行的具体编址方式。对比文件中交替排列的“第一像素行”和“第二像素行”在物理布局上与“偶数编号线”和“奇数编号线”相对应。虽然对比文件未明确使用“偶数编号线”这一称谓,但本领域技术人员可以毫无疑义地将其交替排列的低灵敏度像素行理解为相当于目标专利中执行第一时间曝光的“偶数编号线”。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征H**:以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本<br>**《隐含公开》**同上,说明书第[0013]段及图1。结合第[0024]段关于读出信号的描述。基于对特征G的分析,对比文件公开了在低灵敏度像素行(相当于偶数编号线)上进行曝光。对这些行的每个像素(即每个空间位置)进行信号读出(取样),自然就产生了针对每个空间位置的第一样本。这与特征H的作用相同。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征I**:且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光<br>**《隐含公开》**同上,说明书第[0013]段及图1。同理,对比文件中交替排列的高灵敏度像素行(第二像素行)在物理布局上与“奇数编号线”相对应。对这些行进行独立于低灵敏度像素行的曝光控制,即相当于在第二时间使奇数编号线曝光。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征J**:以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本<br>**《隐含公开》**同上,说明书第[0013]段及图1。结合第[0024]段关于读出信号的描述。基于对特征I的分析,对比文件公开了在高灵敏度像素行(相当于奇数编号线)上进行曝光。对这些行的每个像素进行信号读出,自然就产生了针对每个空间位置的第二样本。这与特征J的作用相同。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征K**:通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本<br>**《未被公开》**无相关原文引用。对比文件虽然公开了低灵敏度像素和高灵敏度像素在空间上交错排列(如棋盘格或行交替),并分别读出它们的信号,但从未提及或暗示需要通过“向下取样”或“向上取样”的方式,利用从一种像素行(如偶数行/低灵敏度行)获得的样本来为另一种像素行(如奇数行/高灵敏度行)的空间位置“产生”样本。对比文件的技术方案是直接获取每种像素自身的信号。因此,该涉及内插/外推取样以生成缺失位置样本的技术特征未被公开。
**技术特征L**:通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本<br>**《未被公开》**无相关原文引用。同上。对比文件未公开通过取样操作为另一种像素行生成样本的技术。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征M**:其中M(i,j)的值介于零与一之间,包含零和一。<br>**《未被公开》**无相关原文引用。由于对比文件未公开目标专利中定义的可变加权因子M(i,j)(参见特征C、D、E的论述),因此自然也未曾公开该因子的取值范围介于0和1之间。虽然对比文件第[0108]段提到的权重系数也在0到1之间,但如特征D所述,其含义和应用方式不同。因此,该限定特征未被公开。
**技术特征N**:其中将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合包括在传感器上将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合。<br>**《隐含公开》**说明书第[0029]-[0031]段描述了具有独立水平扫描电路(17,18)和输出信号线(117,118)的配置,允许第一像素和第二像素的信号被独立读出和处理。对比文件公开的图像传感器配置(如图3、5)允许低灵敏度像素和高灵敏度像素的信号被独立地读出到传感器外围电路。虽然对比文件未明确说明“在传感器上”进行如目标专利所述的加权组合计算,但其系统架构(包括独立的读出路径和可能集成的处理电路)使得在传感器芯片上执行后续的信号处理(包括可能的组合操作)成为本领域技术人员易于实现的选择。考虑到将处理功能集成在传感器上是CMOS图像传感器的常见技术趋势,本领域技术人员能够从对比文件公开的独立读出架构中,合理推断出可以在传感器上对读出的两组样本进行进一步组合处理。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征O**:其中由所述CMOS图像传感器和电荷耦合装置CCD图像传感器中的一者产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号。<br>**《直接公开》**说明书标题及全文多处提及“solid-state imaging device”,并在第[0017]段明确:“Fig. 2 also shows an exemplary circuit configuration of the first pixel 31 and the second pixel 41. ... In this description, N-channel MOS transistors are used...”(图2还显示了第一像素31和第二像素41的示例电路配置。...在本说明书中,使用了N沟道MOS晶体管...)。图2、3、5等均为MOS图像传感器框图。对比文件明确将其发明应用于MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)图像传感器,这属于CMOS图像传感器的一种主流类型。因此,对比文件直接公开了由CMOS图像传感器产生像素单元信号。特征O是“CMOS图像传感器和CCD图像传感器中的一者”,对比文件公开了其中一种(CMOS),因此该特征被直接公开。
**技术特征P**:打开CCD图像传感器上的机械快门且使所述图像传感器暴露于光<br>**《直接公开》**说明书第[0071]段:“Fig. 13 shows an example in which a mechanical shutter is used to achieve the same exposure period termination timing.”对比文件明确记载了使用机械快门来控制曝光周期。使用机械快门必然涉及“打开机械快门且使图像传感器暴露于光”这一动作。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征Q**:在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到存储区<br>**《隐含公开》**说明书第[0071]段:“The termination of the exposure period can also be carried out by electric transfer and retention of the accumulated charge.”