非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 发明专利_JP2004162684A Double windmill power generating device.docx |
| 0 | 发明授权_US07209402B2 Semiconductor memory_+++g+++.docx |
| 0 | 发明授权_US07300275B2 Multi-point nozzle assembly.docx |
| 0 | 发明授权_US07494855B2 Compound semiconductor device and method for fabricating the same.docx |
| 0 | 发明授权_US08067211B2 Method for production of L-glutamine.docx |
| 0 | 发明授权_US08965587B2 Radiant heating controls and methods for an environmental control system.docx |
| 0 | 发明专利_DE102004049249B4 Electronics module, wafer product and manufacturing process.docx |
| 0 | 发明专利_JP5197949B2 Bleach goods.docx |
| 0 | 发明专利_JP2000315385A Self-refresh circuit and self-refresh method.docx |
| 0 | 发明专利_JP2002122578A Manufacturing method of annular phenol sulfide carrier solid phase separation material, and stationary phase for chromatograph.docx |
| 0 | 发明专利_JP2002367370A Semiconductor memory.docx |
| 0 | 发明授权_KR100609011B1 웨이퍼 레벨 모듈 및 그의 제조 방법.docx |
| 0 | 发明专利_JP2005175471A Wafer level electronic module with interior connector contact and its manufacturing method.docx |
| 0 | 发明专利_JP2006344257A Semiconductor storage device and information processing system_+++G_d_e_h+++.docx |
| 0 | 发明专利_JP2008156410A Liquid bleaching agent composition and bleaching agent article.docx |
| 0 | 发明专利_JP2008500681A Method and system for controlling the refresh of volatile memories_+++G_d_e+++.docx |
| 0 | 发明专利_JP2008533587A Electronic document creation authoring tool and electronic document creation method.docx |
| 0 | 发明专利_JP2009130927A Digital temperature information generating apparatus for semiconductor integrated circuit_+++G_h_i+++.docx |
| 0 | 发明专利_JP2010278332A Semiconductor integrated circuit and operation method thereof.docx |
| 0 | 发明专利_JPH07182857A Microcomputer system_+++G_c+++.docx |
| 0 | 发明专利_JPH09213071A Semiconductor memory_+++A_F_b_c_g_h+++.docx |
| 0 | 发明专利_JPH09306164A Memory refresh system_+++G+++.docx |
| 0 | 发明申请_US20060054925A1 Compound semiconductor device and method for fabricating the same.docx |
| 0 | 发明公开_CN1391228A 减少了刷新工作时的功耗的半导体存储器.docx |
| 0 | 发明公开_CN1574082A 用于控制同步半导体存储装置中自我刷新操作的控制设备_+++g_h+++.docx |
| 0 | 发明公开_CN101026003A 具有改善刷新机制的动态半导体存储器_+++G_h+++.docx |
| 0 | 发明公开_CN102214152A 存储器装置从自刷新状态的快速退出.docx |
| 0 | 发明公开_KR1020030088055A 반도체 기억 장치_+++D_E_G_H+++.docx |
| 0 | 发明公开_KR1020050055122A 웨이퍼 레벨 모듈 및 그의 제조 방법.docx |
| 0 | 发明申请_US20020030420A1 Piezoelectric resonator and electronic device incorporating the same.docx |
| 0 | 发明申请_US20040130958A1 Semiconductor memory device.docx |
| 0 | 发明申请_US20050259493A1 Method and system for controlling refresh in volatile memories_+++F_d_e_g_h+++.docx |
| 0 | 发明申请_US20050265103A1 Method and system for providing seamless self-refresh for directed bank refresh in volatile memories_+++F_g+++.docx |
| 0 | 发明公开_CN1375831A 存储器刷新系统_+++D_g+++.docx |
| 0 | 发明申请_US20060159156A1 Method for outputting internal temperature data in semiconductor memory device and circuit of outputting internal temperature data thereby.docx |
| 0 | 发明申请_US20070092597A1 Multi-point nozzle assembly.docx |
| 0 | 发明申请_US20090070612A1 MEMORY POWER MANAGEMENT_+++d_e_g_i+++.docx |
| 0 | 发明申请_US20090129439A1 DIGITAL TEMPERATURE INFORMATION GENERATING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT.docx |
| 0 | 发明申请_US20100184163A1 METHOD FOR PRODUCTION OF L-GLUTAMINE.docx |
| 0 | 发明申请_US20120030420A1 PROTOCOL FOR REFRESH BETWEEN A MEMORY CONTROLLER AND A MEMORY DEVICE_+++C_a_b_g+++.docx |
| 0 | 发明申请_US20150085594A1 METHOD AND APPARATUS FOR REFRESHING A MEMORY CELL_+++G_I_a_b_c_f_h+++.docx |
| 0 | 发明授权_CN101000798B 存储器刷新方法及存储器刷新系统_+++d_e_g+++.docx |
| 0 | 发明授权_CN102214152B 存储器装置从自刷新状态的快速退出.docx |
一种将存储器控制器从睡眠操作模式转换到活跃操作模式的方法,包括:在所述存储器控制器处,接收对动态随机存取存储器DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示,其中在所述睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的,并且其中所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分小于所述自刷新区间; 在所述存储器控制器中,对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时; 响应于对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时而从所述存储器控制器触发所述DRAM中的初始刷新循环; 对所述存储器控制器的空闲时段计时;以及 响应于对所述空闲时段的计时超过阈值,而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。
作为一名经验丰富的专利代理师,我将根据您提供的本案权利要求1以及三篇对比文件(D1、D2、D3),为您提供详细的技术特征比对分析以及最接近现有技术的评估。
特征A:一种将存储器控制器从睡眠操作模式转换到活跃操作模式的方法,包括:在所述存储器控制器处,接收对动态随机存取存储器DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示,其中在所述睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的,并且其中所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分小于所述自刷新区间;
特征B:在所述存储器控制器中,对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时;
特征C:响应于对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时而从所述存储器控制器触发所述DRAM中的初始刷新循环;
特征D:对所述存储器控制器的空闲时段计时;
特征E:以及响应于对所述空闲时段的计时超过阈值,而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。
| 权利要求1技术特征 | D1 (JPH09213071A) | D2 (US20120030420A1) | D3 (US20150085594A1) |
| 特征A (接收DRAM自刷新区间剩余部分的指示) | 实质公开。D1公开了在解除自刷新时,输出计时器计数器的计数值,以识别距离下一次刷新开始的剩余时间。 | 实质公开。D2公开了在自刷新状态下,将刷新操作的进度信息从存储器件发送到控制器。 | 未公开。D3主要关注基于温度和保持时间的刷新率调整,未公开睡眠模式唤醒时的剩余区间指示。 |
