**对比文件名称**：US2007216789A1_Description_20260320_0224
**目标专利名称**：374高动态范围图像传感器CN103141081B
**本次调用模型名称**：专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本<br>**判断结果**：隐含公开 | [0005] “The detection cycle of pixel cell 100 may be initiated by bringing the voltage across photodiode D 105 and the associated capacitor C 115 to a known level, mainly Vreset... After the predetermined integration time has passed, transistor M3 130 samples the output of the voltage buffer transistor M2 125 when the row select signal is high.” <br>（像素单元100的检测周期可以通过将光电二极管D 105和相关联的电容器C 115两端的电压带到已知电平（主要是Vreset）来启动...在预定的积分时间过去之后，当行选择信号为高时，晶体管M3 130对电压缓冲晶体管M2 125的输出进行取样。） | 对比文件描述了像素单元的检测周期，包括在积分周期结束时对光电二极管电容C 115两端的剩余电压（即像素单元信号）进行“取样”（sample），以产生输出值（即样本）。该取样动作由行选择信号控制，发生在特定的时间点（“After the predetermined integration time has passed”）。本领域技术人员可以理解，为了获得高动态范围图像，可以在不同的时间点（例如，不同的积分时间结束后）进行多次取样，以产生多个样本。因此，对比文件隐含公开了“在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本”的技术特征。 |
| **技术特征B**：在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本<br>**判断结果**：隐含公开 | [0005] “After the predetermined integration time has passed, transistor M3 130 samples the output...” <br>[0042] “The read rate from the sensor array 405 is sufficiently high so that the viewer is unaware of the aforementioned adjustments.” <br>（来自传感器阵列405的读取速率足够高，以至于观察者不会察觉到上述调整。） | 对比文件明确描述了在一个积分周期结束后对信号进行一次取样（[0005]）。同时，[0042]指出传感器的读取速率很高，这意味着可以快速连续地进行多次读取周期。本领域技术人员基于高动态范围成像的常识（如目标专利背景技术所述），能够毫无困难地推理出：为了实现高动态范围，可以在不同的时间点（例如，设置不同的“predetermined integration time”）进行第二次取样，以产生代表不同曝光量的第二样本。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：将第一可变加权因子应用于所述第一样本，其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 对比文件的核心技术是通过调整每个像素的复位电压（反向偏置电压）来改变光电二极管的电容，从而在物理层面调整其光积分特性（灵敏度），以适应亮/暗场景（见[0021]-[0022]，[0041]）。这是一种**前端模拟域的参数调整**，目的是在信号生成阶段避免饱和或提高灵敏度。而目标专利的“可变加权因子”是应用于**已经数字化或待数字化的样本值**上的一个**后处理数学系数**，其基于一个函数（如组合曲线C()）来动态调整不同样本在最终组合值中的贡献度。两者在技术手段、作用阶段和目的上均存在本质区别。对比文件未公开对样本值本身应用基于函数界定的可变加权因子。 |
| **技术特征D**：将第二可变加权因子应用于所述第二样本，其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 理由同技术特征C。对比文件调整的是像素的复位电压（偏置），并非对已取样的样本值应用一个基于数学函数界定的加权因子。 |
| **技术特征E**：根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)＝SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))...<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 该等式是目标专利的核心组合算法，明确规定了如何将两个不同曝光时间的样本（SLONG和SSHORT）通过一个可变加权因子M(i,j)进行线性组合。对比文件完全没有涉及任何将两个独立样本进行数学组合以生成最终像素值的算法或等式。其技术路径是通过调整单个像素的模拟特性来扩展动态范围，而非在数字域融合多个样本。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：以及其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括：使所述第一时间与所述第二时间对准，使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 对比文件描述的是单个积分周期内的操作（[0005], [0039]），或快速连续的多个独立积分周期（[0042]），并未描述或暗示需要将两个不同的积分（曝光）时间设置成“大体上同时结束”。目标专利的该特征（尤其结合后续奇偶线曝光特征）是为了实现特定的同时曝光读取模式。对比文件未公开此时间对准概念。 |
| **技术特征G**：在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光，<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 对比文件虽然涉及CMOS图像传感器（见[0002], [0025], [0039]），但其描述的操作是基于逐个像素或逐行寻址和调整偏置电压（见[0028], [0030]），并未区分或提及“偶数编号线”和“奇数编号线”采用不同曝光时间的任何方案。该特征属于目标专利中一种具体的传感器驱动模式，对比文件未公开。 |
| **技术特征H**：以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本，<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 该特征与技术特征G紧密相关，是实施G特征后的自然结果。由于对比文件未公开技术特征G，因此也未能公开针对偶数编号线产生第一样本的具体操作。 |
| **技术特征I**：且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光，<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 理由同技术特征G。对比文件未公开区分奇偶线进行不同曝光的概念。 |
| **技术特征J**：以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 理由同技术特征H。该特征依赖于技术特征I，而I未被公开。 |
| **技术特征K**：通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者，针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 该特征涉及通过上下采样来为未直接曝光的像素位置生成样本值，是目标专利所述奇偶线曝光模式下的图像处理步骤。对比文件完全没有涉及任何上下采样（down-sampling/up-sampling）的图像处理技术。 |
| **技术特征L**：通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者，针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本。<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 理由同技术特征K。对比文件未公开上下采样技术。 |
| **技术特征M**：其中M(i,j)的值介于零与一之间，包含零和一。<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 该特征限定了目标专利中加权因子的数值范围。由于对比文件根本未公开应用于样本的“可变加权因子M(i,j)”这一概念（见特征C、D、E的论述），因此自然也未曾公开该因子的具体数值范围。 |
