**对比文件名称**：2004-09-30_US2004192230A_发明申请_US20040192230A1 Duplexer structure for coupling a transmitter and a receiver to a common antenna
**目标专利名称**：用于差分双工器的共模信号衰减CN101803215B
**本次调用模型名称**：专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A《未公开》** <br>包括：第一电路组件，其耦合在第一节点和公共节点之间 | 图3及[0013]段：第一接收端子42通过第一电感器(L1)72连接到第一天线端子56；第二接收端子44通过第二电感器(L2)74连接到第二天线端子58。 | 对比文件公开的电路结构是：电感L1直接连接在接收端子42和天线端子56之间，电感L2直接连接在接收端子44和天线端子58之间。在目标专利中，“第一节点”（如节点A）和“公共节点”（如节点C）是匹配网络内部、位于双工器差分输出端和LNA差分输入端之间的特定节点，其公共节点是用于连接共模陷波器接地组件的关键点。对比文件中没有公开这样的内部节点结构，其电感L1、L2是直接连接在接收端子和天线端子之间，并未形成一个具有公共节点的、用于共模衰减的三元件星形结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征B《未公开》** <br>第二电路组件，其耦合在第二节点和所述公共节点之间 | 同上 | 与特征A同理，对比文件中电感L2连接在接收端子44和天线端子58之间，未涉及与一个“公共节点”相连接的第二节点结构。该连接关系未被公开。 |
| **技术特征C《未公开》** <br>第三电路组件，其耦合在所述公共节点和电路接地点之间， | 图3及[0013]、[0014]段：第一NMOS晶体管66在一个源/漏极端子连接到第一电容器(C1)78，在另一个源/漏极端子连接到第二电容器(C2)80。第一和第二电容器78、80各自在另一端分别耦合到第一天线和第二天线端子56、58。[0014]段：当PAon信号为高电平时，第一NMOS晶体管66在第一和第二电容器78、80之间呈现非常低的阻抗（例如短路）。 | 对比文件中，电容C1、C2的一端分别连接至两个天线端子，另一端通过开关晶体管M1选择性连接。在发射模式下，M1导通，使得C1和C2的另一端通过低阻抗路径（近似短路）连接在一起，这可以被视为形成了一个到地的虚拟节点（如[0015]段所述，M1位于天线端子之间的低电压虚拟地）。然而，这个“地”节点是通过开关行为动态形成的，且电容C1、C2是分别连接到两个独立的天线端子，而不是连接到一个由两个电感共享的“公共节点”。目标专利中的“第三电路组件”是固定连接在公共节点和电路接地点之间，用于为共模信号提供固定的低阻抗路径，其作用和结构均与对比文件不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D《未公开》** <br>所述第一电路组件、第二电路组件和第三电路组件针对在所述第一节点和第二节点接收到的来自双工器的差分接收端口的共模信号提供低阻抗路径。 | [0014]段：当PAon信号为高电平时，第一NMOS晶体管66在第一和第二电容器78、80之间呈现非常低的阻抗（例如短路）...LC配置还在天线端子56、58和接收端子42、44之间表现为阻抗变换，将在天线端子56、58处的天线阻抗变换为在接收端子42、44处的相对较低的阻抗。[0015]段：因为在发射期间接收端子42、44处的阻抗较低，由功率放大器52产生的发射信号将在接收端子42、44处保持相对较低的电压摆幅。 | 对比文件中，在发射模式下，通过开关M1将电容C1和C2连接，与电感L1、L2形成LC网络，其主要目的是进行**阻抗变换**，将天线端的高阻抗变换为接收端的低阻抗，从而保护接收机LNA免受发射大信号损坏。其作用对象是**发射信号从天线端到接收端的耦合路径**，目的是**降低接收端对发射信号的阻抗**。而目标专利特征D明确要求为“来自双工器的差分接收端口的共模信号提供低阻抗路径”，其作用对象是**接收路径上的共模信号**（包括泄漏的发射信号），目的是**衰减这些共模信号**。两者解决的问题、作用机理和目的均不相同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E《未公开》** <br>其中，所述第一电路组件和第二电路组件包括电感，所述第三电路组件包括电容。 | 图3及[0013]段：第一接收端子42通过第一电感器(L1)72连接到第一天线端子56；第二接收端子44通过第二电感器(L2)74连接到第二天线端子58。第一电容器(C1)78和第二电容器(C2)80。 | 对比文件确实公开了电感L1、L2和电容C1、C2。但是，如前述分析，它们的连接关系与目标专利特征E所限定的星形连接结构（两个电感共享一个公共节点，该节点通过电容接地）完全不同。在对比文件中，L1、L2是串联在接收端和天线端之间，而C1、C2是并联在天线端和开关之间。目标专利中的“第三电路组件（电容）”是直接连接在公共节点和地之间，而对比文件中的电容C1、C2并未直接接地，而是通过开关选择性互连。因此，该具体组合连接关系未被公开。 |
| **技术特征F《未公开》** <br>其中，所述第一电路组件和第二电路组件包括电容，所述第三电路组件包括电感。 | 未找到相应内容。 | 对比文件中没有公开第一、第二电路组件为电容，第三电路组件为电感的任何电路结构。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G《未公开》** <br>还包括：第一无源电路，其耦合在所述第一节点和所述双工器的第一接收端口之间 | 图3及[0013]段：第一和第二接收端子42、44用于连接到作为RF接收器一部分的低噪声放大器(LNA)50。 | 对比文件中，接收端子42、44直接连接到LNA 50，在接收端子42、44与双工器内部电路（如电感L1、L2）之间，没有插入如目标专利图4、6、7中所示的“第一无源电路”（例如电容CS或无源网络ZS）。目标专利中的“第一节点”是匹配网络内部的节点，区别于双工器的接收端口。对比文件未公开这种在双工器接收端口和内部节点之间存在额外无源电路的结构。 |
| **技术特征H《未公开》** <br>第二无源电路，其耦合在所述第二节点和所述双工器的第二接收端口之间，所述第一接收端口和第二接收端口对应于所述双工器的差分接收端口。 | 同上 | 与特征G同理，对比文件未公开在第二个接收端口和内部节点之间存在“第二无源电路”的结构。 |
| **技术特征I《未公开》** <br>其中，所述第一电路组件和第二电路组件包括电感，所述第三电路包括电容，所述第一无源电路和第二无源电路包括电容。 | 未找到相应内容。 | 该特征限定了第一、二电路组件为电感，第三为电容，且第一、二无源电路为电容的特定组合。对比文件既未公开特征G、H的“无源电路”，也未公开特征A、B、C所限定的星形连接结构，因此该具体组合更不可能被公开。 |
| **技术特征J《未公开》** <br>其中，所述第一无源电路和第二无源电路以及所述第一电路组件和第二电路组件针对所述双工器的差分接收端口提供阻抗匹配。 | [0010]段：双工器16包括匹配电路，用于在接收操作期间将接收机12的输入阻抗与天线18的阻抗匹配...该匹配电路与在发射操作期间使用的阻抗变换电路共享一个或多个无源元件。 | 对比文件确实公开了其可重构网络28（包含电感L1、L2等）在接收模式下用于为接收机提供阻抗匹配。然而，如前述分析，对比文件中的匹配网络结构（L1、L2直接连接接收端和天线端）与目标专利中由第一/第二无源电路和第一/第二电路组件（构成共模陷波器的一部分）共同形成的匹配网络结构（如图4、6、7）完全不同。目标专利的匹配网络是专门为包含共模陷波器的差分接收端口设计的，而对比文件的匹配网络是可重构的，用于在收发模式间切换，且其结构不包含共模陷波器。因此，该特定结构的匹配网络未被公开。 |
| **技术特征K《直接公开》** <br>还包括：低噪声放大器(LNA)，其具有耦合到所述第一节点和第二节点的差分输入端。 | [0013]段：双工器电路40包括第一和第二接收端子42、44用于连接到作为RF接收器一部分的低噪声放大器(LNA)50。图3明确显示了LNA 50的差分输入端连接到接收端子42、44。 | 对比文件明确公开了LNA 50具有差分输入端，并且该差分输入端耦合到了接收端子42、44。在目标专利中，“第一节点”和“第二节点”是匹配网络连接LNA的节点（如图4的A、B节点）。在对比文件的电路中，接收端子42、44可以被视为直接对应于目标专利中LNA的差分输入连接点。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地得出，对比文件的LNA具有耦合到其对应节点（接收端子42、44）的差分输入端。