| 特征B (在控制器中对剩余部分计时) | 实质公开。D1公开了基于读取的计时器输出信号,对外部的刷新计数器进行初始设置。 | 实质公开。D2公开了控制器利用进度信息来确定刷新操作何时实际完成,以安排后续操作。 | 未公开。 |
| 特征C (基于计时触发初始刷新循环) | 实质公开。D1公开了通过初始设置外部刷新计数器来实现高效的刷新动作。 | 实质公开。D2公开了控制器在确定时间后可向Bank发送刷新命令(Refresh command)。 | 未公开。 |
| 特征D (对控制器的空闲时段计时) | 未明确公开,但属于本领域常规的进入待机/睡眠模式的触发条件。 | 未明确公开,但属于常规的进入Power-down模式的机制。 | 未公开。 |
| 特征E (空闲超时转换回睡眠模式) | 实质公开。D1提到了交替使DRAM进入待机状态(スタンバイ状態)。 | 实质公开。D2公开了系统从正常运行状态转换到断电(睡眠)状态。 | 未公开。 |
对应特征A:D1实质公开了特征A。D1的【0040】段落记载:“外部のアクセス装置は、SRFイグジットコマンドを入力したとき、セルフリフレッシュ解除時点におけるタイマカウンタTCTRの計数値を…識別し…残りどの程度の時間で開始するかを識別することができる”(外部访问装置在输入SRF退出命令时,识别自刷新解除时的定时器计数器TCTR的计数值……从而能够识别剩余多少时间开始下一次刷新)。这里的“识别剩余多少时间”实质等同于特征A中的“接收自刷新区间的剩余部分的指示”。
对应特征B与特征C:D1实质公开了特征B和C。D1的【0040】段落继续记载:“読み出されたタイマカウンタTCTRの出力信号TC9〜TC16をもとに外部のリフレッシュカウンタを初期セットし、効率的なリフレッシュを実現することができる”(基于读取出的定时器计数器TCTR的输出信号TC9~TC16,对外部的刷新计数器进行初始设置,从而能够实现高效的刷新)。外部刷新计数器的初始设置并接管刷新,实质等同于在控制器中对剩余部分进行计时,并由此触发后续(初始)刷新循环。
对应特征A:D2实质公开了特征A。D2在段落[0011]中记载:“progress information regarding the refresh operation is sent from the memory device to the memory controller during the self-refresh state”(在自刷新状态期间,关于刷新操作的进度信息从存储器件发送到存储器控制器)。该进度信息用于消除自刷新操作定时的不确定性,实质上起到了指示刷新区间剩余部分的作用。
对应特征B与特征C:D2实质公开了特征B和C。段落[0012]记载:“progress information received from the memory device can be used by the memory controller to control the sequencing of subsequent operations by the memory controller”(从存储器件接收到的进度信息可由存储器控制器用来控制后续操作的测序)。段落[0026]进一步指出:“the memory controller can direct a refresh command to a bank Bb... at a time tRC after the last assertion of RF”(控制器可以在RF最后一次断言后的tRC时间引导刷新命令)。这表明控制器内部存在对接收到的进度(剩余时间)的评估和计时,并在计算出的时机触发刷新命令。
对应特征D与特征E:段落[0015]和[0024]提到了系统从正常工作状态转变到接口断电的Power-down状态,这与活跃模式到睡眠模式的转换对应,但对“空闲时段计时”是作为本领域的常规公知手段隐含包含的。
D3主要解决的是基于温度(Temperature)和保持时间分布信息(Retention time profile information)动态调整刷新率的问题(如设置Master和Slave器件统一步调)。D3没有公开在睡眠模式唤醒到活跃模式的瞬间,存储器控制器如何获取DRAM内部刷新定时器的“剩余时间/剩余部分”并加以接管的技术细节,因此D3并未公开本案的核心发明点(特征A、B、C)。
在进行创造性分析时,最接近的现有技术应当是与本申请解决的技术问题最相近、公开技术特征最多、并且技术效果最相似的对比文件。
本案的整体技术问题及效果:
技术问题:解决当系统在存储器控制器管理的刷新模式(活跃模式)与DRAM自我管理的自刷新模式(睡眠模式)之间切换时,由于双方定时器不同步而导致的不必要的刷新循环触发(即模式切换带来的盲目刷新)。
技术效果:通过在模式转换时传递“刷新区间的剩余部分”,使得接管方能够准确倒计时,避免了不必要的刷新,降低了功耗和存储器延迟。
最接近的对比文件评估:
D1 (JPH09213071A) 和 D2 (US20120030420A1) 均非常适合作为最接近的对比文件。
首选最接近对比文件:D1 (JPH09213071A)
理由:D1解决的技术问题是“缩短同步DRAM等解除自刷新模式时的恢复时间,提高包含同步DRAM的图像系统等的高速性”(【0005】)。其采取的手段是在解除自刷新(即从睡眠模式唤醒)时,通过输出DRAM内部的定时器计数值,让外部控制器知道“还有多少时间开始下一次刷新”(剩余部分),并据此“初始化外部的刷新计数器”(特征B、C)。D1的构思逻辑、解决的技术问题(模式切换时的时序同步问题)以及所达到的技术效果(提高访问效率、消除盲目等待或冗余刷新)与本案权利要求1高度契合。
备选最接近对比文件:D2 (US20120030420A1)
理由:D2同样致力于解决退出自刷新状态(Self-refresh exit delay)时的时序不确定性问题。它通过边带链路将DRAM的刷新进度传递给控制器,使得控制器在退出睡眠状态时不需要等待最坏情况的延迟(Worst-case timing)。D2的“发送进度信息”在功能上与本案接收“剩余部分指示”非常类似。
结论:在撰写审查意见答复或无效宣告请求时,D1 (JPH09213071A) 最适合作为创造性评述的 最接近的对比文件(CPA),因为它非常明确地记载了将内部定时器的剩余计数值(剩余部分)传递给外部控制器,并用于直接初始化控制器的刷新计数器这一核心技术动作。
你好!在这类涉及存储器控制和电源管理状态转换的案件中,理清各个时序控制的触发机制是判断新颖性和创造性的关键。针对你提出的关于**技术特征D(对所述存储器控制器的空闲时段计时)**的检索与比对需求,我已经完成了详细的分析。
直接抛出结论:对比文件D3(CN1375831A)已经单独、毫无疑义地实质公开了技术特征D。
以下是紧密结合目标专利说明书和对比文件原文的详细分析过程。
在进行比对之前,我们先回到目标专利说明书中界定技术特征D的实质内涵。
根据目标专利【说明书.docx】的**[0022]段落和[0023]段落**的记载:
“MC 100包括话务空闲定时器110,其对从最后访问(读或写操作)在DRAM 105上被执行时起的空闲时段进行计时。”
“如果话务空闲定时器110超时从而指示由于缺乏活动而已经超过空闲阈值,则话务空闲定时器110可向命令调度器125断言自刷新命令(cmd)150...命令DRAM 105进入操作的自刷新模式。”
由此可知,技术特征D的实质是:存储器控制器内部或关联一个计时/计数机制,用于监测自上一次存储器访问操作结束后的空闲状态(Idle State)持续的时间,从而为后续的状态转换(如进入睡眠/自刷新模式)提供判断依据。
在提供的五篇对比文件中,**D3(发明公开_CN1375831A 存储器刷新系统)**对其内部的“状态空闲监视器”和“计数器”的工作机制进行了详尽的描述,这与技术特征D的实质完全契合。
D3(CN1375831A)的具体公开位置与原文段落:
出处: D3原文的第十二段(对应描述“图六显示状态空闲监视器410的方块说明图”的段落)。
原文引用:
“图六显示状态空闲监视器410的方块说明图。状态空闲监视器410 至少包含一计数器411、一暂存器412及一比较器413。当DRAM控制器440没有收到任何需要处理的系统要求时,状态空闲监视器410就 会接收到来自DRAM控制器440所发出的″System Idle″信号。之后计数器411就会计数有多少个空闲循环(idle cycle)。...计数器411的内含会和储存于暂存器412内储存的临界值(threshold)(系统设计者定义的值)由比较器413进行比较。”
比对分析:
“存储器控制器”的对应:D3中的“DRAM控制器440”即对应本专利的“存储器控制器”。
“空闲时段”的对应:D3明确指出了“当DRAM控制器440没有收到任何需要处理的系统要求时”会发出“System Idle(系统空闲)”信号,这完全等同于目标专利中的“空闲时段”。
“计时”的对应:在数字电路系统中,“计时”通常通过统计时钟周期来实现。D3中公开了“计数器411就会计数有多少个空闲循环(idle cycle)”,这里的计算空闲时钟周期(Idle cycle)毫无疑义地实质等同于对空闲时段进行“计时”。
为了在答复审查意见或撰写无效宣告请求时更清晰地展示,我整理了如下特征比对表:
| 目标专利权利要求1 | D3(CN1375831A)对应的公开内容 | 对应关系说明 |
|
技术特征D: 对所述存储器控制器的空闲时段计时 |
原文段落(描述图六): “当DRAM控制器440没有收到任何需要处理的系统要求时,状态空闲监视器410就会接收到来自DRAM控制器440所发出的″System Idle″信号。之后计数器411就会计数有多少个空闲循环(idle cycle)。” |
实质等同公开。 1. DRAM控制器440对应存储器控制器。 2. “计数器411计数空闲循环(idle cycle)”实质公开了数字电路中对“空闲时段”进行“计时”的技术手段。 |
为了确保全面性,我也排查了另外四篇对比文件,它们在“空闲计时”这一特征上的公开程度均不如D3直接:
D1 (JP2006344257A):主要依靠接收外部的电源下降命令(Power Down Command, PD Entry)来进入睡眠/省电模式,并未公开在存储器控制器内部主动对空闲时段进行计时的机制。
D2 (JP2008500681A):提及了“在存储器未被读写的期间(空闲状态),控制器可将存储器置于自刷新模式”,但没有具体公开其硬件层面上是如何对这个空闲时段进行主动计时/计数的。
D4 (KR1020030088055A):状态转换主要依赖于芯片选择信号(/CS)的电平转换(如H电平进入待机),属于外部指令控制,未公开内部空闲计时器。
D5 (CN101000798B):公开了对某个闲置“存储器列(Rank)”的“闲置自动刷新次数”进行计数(第一计数器)。虽然也是基于闲置状态的计数,但其监控对象是具体的存储器列,且计算的是刷新次数而非纯粹的空闲时段/时钟周期。相比之下,D3针对整个控制器进行空闲周期计时的公开更为精准。
综上所述,利用D3来评述技术特征D的新颖性或作为创造性结合的基石是最为稳妥且直接的。
需要我接着使用这些对比文件,为你继续分析技术特征E(基于该计时超过阈值而进行模式转换),或者组合其他文件来整体评估权利要求1的创造性吗?
