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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
所述设备包含：单端部分，
B
其包含第一晶体管对，‘所述第一晶体管对的第一输入耦合到所述单端第一信号，
C
’所述第一晶体管对的栅极输入耦合到所述差动第二信号，
D
‘所述第一晶体管对耦合到所述差动输出信号，’
E
其中所述第一晶体管对经配置以不具有偏置电流
F
虚设部分，其包含匹配于所述第一晶体管对的第二晶体管对，
G
所述第二晶体管对的第一输入耦合到虚设负载端子，
H
所述第二晶体管对的栅极耦合到所述差动第二信号，
I
所述第二晶体管对耦合到所述差动输出信号。
权利要求 2
J
所述虚设负载端子耦合到高频接地电压。
权利要求 3
K
所述设备进一步包含耦合到所述虚设负载端子的虚设负载。
权利要求 4
L
所述第一晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述单端第一信号，且所述第二晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述虚设负载端子。
权利要求 5
M
所述第一晶体管对的所述第一输入经由耦合电容器耦合到所述单端第一信号，所述虚设负载进一步包含电容器。
权利要求 6
N
其进一步包含： 放大器，其经配置以放大输入信号以产生所述单端第一信号。
权利要求 7
O
所述虚设负载进一步包含电容器，所述电容器耦合到电源电压的电阻器。
权利要求 8
P
所述放大器包含并联电感器-电容器负载，所述虚设负载进一步包含并联电感器-电容器负载。
权利要求 9
Q
所述虚设负载的所述电感器经设计以比所述放大器负载的所述电感器更有损耗。
权利要求 10
R
所述放大器包含：共阴共栅放大器，其包含第一共阴共栅晶体管及第二共阴共栅晶体管
S
源极退化阻抗，其耦合到所述第一共阴共栅晶体管的源极
T
负载，其耦合到所述第二共阴共栅晶体管的漏极
U
所述虚设负载进一步包含：第一虚设共阴共栅晶体管及第二虚设共阴共栅晶体管
V
虚设源极退化阻抗，其耦合到所述第一虚设共阴共栅晶体管的源极
W
二次虚设负载，其耦合到所述第二虚设共阴共栅晶体管的漏极。
权利要求 11
X
所述第一晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管，所述第二晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管，所述差动第二信号的第一端耦合到所述第一晶体管及所述第四晶体管的栅极，所述差动第二信号的第二端耦合到所述第二晶体管及所述第三晶体管的栅极，所述第一晶体管及所述第三晶体管的漏极耦合在一起，且所述第二晶体管及所述第四晶体管的漏极耦合在一起。
权利要求 12
Y
所述第二信号包含本机振荡器（LO）信号，所述第一信号包含经放大射频（RF）信号。
权利要求 13
Z
所述第二晶体管对由至少一个可配置偏压电压偏置。