该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L《未公开》** <br>其中，所述第一电路组件和第三电路组件具有第一谐振频率 | 未找到相应内容。 | 对比文件中完全没有提及任何电路组件具有特定的“谐振频率”，更没有提及由第一电路组件和第三电路组件形成的谐振频率。目标专利中该谐振频率是共模陷波器衰减共模信号的关键设计参数。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M《未公开》** <br>其中，所述第二电路组件和第三电路组件具有与所述第一谐振频率相匹配的第二谐振频率。 | 未找到相应内容。 | 同理，对比文件未提及任何谐振频率，更未提及两个谐振频率相匹配的概念。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N《直接公开》** <br>其中，所述双工器将发射频率范围之内的发射信号从发射端口耦合到天线端口 | [0009]段：双工器包括阻抗匹配电路...在发射操作期间将天线阻抗变换为接收机输入端子的较低阻抗（以保护接收机免受损坏）。[0014]段：在发射操作期间，功率放大器52通过由第一和第二串联电感器72、74以及第一和第二并联电容器78、80组成的LC网络耦合到天线54。 | 对比文件明确描述了双工器（图3中的40）的功能：在发射模式下，将来自发射机（通过发射端子46、48）的发射信号，通过由L1、L2、C1、C2等元件构成的网络，耦合到天线端子56、58（进而到天线62）。这是双工器的基本功能之一。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地得出，对比文件中的双工器能够将发射频率范围内的发射信号从发射端口耦合到天线端口。该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征O《未公开》** <br>其中，所述第一谐振频率和第二谐振频率处于所述发射频率范围之内。 | 未找到相应内容。 | 由于对比文件未公开任何谐振频率（特征L、M），因此更不可能公开谐振频率处于发射频率范围之内这一特征。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P《未公开》** <br>其中，所述双工器在蜂窝频带或个人通信服务(PCS)频带中工作。 | 未找到相应内容。 | 对比文件的说明书全文未具体限定双工器工作的频带为“蜂窝频带”或“PCS频带”。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q《未公开》** <br>其中，所述第一电路组件、第二电路组件和第三电路组件是在射频集成电路(RFIC)外部的分立的电路组件。 | [0020]段：在一个方面，双工器40、LNA 50和功率放大器52全部集成在同一半导体芯片上。优选地，使用众所周知的CMOS技术集成这些元件。 | 对比文件主要教导和优选实施例是将双工器、LNA、PA等集成在单一芯片上（例如使用CMOS技术）。虽然该段也提到“其他工艺也是可能的”，但并未明确教导或启示第一、二、三电路组件（即其对应的L1、L2、C1、C2及开关）必须作为“在RFIC外部的分立电路组件”。事实上，其发明目的之一就是减少无源元件数量以利于集成。因此，对比文件未公开这些组件是“在RFIC外部的分立的电路组件”这一具体限定。 |
| **技术特征R《未公开》** <br>其中，所述第一电路组件、第二电路组件和第三电路组件实现在射频集成电路(RFIC)内部。 | [0020]段：在一个方面，双工器40、LNA 50和功率放大器52全部集成在同一半导体芯片上。优选地，使用众所周知的CMOS技术集成这些元件。 | 对比文件公开了将整个双工器电路（包含电感、电容、晶体管等）集成在半导体芯片内部的可能性。然而，此公开是一种可选的实现方式（“在一个方面”），并且其电路元件（L1、L2、C1、C2）与目标专利权利要求中限定的“第一、第二、第三电路组件”（具有特定连接关系和功能的共模陷波器）并不相同。因此，不能认为对比文件公开了目标专利中具有特定结构和功能的“第一、第二、第三电路组件”实现在RFIC内部。该技术特征未被公开。 |
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