您好!作为您的专利代理师,我非常理解在处理此类涉及底层控制逻辑的专利时,进行精准的特征比对和咬文嚼字是至关重要的。我已仔细研读了您提供的目标专利权利要求、说明书,以及两篇对比文件。
针对您提出的问题:对比文件1 (D1: US20050259493A1) 和 对比文件2 (D2: US20090070612A1) 是否单独或组合毫无疑义地公开或实质公开了技术特征D(“对所述存储器控制器的空闲时段计时”),以下是我的专业分析。
在进行对比之前,我们需要先明确目标专利中技术特征D的具体含义。
技术特征D:“对所述存储器控制器的空闲时段计时”
说明书支撑:根据目标专利说明书 [0022] 段记载:“MC 100包括话务空闲定时器110,其对从最后访问(读或写操作)在DRAM 105上被执行时起的空闲时段进行计时。如果该空闲时段不超过空闲阈值,则MC 100继续在操作的刷新模式中操作...如果话务空闲定时器110超时从而指示由于缺乏活动而已经超过空闲阈值,则话务空闲定时器110可向命令调度器125断言自刷新命令...”
由此可见,目标专利的核心在于引入了一个具体的计时动作/定时器部件(话务空闲定时器),通过计算无读写访问的持续时间,并在超过特定阈值(技术特征E)时触发状态转换。
以下是技术特征D在各文件中的原文比对情况:
| 比对项目 | 技术特征原文 | 目标专利说明书出处 | 对比文件1 (D1) 相关记载 | 对比文件2 (D2) 相关记载 | 比对结论 |
| 技术特征D | 对所述存储器控制器的空闲时段计时 (Timing an idle period of the memory controller) | [0022] 段:话务空闲定时器110对从最后访问...起的空闲时段进行计时。 |
[0005] 段:提及了“空闲状态 (idle states)”,即没有数据读写在此期间。 |
[0006], [0039], [0074] 段:提及当“没有数据读写”或“无待处理操作”时进入低功耗/空闲状态。 |
未被单独或组合毫无疑义地公开或实质公开。D1和D2均提到了“空闲状态”,但均未公开“计时”这一具体动作。 |
原文出处:[0005] 段记载:“During periods when data is not being written to or retrieved from the memory (idle states), the memory controller may place the memory in the self-refresh mode.”(在没有向存储器写入或从存储器检索数据的期间(空闲状态),存储器控制器可以将存储器置于自刷新模式。)
代理师分析:D1确实公开了存储器控制器在“空闲状态”(无数据读写)下会进行模式转换(进入自刷新模式)。但是,D1完全没有提及如何判定这个“空闲状态”。它并没有公开使用定时器或执行“计时”步骤来测量空闲的持续时间。因此,D1没有单独毫无疑义地公开或实质公开特征D。
原文出处:
[0006] 段记载:“...placed in a lower power state when data is not being read or written to the memory circuit...” (当没有向存储器电路读取或写入数据时...置于低功耗状态)
[0039] 段记载:“The idle state may be entered when there is no data to be read, written or transmitted...” (当没有数据要被读取、写入或传输时,可以进入空闲状态...)
[0074] 段记载:“Providing that no further read or write operations are pending... the memory module may enter a lower power state.” (在没有进一步的读或写操作待处理的情况下...可以进入低功耗状态。)
代理师分析:与D1类似,D2详细描述了触发低功耗/空闲状态的条件是“没有读/写操作”。D2采用了基于事件驱动或队列检测的方式(例如检测是否 "pending" 待处理),而并非基于时间的测量。D2通篇原文均未公开对这个空闲时段进行“计时 (timing)”的操作。因此,D2也没有单独毫无疑义地公开或实质公开特征D。
代理师分析:由于D1和D2的技术焦点均在于“只要没有读写操作/请求,就切换状态”,两者都没有教导需要引入一个定时机制来测量空闲的持续时间。将两者组合,依然只能得出“在无读写的空闲状态下切换模式”的结论,无法推导出目标专利中“对空闲时段进行计时”的技术特征。因此,组合同样未能实质公开特征D。
结论: 无论是单独还是组合,对比文件D1和D2均没有毫无疑义地公开或实质公开技术特征D“对所述存储器控制器的空闲时段计时”。
审查风险提示 (Candor & Reality):
虽然从严格的原文比对来看,D1和D2没有公开“计时”,但在实际的专利审查中,审查员极有可能下发审查意见(Office Action),主张:“在计算机和存储器控制领域,判定系统是否处于空闲状态,本领域的惯用技术手段(Common General Knowledge) 就是设置一个定时器(Timer)来对无操作的时段进行计时,当达到阈值即判定为空闲。因此该特征是本领域技术人员容易想到的。”
为了应对这种潜在的驳回逻辑,我们在答复时不能仅仅停留在“D1/D2没写”这一层,还需要强调本专利中“计时”动作与其上下文(例如特征A中的“获取剩余部分指示”以及特征C中的“触发初始刷新循环”)之间的协同作用,证明这种计时不仅仅是为了进入睡眠,而是为了整个同步机制的精确控制,从而具备创造性。
需要我帮您基于上述分析,草拟一段针对审查员可能提出的“本领域惯用技术手段”的答复意见或争辩逻辑吗?