| **技术特征N**：其中将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合包括在传感器上将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合。<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 该特征限定了组合操作在“传感器上”进行。对比文件描述了在传感器阵列内进行偏置电压的存储和调整（例如通过地址able S/H电路505），但这与“在传感器上组合经加权的数字样本”是完全不同的操作。对比文件未公开任何在传感器芯片上执行如特征E所述的数字样本组合的电路或方法。 |
| **技术特征O**：其中由所述CMOS图像传感器和电荷耦合装置CCD图像传感器中的一者产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号。<br>**判断结果**：直接公开 (针对CMOS) | [0002] “The sensor component that is used in a typical digital camera is a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) camera integrated circuit (IC).” <br>（典型数码相机中使用的传感器部件是互补金属氧化物半导体（CMOS）相机集成电路（IC）。）<br>[0025] “...addressable pixel cell 410 may include an addressable sample-and-hold (S/H) circuit 505 and a pixel cell 510.” （可寻址像素单元410可以包括可寻址采样保持（S/H）电路505和像素单元510。） | 对比文件通篇描述的都是CMOS图像传感器及其像素单元（例如，图1的100，图5的510）。明确记载了像素单元信号由CMOS图像传感器产生。因此，对比文件直接公开了“由CMOS图像传感器产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号”这一技术方案。虽然未提及CCD，但对于“CMOS或CCD中的一者”这一选择性特征，对比文件直接公开了CMOS这一选项。 |
| **技术特征P**：其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括：打开CCD图像传感器上的机械快门且使所述图像传感器暴露于光<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 对比文件全文均围绕CMOS图像传感器展开，未提及任何关于CCD（电荷耦合装置）图像传感器或“机械快门”的内容。该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到存储区<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 该特征与CCD传感器的具体操作流程（使用机械快门和存储区）相关。对比文件未涉及CCD或此类操作。虽然对比文件有“sample-and-hold circuit”和“buffer”，但其功能是存储偏置电压（见[0021], [0032]），而非存储基于光形成的样本电荷。 |
| **技术特征R**：从所述存储区读出所述第一样本<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 理由同技术特征Q。 |
| **技术特征S**：在第二时间关闭所述机械快门<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 理由同技术特征P。 |
| **技术特征T**：将第二样本传送到所述存储区<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 理由同技术特征Q。 |
| **技术特征U**：从所述存储区读出所述第二样本。<br>**判断结果**：未公开 | 无对应内容。 | 理由同技术特征R。 |
| **技术特征V**：其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括：使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光<br>**判断结果**：隐含公开 | [0005] “The detection cycle of pixel cell 100 may be initiated by bringing the voltage across photodiode D 105 and the associated capacitor C 115 to a known level, mainly Vreset.” （像素单元100的检测周期可以通过将光电二极管D 105和相关联的电容器C 115两端的电压带到已知电平（主要是Vreset）来启动。）<br>[0039] “At the start of a new integration cycle, the reset pixel signal 565 may go high, which allows the bias voltage... to charge the C capacitor 550... During an integration period, any light impinging on the photodiode 545...” （在新的积分周期开始时，复位像素信号565可能变为高电平，这使得偏置电压...对电容器C 550充电...在积分期间，任何照射在光电二极管545上的光...） | 对比文件明确描述了像素单元的操作周期始于“复位”（将光电二极管电容充电至已知电压，即Vreset或由VS/H决定的偏置电压），随后进入“积分周期”（integration period），在此期间光电二极管暴露于光并产生电荷。这是CMOS图像传感器工作的基本流程。本领域技术人员可以毫无疑义地得出，无论是产生第一样本还是第二样本，都需要经历“使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光”这一过程。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征W**：在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到电容器<br>**判断结果**：隐含公开 | [0039] “When the row select signal is high on the gate of M3 transistor 560, the remaining voltage on the capacitor 550 may be buffered... and outputted...” （当M3晶体管560的栅极上的行选择信号为高时，电容器550上的剩余电压可以被缓冲...并输出...）<br>结合[0005]对取样过程的描述，取样读取的“remaining voltage on the capacitor 550”正是基于光积分在电容C 550上形成的电压信号，即“样本”。 | 对比文件指出，在积分周期结束后，通过激活行选择信号，可以将积分电容器C 550上基于光形成的电压（即样本）读出。虽然未明确使用“传送到电容器”这一表述，但本领域技术人员理解，在CMOS像素中，光电二极管本身的结电容或其关联的等效电容（即文件中的C capacitor 550）就是用于积分和暂时存储光生电荷/电压的元件。“基于光形成的第一样本”正是以电荷/电压形式存储在该电容器上，并在读取时被传送（读出）出去。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征X**：在第二时间读出基于所述光形成的第二样本。<br>**判断结果**：隐含公开 | [0039] “When the row select signal is high... the remaining voltage on the capacitor 550 may be buffered... and outputted...” <br>结合对特征B的论述，可以推理出在第二个积分周期（第二时间）结束后，同样会通过激活行选择信号来读出此时电容器C 550上基于光形成的电压，即第二样本。 | 对比文件描述了从电容C 550读出样本的基本机制。基于高动态范围成像需要多次取样的公知常识（以及特征B的推理），本领域技术人员能够合理推断，在第二次积分（第二时间）结束后，会再次执行该读出操作，以获取“基于所述光形成的第二样本”。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
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