(曝光周期的终止也可以通过电荷的电转移和保持来实现。)结合CCD传感器的一般工作原理。对比文件提到了通过“电荷的电转移和保持”来终止曝光周期。对于CCD传感器而言,这通常意味着在曝光后的某个时刻(第一时间),将感光区积累的电荷(即基于光形成的第一样本)转移至一个遮光的存储区进行暂存。这是CCD实现全局快门或帧转移的常规操作。本领域技术人员能够从“electric transfer and retention of the accumulated charge”这一描述中,合理推断出在CCD中“在第一时间将基于光形成的第一样本传送到存储区”的技术手段。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征R**:从所述存储区读出所述第一样本<br>**《直接公开》**说明书第[0024]段:“read out signals of the first pixels 31 and the second pixels 41”。结合CCD工作流程。对比文件多次提及“读出”像素信号。对于CCD传感器,从存储区读出暂存的电荷是标准操作流程。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征S**:在第二时间关闭所述机械快门<br>**《直接公开》**说明书第[0071]段(同上)。使用机械快门控制曝光周期,必然包括在曝光结束时“关闭机械快门”的动作。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征T**:将第二样本传送到所述存储区<br>**《隐含公开》**说明书第[0071]段(同上)。结合特征Q的推理。同理,在关闭机械快门结束第二次曝光后,同样需要通过电荷转移将此时基于光形成的第二样本传送到存储区,以备读出。这是CCD标准操作的延续。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征U**:从所述存储区读出所述第二样本<br>**《直接公开》**同特征R,说明书第[0024]段。同上,读出操作是必然步骤。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征V**:使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光<br>**《直接公开》**说明书第[0021]段:“The reset transistor 23 resets the potential at the floating diffusion section 26 to a reset voltage Vrst in response to a reset pulse RST provided to the gate electrode before the signal charge is transferred from the photodiode 21 to the floating diffusion section 26.”(复位晶体管23响应于提供给其栅极的复位脉冲RST,在信号电荷从光电二极管21转移到浮动扩散区26之前,将浮动扩散区26的电位复位到复位电压Vrst。)以及第[0012]段关于独立控制曝光时间的描述。对比文件公开了像素单元包含复位晶体管23,用于在电荷转移前对浮动扩散区进行复位,这是CMOS图像传感器标准操作的一部分。复位后,像素单元(光电二极管)开始积分,即暴露于光。因此,“使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光”这一技术特征被直接公开。
**技术特征W**:在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到电容器<br>**《隐含公开》**说明书第[0020]段描述了通过转移晶体管22将光电二极管21中的信号电荷转移到浮动扩散区26。浮动扩散区本质上是一个寄生电容器。对比文件公开了像素电路包含转移晶体管22和作为电荷-电压转换器的浮动扩散区26。在CMOS图像传感器中,浮动扩散区具有寄生电容,用于暂存转移来的电荷。因此,“在第一时间将基于光形成的第一样本传送到电容器”这一操作,在本领域技术人员看来,即对应着在第一时间控制转移晶体管将光电二极管中的电荷转移到浮动扩散区(电容器)。该技术特征被隐含公开。
**技术特征X**:在第二时间读出基于所述光形成的第二样本。<br>**《直接公开》**同特征R,说明书第[0024]段。对比文件明确记载了从像素读出信号。在第二时间进行读出的操作被直接公开。

<<<A>>><<<B>>><<<f>>><<<g>>><<<h>>><<<i>>><<<j>>><<<n>>><<<o>>><<<P>>><<<q>>><<<R>>><<<S>>><<<t>>><<<U>>><<<V>>><<<w>>><<<X>>>

权利要求与技术特征

A 其包括: 在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本
B 在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本
C 将第一可变加权因子应用于所述第一样本,其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定
D 将第二可变加权因子应用于所述第二样本,其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定
E 根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)=SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))其中SCOMBINED表示位于(i,j)处的所述像素单元的由SSHORT表示的所述第一样本与由SLONG表示的所述第二样本的所述组合,n表示取决于所述第一时间与所述第二时间之间的曝光时间的差的标度值,M(i,j)表示可变加权因子,
F 以及其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:使所述第一时间与所述第二时间对准,使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束
G 在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光,
H 以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本,
I 且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光,
J 以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本
K 通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本
L 通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本。
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