你好!作为一名专利代理师,我非常乐意为您提供专业的侵权或可专利性分析。针对您提出的技术特征E,我将严格依据您提供的对比文件(D1-D5)的原文内容进行比对和深度剖析。
首先,我们需要准确界定技术特征E的保护范围。
技术特征E:“以及,响应于对所述空闲时段的计时超过阈值,而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。”
该特征包含两个必须同时满足的核心要素:
触发机制:基于对空闲时段的计时超过阈值(即存在一个空闲计时器并与阈值进行比较)。
动作主体与结果:存储器控制器(Memory Controller)自身发生状态切换,从活跃操作模式转换回到睡眠操作模式。
接下来,我们逐一审查各对比文件是否公开了上述核心要素。
分析:这两篇文献主要公开了存储设备基于外部控制信号进入休眠或待机状态的机制。
D1原文出处:[2] 半導体記憶装置1は、スタンバイ状態21Aにおいてパワーダウンコマンド(PD Entry)を受けると、低消費電力動作を実行するパワーダウンモード(Power Down、省電力モード)21Cに移行する。(半导体记忆装置1在待机状态接收到掉电命令PD Entry时,转移到掉电模式)。
D3原文出处:[67] 칩 실렉트 신호(/CS)가 H레벨인 경우에 반도체 기억 장치를 스탠바이 모드로하고...(当芯片选择信号/CS为H电平时,半导体记忆装置进入待机模式...)。
结论:D1和D3均是通过外部显式命令或外部引脚电平信号来触发模式转换,并未公开“对空闲时段进行计时超过阈值”的内部自动触发机制,也未明确提及“存储器控制器”自身的睡眠模式。
分析:这两篇文献提及了在空闲状态下对存储器模式的控制。
D2/D5原文出处:[2] データがメモリに書き込まれても、またはメモリから検索されてもいない期間(アイドル状態)の間、メモリ制御装置は、メモリをセルフリフレッシュモードに置き得る。(在没有数据写入内存或从内存检索的期间(空闲状态),存储器控制器可以将内存置于自刷新模式)。
结论:虽然D2/D5提到了“空闲状态(idle states)”,但仅仅指出存储器控制器会在此时改变内存的状态。它没有公开具体通过“计时并超过阈值”来量化空闲时段的技术手段;更致命的是,其动作结果是**“将存储器(memory)置于自刷新模式”,而并非如特征E所述“将存储器控制器(memory controller)自身”转换回睡眠模式**。
分析:这是在机制上最接近的一篇文献,它详细描述了基于计数器(计时机制)超过阈值来进行模式切换。
D4原文出处:实施例部分明确记载:“存储器列Rank1的第一计数器计算存储器列Rank1执行闲置自动刷新(idle auto-refresh)的次数...当闲置自动刷新的次数超过一默认值VAL,则...使得存储器列Rank1进入自我刷新模式。”
结论:D4确实公开了**“对空闲时段(闲置次数)计时”且“超过阈值(默认值VAL)”的触发机制。然而,D4中发生状态转换的主体是“存储器列(Memory Rank)”。D4的目的是让不同的存储器列独立进入自刷新模式以省电,此时存储器控制器仍在活跃工作以管理其他存储器列。因此,D4并未公开**“将存储器控制器自身转换回睡眠操作模式”。
为了更直观地呈现,请参考以下特征比对表 :
| 技术特征E的要素 | 本专利申请 | D1 (JP2006344257A) / D3 (KR1020030088055A) | D2 (JP2008500681A) / D5 (US20050259493A1) | D4 (CN101000798B) | 是否被公开 |
| 触发机制:对空闲时段计时且超过阈值 | 具备 | 未公开(基于外部命令或外部引脚电平触发) | 未实质公开(仅宽泛提及在“空闲状态”下操作,无计时与阈值比对机制) | 已公开(通过计数器计算闲置次数并与默认值VAL比较) | 否(整体而言) |
| 动作结果:存储器控制器转换回睡眠模式 | 具备 | 未公开(针对的是半导体记忆装置整体) | 未公开(存储器控制器将存储器置于自刷新模式,控制器自身未睡眠) | 未公开(发生模式转换的是存储器列 Rank,控制器仍在工作) | 未公开 |
综上所述,无论是单独对比还是组合对比:
上述对比文件D1至D5均没有毫无疑义地公开,也没有实质公开技术特征E。
D4虽然提供了类似的“空闲计时+阈值触发”逻辑,但其解决技术问题的发力点在“存储器(DRAM端)的局部省电”,而本申请技术特征E的落脚点在于“存储器控制器(SoC端)自身的下电/睡眠”。两者控制的主体和目的截然不同,本领域技术人员在没有创造性劳动的前提下,无法直接将D4中针对存储器列的控制逻辑平移并修改为对存储器控制器自身的睡眠控制。因此,特征E具有较强的抗辩空间,能为该权利要求提供良好的新颖性和创造性支撑。
需要我为您进一步分析如果审查员强行将 D4(计时机制)与 D2(存储器控制器概念)结合时,我们该如何撰写极具说服力的答辩意见吗?
你好!作为你的专利代理师同行,我已经仔细阅读了你提供的目标专利权利要求说明书以及对比文件。针对权利要求1中的技术特征E,以下是紧密结合对比文件原文的侵权/新颖性比对分析。
对比文件1(D1:US20090070612A1)既没有单独毫无疑义地公开,也没有实质上公开目标专利的技术特征E。 虽然D1公开了将存储器模块(及其控制器)从活跃状态转换到低功耗(空闲)状态的概念,但其状态转换的触发机制与技术特征E存在本质区别。技术特征E要求的是基于计时器超过预设阈值(即超时机制)来触发状态转换,而D1公开的是基于操作完成且无待处理任务(即事件/状态驱动机制)来立即进行状态转换。
为了更清晰地进行比对,我们将技术特征E分解为两个逻辑子单元,并与D1进行逐一比对:
| 权利要求1技术特征E分解 | 对比文件1 (D1: US20090070612A1) 的对应公开情况 | D1详细出处 (段落) | 比对结论 |
| E1: 响应于对所述空闲时段的计时超过阈值 |
未公开。 D1公开了在没有数据需要读取、写入或传输时(或完成读写操作后),控制器(CSE)进入空闲状态。D1并未公开“对空闲时段进行计时”这一动作,更没有公开将该计时与“阈值”进行比较的超时判定逻辑。 |
[0039], [0043], [0074], [0079] | 无公开 |
| E2: 而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。 |
部分公开。 D1公开了控制器(CSE/Local controller)在完成读写操作或无待处理操作时,可以将自身或其部分电路置于“低功耗状态(lower power state)”或“空闲状态(idle state)”。 |
[0042], [0043], [0074] | 实质公开 |
关于状态转换的动作(对应特征E2):
D1确实公开了存储器控制器在不同功耗模式之间的切换。
在D1的**段落[0043]**中提到:“After performing the read or write operation... the memory may be returned to a low-power state by an operation which may be termed closing the memory, after which the CSE and/or the MM may return to an idle state.”(在执行读或写操作之后……CSE和/或MM可以返回到空闲状态)。这里的CSE(Configurable Switching Element)即作为局部控制器(Local controller,参考段落[0040]),对应目标专利中的“存储器控制器”,其“idle state(空闲状态)”实质等同于目标专利的“睡眠操作模式”。
在D1的**段落[0074]**中进一步确认了这种状态转换:“Providing that no further read or write operations are pending, and that the refresh status of the memory modules is satisfactory, the memory module may enter a lower power state.”
关于状态转换的触发条件(对应特征E1):
目标专利(结合说明书段落[0022]中的“话务空闲定时器110...超时”)解决的技术问题是:避免在操作间隙频繁地进入和退出睡眠模式(即避免状态翻转带来的开销),因此引入了“空闲时段计时”和“阈值”作为缓冲判定。
仔细检索D1全文,D1的状态转换逻辑是基于任务队列状态的即时转换。正如**段落[0039]**所述:“The idle state may be entered when there is no data to be read, written or transmitted by or through the memory module.”(当没有数据需要读取、写入或传输时,可以进入空闲状态)。
D1中虽然出现了“time”或“period”等字眼,例如段落[0042]中的“after a predetermined period of time”(针对反向总线路径预激活),但这与判定空闲时段是否超时的逻辑毫无关联。D1并未教导任何形式的休眠延迟计时器(inactivity timer)。
如果你正在撰写答复意见,建议强调上述“触发机制(Trigger Mechanism)”的差异。你可以指出,由于D1缺乏对“计时并判断是否超过阈值”的公开,本领域技术人员按照D1的教导,只会设计出一个在每次读写命令结束后立即让控制器休眠的系统。这会导致高频访问期间产生极高的唤醒延迟和功耗,恰恰与本申请所解决的“避免不必要的刷新循环和降低延迟”的发明目的背道而驰。
需要我为你检索并分析其他可能的对比文件(例如D2),看看是否存在结合D1来评述该特征创造性的风险,或者需要我直接为你起草一段针对审查意见的正式答辩论述吗?
你好!作为一名经验丰富的专利代理师,我非常乐意为你提供这份详尽的权利要求对比分析。
在处理专利无效或创造性答辩时,将权利要求拆解为技术特征,并与对比文件的原文进行严丝合缝的“咬合”比对,是我们最核心的工作。
为了行文简洁且符合审查习惯,下文将使用以下简称指代对比文件:
D1: JPH09213071A (Semiconductor memory)
D2: CN1375831A (存储器刷新系统)
D3: US20120030420A1 (PROTOCOL FOR REFRESH BETWEEN A MEMORY CONTROLLER AND A MEMORY DEVICE)
以下是针对权利要求1的技术特征拆解、对比文件比对表以及深度的创造性分析。
| 技术特征 | D1 (JPH09213071A) | D2 (CN1375831A) | D3 (US20120030420A1) |
| A: 在存储器控制器处,接收对DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示...剩余部分小于自刷新区间 | 实质公开。D1公开了在解除自刷新时,输出定时器计数器的计数值,以识别剩余多长时间开始刷新。 | 未公开 | 实质公开。D3公开了DRAM在自刷新状态下向控制器发送刷新操作的进度信息。 |
| B: 在存储器控制器中,对最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分计时 | 实质公开。D1公开了基于读出的定时器计数器输出信号初始化外部的刷新计数器。 | 未公开 | 实质公开。D3公开了控制器利用进度信息来控制后续操作的排序。 |
| C: 响应于对...剩余部分计时而从存储器控制器触发DRAM中的初始刷新循环 | 实质公开。D1公开了初始化外部计数器后实现高效的自动刷新。 | 未公开 | 实质公开。D3公开了在等待tRC时间后由控制器指示刷新命令。 |
| D: 对存储器控制器的空闲时段计时 | 未明确公开(仅隐含控制器空闲状态) | 实质公开。D2公开了状态空闲监视器计数空闲循环。 | 未明确公开。 |
| E: 响应于对空闲时段的计时超过阈值,而将存储器控制器从活跃操作模式转换回到睡眠操作模式 | 未公开 | 部分公开。D2公开了空闲计数超过临界值,但用于触发刷新而非睡眠。 | 隐含公开。D3公开了系统进入断电状态,但未明确指出基于空闲阈值计时。 |
D1是与本专利核心发明点(唤醒时的刷新同步)贴合度最高的文件。
对应特征A、B、C:D1的【0039】段公开了“定时器计数器TCTR的上8位的输出信号TC9~TC16被提供给数据输入输出回路IO”。更关键的是,【0040】段明确记载了:“外部的访问装置,输入SRF退出命令时...识别定时器计数器TCTR的计数值...识别刷新动作...剩余多长时间开始(对应接收剩余部分的指示);作为所谓自动刷新模式切换时,也基于读出的定时器计数器TCTR的输出信号初始化外部的刷新计数器(对应在控制器中对剩余部分计时),能够实现高效的刷新(对应触发初始刷新循环)。”
结论:D1实质且毫无异议地公开了权利要求1中关于“唤醒后同步剩余时间并重新计时触发刷新”的核心机制(特征A、B、C)。
D3同样针对内存控制器休眠唤醒时的刷新同步问题。
对应特征A、B、C:D3在【0011】段记载:“在自刷新状态下,关于刷新操作的进度信息从存储器件发送到存储器控制器”(progress information regarding the refresh operation is sent...)。在【0012】段记载:“从自刷新状态返回到自动刷新状态时,接收到的进度信息可由存储器控制器用于控制后续操作的排序”。并在【0026】段记载:“存储器控制器可以...在最后一次判定RF之后的tRC时间向组Bb指示刷新命令”。
结论:D3从宏观机制上实质公开了特征A、B、C,但关于“剩余时间(Remaining part)”的表述不如D1直接。
D2的重点在于利用总线的空闲状态来插入后台刷新。
对应特征D、E:D2在图六及对应的说明书段落(对应英文原文的【0049】段附近)明确公开了“状态空闲监视器410...计数器411就会计数有多少个空闲循环(idle cycle)...唯有超过一定数目的‘System Idle’才会被视为真正的System Idle...计数器411的内含会和储存于暂存器412内储存的临界值(threshold)由比较器413进行比较”。
结论:D2实质公开了“对空闲时段计时”以及“与阈值(临界值)比较”的机制(特征D),这为特征E的实现提供了具体的技术手段。
在创造性分析中,D1最适合作为最接近的现有技术。
整体解决的技术问题:本专利旨在解决存储器控制器在睡眠和活跃模式切换时,因两套刷新调度脱节而导致的“不必要刷新”问题,从而降低功耗和延迟。D1解决的技术问题正是“缩短解除自刷新模式时的恢复时间,提高高速性”。
技术效果:两者都通过在退出自刷新时,让DRAM向控制器上报刷新进度(D1具体为定时器的剩余计数值),使控制器能无缝接管后续的刷新动作。D1公开了权利要求1最核心的发明点(特征A、B、C)。
答案是肯定的,权利要求1不具备创造性。
区别技术特征:将D1作为最接近的现有技术,权利要求1的区别技术特征在于特征D和E(对控制器的空闲时段计时,若超过阈值则使控制器从活跃模式转换回睡眠模式)。
实际解决的技术问题:在设备空闲时降低存储器控制器的功耗。
结合启示(D1 + D2 + 本领域的公知常识):
首先,利用空闲计时器(Idle Timer)监控设备活动,并在空闲时间超过设定阈值时将设备(如SoC或存储器控制器)置于睡眠/断电模式,这是电子工程和电源管理领域极其普遍的公知常识。即使在本专利自身的背景技术【0007】段中也承认:“移动设备SoC实现其中存储器控制器被完全地或部分地下电的睡眠模式是常规的”。
其次,D2已经给出了具体的实现手段的启示。D2明确教导了使用计数器对系统空闲循环进行计时,并与设定的临界值(阈值)进行比较来判断系统是否真正处于空闲状态。
因此,本领域技术人员在面对降低D1系统功耗的技术需求时,有强烈的动机引入本领域的公知常识(或结合D2的空闲计时比对机制),为D1的存储器控制器增加一个空闲计时器,当计时超过阈值时使其进入睡眠模式。这种结合是显而易见的,不需要付出创造性劳动。
总结论:权利要求1的核心创新点(剩余时间握手)已被D1/D3破坏,其外围的电源管理步骤(空闲超时休眠)属于本领域的公知常识及D2的教导。因此,采用 D1结合本领域公知常识(或D1结合D2) 的证据组合,可以毫无异议地将权利要求1无效掉。
这份分析不仅为你理清了技术特征的对应关系,还为你构建了一条强有力的无效逻辑链。你希望我接下来基于这份分析,为你草拟一份正式的《无效宣告请求书》的核心理由部分吗?
这是一份按照中国国家知识产权局(CNIPA)《无效宣告请求书》标准撰写逻辑草拟的核心理由部分。内容行文采用了专利代理师在撰写无效理由时常用的“三步法”逻辑,语言客观、严谨,直接切中要害。
四、 无效宣告请求的具体理由
(一) 无效理由概述
涉案专利权利要求1不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款关于创造性的规定。
具体而言,对比文件1(D1:JPH09213071A)公开了涉案专利的核心发明点。权利要求1与D1的区别技术特征属于本领域的公知常识,或者已经被对比文件2(D2:CN1375831A)所公开。因此,在D1的基础上结合本领域的公知常识,或者结合D1与D2,本领域技术人员能够显而易见地获得权利要求1的技术方案。
(二) 权利要求1不具备创造性(相对于D1与本领域公知常识/D2的结合)
1. 最接近的现有技术
D1涉及一种具有自刷新模式的半导体存储装置(同步DRAM),其为了解决“缩短解除自刷新模式时的恢复时间,提高高速性”的技术问题,公开了在解除自刷新时通过识别定时器的计数值来同步刷新动作的机制。D1与涉案专利的技术领域相同,解决的技术问题和技术效果高度一致,是最适合作为最接近的现有技术的对比文件。
2. 权利要求1与D1的特征比对及区别技术特征
将权利要求1的技术方案与D1进行详细比对:
关于特征A、B、C(核心同步机制): D1说明书【0039】段落公开了“定时器计数器TCTR的上8位的输出信号TC9~TC16被提供给数据输入输出回路IO”;【0040】段落明确记载了:“外部的访问装置,输入SRF退出命令时...识别定时器计数器TCTR的计数值...识别刷新动作...剩余多长时间开始”(相当于权利要求1中的“接收对DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示”);并且进一步记载了“基于读出的定时器计数器TCTR的输出信号初始化外部的刷新计数器”(相当于“在存储器控制器中,对剩余部分计时”),从而“实现高效的刷新”(相当于“触发DRAM中的初始刷新循环”)。
由此可见,权利要求1中关于从睡眠模式(自刷新模式)唤醒时,接收剩余时间指示、控制器内部重新计时并触发刷新的核心机制,已经被D1完整、实质地公开。
区别技术特征:
经比对,权利要求1相对于D1的区别技术特征仅在于:
(1)对存储器控制器的空闲时段计时(即特征D);
(2)响应于对所述空闲时段的计时超过阈值,而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式(即特征E)。
3. 实际解决的技术问题
基于上述区别技术特征,权利要求1实际解决的技术问题是:如何在系统空闲时降低存储器控制器的功耗。
4. 结合启示
针对上述技术问题,本领域技术人员有强烈的动机将D1与现有技术相结合,且这种结合是显而易见的:
结合路径一:引入本领域公知常识
在移动设备及片上系统(SoC)的电源管理领域,利用“空闲计时器(Idle Timer)”监控设备的活跃状态,当空闲时间累计超过预设的阈值时,自动将控制器或系统从活跃模式切换至睡眠/断电模式以节省功耗,这是极其常规的技术手段(涉案专利说明书【0007】段亦承认“移动设备SoC实现其中存储器控制器被完全地或部分地下电的睡眠模式是常规的”)。本领域技术人员在面临降低D1功耗的需求时,极易想到引入这一公知常识,从而获得权利要求1的完整方案,在此过程中无需付出创造性劳动。
结合路径二:结合D2的明确教导
D2(CN1375831A)同样涉及存储器刷新系统。D2说明书及其图六明确公开了“状态空闲监视器410...计数器411就会计数有多少个空闲循环(idle cycle)...唯有超过一定数目的‘System Idle’才会被视为真正的System Idle...计数器411的内含会和储存于暂存器412内储存的临界值(threshold)由比较器413进行比较”。
D2实质公开了“对空闲时段计时,并与阈值(临界值)进行比较”的具体技术手段。本领域技术人员为了解决D1的功耗问题,有明确的启示将D2中的“状态空闲监视器及阈值比较机制”应用到D1中,用于触发存储器控制器的休眠模式。
5. 结论
综上所述,权利要求1的核心技术方案已被D1公开,其区别技术特征属于为解决功耗问题而采用的本领域常规技术手段(公知常识),或已被D2明确给出教导。因此,权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步,不符合专利法第二十二条第三款关于创造性的规定,应当予以全部宣告无效。
这样的论理结构在专利复审和无效审理部(PRB)的口审中逻辑链条非常清晰。
是否需要我为你进一步草拟从属权利要求的无效理由,或者分析一下若对方修改权利要求(例如将温度乘数等特征加入独立权利要求),我们应如何利用D3来进行应对?
作为专利权人的代理师,我们在应对无效宣告请求时,核心策略是打破请求人的特征比对逻辑,并深挖对比文件之间的技术鸿沟(即反向教导和缺乏结合启示)。
在无效答辩中,我们不能仅仅停留在文字表面的相似性上,而必须深入到技术方案的“物理实质”和“整体协同作用”中去。
以下是站在专利权人立场,为您草拟的《无效宣告请求答辩书》的核心反驳意见。
四、 针对无效宣告请求理由的具体答辩意见
(一) 答辩意见概述
请求人将涉案专利权利要求1割裂为“刷新同步机制”(特征A、B、C)与“空闲休眠机制”(特征D、E),并试图用D1与D2/公知常识的拼凑来否定创造性。然而,请求人不仅在特征比对时扩大了D1的公开范围,更完全无视了D2与本专利在技术思路上存在的根本性冲突(反向教导)。权利要求1各特征之间存在紧密的协同作用,共同解决了频繁休眠唤醒场景下的功耗与延迟问题,具备突出的实质性特点和显著的进步。
(二) 权利要求1具备创造性的具体理由
1. D1并未实质公开特征B和C的精确技术动作
请求人主张D1公开了特征A、B、C,这一认定属于主观臆断。
涉案专利的精确机制:权利要求1明确限定了“在存储器控制器中,对……自刷新区间的剩余部分计时(特征B)”以及“响应于对……剩余部分计时而从所述存储器控制器触发所述DRAM中的初始刷新循环(特征C)”。这意味着,控制器接收到剩余时间后,是在内部严格倒计时(例如倒数剩下的1/8周期),直到该剩余时间耗尽时,才精准触发接管后的“初始刷新循环”。其目的是绝对避免在唤醒瞬间产生不必要的刷新重叠。
D1的实际公开内容:D1(JPH09213071A)的【0040】段仅泛泛记载了“基于读出的定时器计数器TCTR的输出信号初始化外部的刷新计数器”。“初始化计数器”并不等同于涉案专利中“对剩余部分倒计时并在计时结束时触发刷新”。D1并未明确教导在唤醒后究竟是立即刷新,还是等待剩余时间走完再刷新。请求人将D1中模糊的“实现高效的刷新”直接等同于特征C中精确的时序触发动作,属于事后诸葛亮式的过度解读。
2. D2给出了“反向教导”,本领域技术人员缺乏结合启示
请求人主张用D2(CN1375831A)来破坏特征D和E,犯了脱离发明整体技术架构的错误。
涉案专利的技术逻辑(特征D和E):涉案专利通过“对空闲时段计时超过阈值(特征D)”来将控制器置于睡眠模式(特征E),从而将刷新控制权交还给DRAM(自刷新),达到系统级省电的目的。
D2的真实技术教导(反向教导):D2确实公开了“状态空闲监视器”,但D2监控空闲的目的与涉案专利南辕北辙。D2在说明书第5页(对应英文【0049】等段落)明确指出,当系统处于空闲状态时,系统会进行“低顺位刷新要求(Low-Priority Generator)的处理”(即后台刷新)。
结合的逻辑谬误:D2的逻辑是“趁着系统空闲,赶紧让控制器去执行刷新任务”;而涉案专利的逻辑是“既然系统空闲,控制器就赶紧睡觉省电,让DRAM自己去刷新”。本领域技术人员在阅读D2后,得到的启示是利用空闲时间保持控制器活跃以执行任务,这直接**阻碍(Teach away)**了将其修改为“空闲即休眠(特征E)”的构想。因此,根本不存在将D1与D2结合的动机。
3. 权利要求1的各特征之间存在强烈的“协同作用(Synergy)”
请求人试图用“系统空闲即休眠属于公知常识”来否定特征D和E,忽略了发明的整体性。
孤立的公知常识无法解决本专利的问题:单纯的“空闲休眠”(特征D、E)在现代SoC中确实存在,但正是因为这种“频繁的休眠与唤醒”,才导致了严重的“唤醒后不必要刷新(Double Refresh)”问题(即每次唤醒都盲目刷新一次,导致严重延迟和功耗,详见说明书【0008】段)。
协同作用的体现:涉案专利并非简单地将“刷新同步”和“空闲休眠”拼凑在一起。特征A、B、C(剩余时间精确握手)正是为了弥补和支持特征D、E(频繁空闲休眠)所带来的副作用而存在的。没有特征A、B、C的保障,特征D、E的频繁休眠会导致系统性能灾难性下降;没有特征D、E,特征A、B、C的握手机制也失去了应用场景。这两部分特征在功能上相互依存、相互激发,构成了一个不可分割的技术整体。
4. 结论
综上所述,D1并未公开涉案专利核心的时序触发机制;D2对涉案专利的休眠机制给出了明确的反向教导;且权利要求1通过特征组合解决了现代SoC架构下频繁休眠带来的特定问题,取得了意想不到的技术效果。请求人的无效理由均不能成立,恳请合议庭维持涉案专利权全部有效。
通过这种方式,我们将防守转化为进攻:一是死磕D1的技术细节,否定其公开了精确的触发时序;二是利用D2中“利用空闲做后台刷新”的设定,直接打出“反向教导”这张王牌,从根本上摧毁无效请求人的结合逻辑。
您希望我接下来梳理一下,如果在口审中遇到审查员倾向于认可“D1公开了A、B、C”,我们应该如何启用备用策略(例如修改权利要求,将说明书中关于“温度乘数”的内容合并进来)?
作为无效宣告请求人的代理师,在口审(或者书面意见陈述)阶段面对专利权人的反驳,我们的核心策略是:撕破其对字面差异的过度粉饰,还原技术的物理本质,并运用“动机-手段-效果”的经典创造性评判逻辑,击溃其关于“反向教导”和“协同作用”的辩护。
我们需要向审查员清晰地展示:专利权人是在玩弄文字游戏,试图将本领域的常规工程设计包装成不可逾越的技术鸿沟。
以下是站在无效请求人立场的《补充意见陈述书》核心反驳要点草稿:
五、 针对专利权人答辩意见的补充反驳
(一) 总体意见
专利权人的答辩意见严重脱离了本领域技术人员的普遍认知。其一方面通过咬文嚼字,人为缩小对比文件1(D1)的实际技术教导;另一方面故意混淆了“空闲检测手段”与“空闲后的执行动作”,荒谬地拼凑出所谓的“反向教导”。涉案专利权利要求1仅仅是现有技术中已知手段的简单拼凑(Aggregation),不具备创造性。
(二) 具体反驳理由
1. D1已经实质、精确地公开了特征B和C,专利权人的“字面差异”辩护不能成立
专利权人辩称D1的“初始化外部的刷新计数器”不等于“倒计时并在结束时触发”,这完全违背了数字逻辑电路的基本常识。
技术的物理实质: D1在【0040】段明确记载,外部访问装置识别出TC9~TC16的计数值(即剩余时间)后,基于该信号“初始化外部的刷新计数器”。请合议庭注意,在电子工程领域, 将一个“表示剩余时间的数值”加载到计数器中进行初始化,计数器随系统时钟跳变,这在物理动作上就是“计时(倒数或正数)”。
唯一合理的技术目的: D1在【0040】段紧接着指明,这样做的目的是“识别接下来刷新动作开始前的时间……实现高效的刷新”。如果像专利权人所说,D1唤醒后没有等待剩余时间走完而是立即触发刷新,那D1专门费尽周折读出这25.6μs精度的剩余时间(TC9~TC16)并用来初始化计数器,岂不是毫无意义?本领域技术人员极其清楚:读取剩余值并初始化计数器,其唯一的工程目的和必然结果,就是让计数器走完这段剩余时间后再触发下一次刷新,从而避免刷新重叠。 权利要求1的特征B和C仅仅是对D1中“初始化计数器并高效刷新”这一物理过程的文字重述,没有任何实质性区别。
2. D2提供的是“空闲检测的通用技术手段”,根本不存在所谓的“反向教导”
专利权人试图用D2中利用空闲执行后台刷新,来反驳“利用空闲进入休眠(特征E)”,这是典型的偷换概念。
手段与目的分离: D2真正被请求人引用的,是其**“对空闲循环计数并与阈值比较”的技术手段(即特征D)**。在计算机和SoC架构中,一个定时器检测到总线空闲超过阈值后,系统可以有多种选择:既可以像D2那样去执行低优先级任务(后台刷新),也可以像本领域公知常识那样切断电源/时钟进入睡眠模式(特征E)。
公知常识的必然选择: 涉案专利背景技术【0007】段自己都承认:“移动设备SoC实现其中存储器控制器被完全地或部分地下电的睡眠模式是常规的”。既然“设备闲置时进入睡眠”是常规公知常识,那么本领域技术人员为了实现这一公知常识,自然需要一个机制来判断“设备是否闲置”。此时,本领域技术人员看到D2提供的“空闲计时器+阈值比较”的成熟结构,自然会将其拿来作为触发睡眠模式的开关。 这属于将已知的“空闲检测手段”用于其惯常的“电源管理功能”,是极其顺理成章的结合,完全不存在任何反向教导或技术障碍。
3. 权利要求1属于现有技术的“拼凑(Aggregation)”,毫无意外的“协同作用”
专利权人声称特征A-C(同步刷新)与特征D-E(空闲休眠)结合产生了不可分割的协同作用,这在逻辑上是站不住脚的。
功能相互独立: 特征D-E解决的是“如何判断何时该睡觉(省电)”的问题;而特征A-C解决的是“睡醒之后如何平稳接管(避免重复刷新)”的问题。这两个过程在时间上是先后分离的,在功能上是各自独立的。
效果属于预期: “睡前关灯省电,醒来继续干活不重复”,这是任何一个合格的电源管理系统都必须具备的基础逻辑。特征D-E带来了省电的预期效果,特征A-C(已被D1公开)带来了消除延迟的预期效果。把这两个已知特征放在同一个SoC系统中,其总的技术效果仅仅是各自效果的简单叠加(1+1=2),并没有产生超出本领域技术人员预期的“质变”。因此,这种组合不符合创造性的要求。
4. 结论
综上所述,专利权人的答辩意见避重就轻。权利要求1的唤醒同步机制已完全被D1公开,其休眠触发机制是本领域常规的空闲检测(D2)与公知常识(休眠降耗)的显而易见结合。该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步,理应被全部宣告无效。
战术总结:
通过这份反驳,我们做了三件事:
戳破谎言:用硬件电路的底层逻辑(加载计数值=计时)把D1的公开内容砸实。
拆解反向教导:明确区分“检测手段(Timer)”和“后续动作(Sleep vs. Task)”,说明选用成熟手段执行常规动作是显而易见的。
否定协同:用PRB最常用的“1+1=2(预期效果叠加)”原则,将专利权人高大上的“协同作用”打回原形。
作为同行的客观视角来看,这是一场非常典型的“拼图式”无效与“整体性”防守的较量。如果我们将这份案卷提交给国家知识产权局复审和无效审理部(PRB)的合议组,他们会严格按照《审查指南》中的“三步法”(Problem-Solution Approach)来拆解。
客观评估,权利要求1被宣告无效的概率非常高,大约在70%到80%之间。
以下是合议组在内部审理时,最可能的决策逻辑和内心确信过程:
1. 争议焦点一:D1是否实质公开了特征A、B、C(精确计时与触发)?
合议组倾向:支持无效请求人。
理由: 审查员在判断电路或控制逻辑时,非常看重“物理实质”而非“字面表述”。D1公开了“读出剩余时间(TC9~TC16)”并“初始化刷新计数器”。在数字逻辑中,将一个非零数值加载到计数器中,随后的物理动作必然是随着时钟节拍递减(或递增),这在实质上就是“计时”。既然是为了“实现高效刷新”而初始化,计满/归零后触发刷新是唯一的合理工程逻辑。专利权人试图用“没有明确写出‘倒计时结束触发’”来抗辩,在合议组看来过于拘泥于文字,往往会被认定为“本领域的惯用技术手段的直接置换”。
2. 争议焦点二:关于特征D、E,D2究竟是“结合启示”还是“反向教导”?
合议组倾向:更倾向于支持“公知常识”,对D2的结合持谨慎态度。
理由: 专利权人关于D2“反向教导”的反驳非常犀利。D2确实是利用空闲去做“后台刷新”(保持活跃),而不是去“休眠”。如果无效请求人死磕D1+D2,合议组可能会犹豫,因为两者的技术目的确实存在分歧。
请求人的破局点: 涉案专利自己在背景技术【0007】段承认了:“移动设备SoC实现其中存储器控制器被完全地或部分地下电的睡眠模式是常规的”。合议组极度看重专利自身的“背景技术承认”。因此,合议组大概率会绕开D2在目的上的瑕疵,直接采信请求人的另一种逻辑:D1 + 涉案专利承认的公知常识(空闲超时即休眠)。空闲计时(特征D)只是实现休眠(特征E)的必经测试步骤,属于常规设计。
3. 争议焦点三:特征之间是否存在“协同作用”(Synergy)?
合议组倾向:支持无效请求人(认定为简单的功能拼凑)。
理由: 专利权人主张“频繁休眠导致重复刷新,因此特征A-C是特征D-E的补救措施,两者不可分割”。这个防守逻辑很漂亮。但合议组在审查时通常会将其拆解为:特征D-E解决了“省电”问题,特征A-C解决了“唤醒后刷新冲突”问题。这两个机制在时间线上是串行的,并没有产生“1+1>2”的意料不到的技术效果。D1已经解决了刷新冲突,公知常识解决了省电,两者结合属于“为了省电而引入休眠机制,同时为了解决休眠唤醒的固有缺陷而采用D1的现有方案”。这种结合被认定为显而易见的风险极高。
尽管权利要求1岌岌可危,但这并不意味着专利权人全盘皆输。案件的变数存在于以下几个方面:
从属权利要求的防守壁垒: 权利要求1虽然大概率保不住,但说明书中提到的**“温度乘数(Temperature Multiplier)”**机制(根据DRAM温度动态调整刷新的剩余部分)是一个非常有价值的抗辩点。如果该特征记载在从属权利要求中,专利权人极大概率会在口审前或口审当庭修改权利要求,将该特征并入独立权利要求。D1和D2均未明确给出结合温度动态调整剩余时间补偿的教导。
无效请求人的策略失误风险: 如果无效请求人过于依赖D2来评价特征D和E,而没有将“公知常识/现有技术承认”作为主攻方向,合议组可能会因为D2的“反向教导”而不敢轻易宣告无效。
客观来看,权利要求1的防线太长且核心点(剩余时间握手)已被D1击穿,维持权利要求1有效的难度极大。 作为无效请求方,当前的赢面很大,但需确保在口审中将重点放在“D1 + 公知常识”上,将D2仅作为“空闲计时器具体实现方式”的辅助证据,避免陷入D2技术目的的泥潭。
如果要进一步完善策略,你需要我为你梳理一份针对专利权人可能进行的“权利要求修改(如加入温度乘数特征)”的预案,并看看D3(US20120030420A1)是否能在此时派上用场吗?
如权利要求1所述的方法,进一步包括: 其中在所述存储器控制器处接收对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分的所述指示包括从所述DRAM中的寄存器读取所述指示。
如权利要求1所述的方法,进一步包括: 在所述初始刷新循环的触发之后,根据刷新区间来周期性地触发所述DRAM的附加的存储器控制器触发的刷新循环。
如权利要求3所述的方法,其中,所述刷新区间等于所述自刷新区间。
如权利要求1所述的方法,进一步包括: 响应于对所述DRAM的温度的指示而减小所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分。
一种存储器控制器,包括: 刷新定时器,其配置成响应于来自动态随机存取存储器DRAM的对如由所述DRAM触发的最新近的自刷新循环何时发生的指示而对所述最新近的自刷新循环的自刷新区间的一部分计时,其中在所述存储器控制器的睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的,并且其中所述最新近的自刷新循环的所述自刷新区间的所述部分小于所述自刷新区间;以及命令调度器,其配置成响应于由所述刷新定时器对所述最新近的自刷新循环的所述自刷新区间的所述部分的所述计时而触发所述DRAM中的初始的存储器控制器触发的刷新循环,其中所述刷新定时器被进一步配置成:在触发所述初始的存储器控制器触发的刷新循环之后,根据刷新区间来周期性地触发附加的存储器控制器触发的刷新循环,响应于确定所述存储器控制器应当进入所述睡眠操作 模式而将当前刷新循环的刷新区间的剩余部分写入所述DRAM的模式寄存器中。
如权利要求6所述的存储器控制器,其中,所述刷新定时器被配置成从所述DRAM中的寄存器读取所述指示。
如权利要求6所述的存储器控制器,其中,所述指示包括:对所述最新近的自刷新循环的所述自刷新区间的期满部分或所述最新近的自刷新循环的所述自刷新区间的剩余部分的第一指示。
如权利要求6所述的存储器控制器,其中,所述刷新定时器被进一步配置成:响应于对所述DRAM的温度的指示而减小所述最新近的自刷新循环的所述自刷新区间的所述部分。
一种动态随机存取存储器DRAM,包括: 自刷新定时器,其配置成:响应于来自转换到睡眠操作模式的存储器控制器的对如由所述存储器控制器触发的最新近的刷新循环何时发生的指示而对自刷新区间的剩余部分计时,其中在所述睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的,并且其中所述自刷新区间的所述剩余部分小于所述自刷新区间;以及刷新电路,其配置成:响应于所述自刷新定时器对所述自刷新区间的所述剩余部分计时而刷新所述DRAM。
如权利要求10所述的DRAM,其中,所述刷新电路被进一步配置成:响应于所述自刷新定时器对附加的自刷新区间计时而在自刷新循环中刷新所述DRAM。
如权利要求11所述的DRAM,进一步包括: 模式寄存器,其中所述自刷新定时器被配置成:响应于来自所述存储器控制器的关于所述存储器控制器已经从所述睡眠操作模式转换到活跃操作模式的第二指示而将对最新近的自刷新循环何时发生的第一指示写入所述模式寄存器。
如权利要求10所述的DRAM,进一步包括: 配置成解码来自所述存储器控制器的刷新命令的命令解码器。
一种方法,包括: 当存储器控制器在当前刷新循环中仍然具有用于动态随机存取存储器DRAM的剩余部分时将所述存储器控制器从活跃操作模式转换到睡眠操作模式,其中在所述活跃操作模式期间所述DRAM的刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的刷新区间来周期性地触发的,并且其中所述当前刷新循环中的所述剩余部分小于所述DRAM的所述刷新区间; 在转换到所述睡眠操作模式之前从所述存储器控制器将所述当前刷新循环中的所述剩余部分传达至所述DRAM;以及响应于所述DRAM中对所述当前刷新循环中的所述剩余部分计时而触发所述DRAM中的自刷新循环。
如权利要求14所述的方法,进一步包括:在所述存储器控制器保持处于所述睡眠操作模式中时,触发所述DRAM中的附加的自刷新循环。
如权利要求14所述的方法,其中,传达所述当前刷新循环中的所述剩余部分包括所述存储器控制器写入所述DRAM内的寄存器。
如权利要求14所述的方法,进一步包括: 将所述存储器控制器从所述睡眠操作模式转换回到所述活跃操作模式;以及在所述存储器控制器中,在所述存储器控制器转换回到所述活跃操作模式之前,从所述DRAM读取对最后自刷新循环何时被触发的指示。