对比文件的名称：发明申请_US20090070612A1 MEMORY POWER MANAGEMENT
目标专利的名称：用于存储器的自刷新的方法及相关设备
本次调用的模型名称：gpt-4o
作为资深专利代理师，我已深度理解目标专利和对比文件的技术方案。目标专利的核心在于解决存储器控制器（MC）与DRAM在活跃模式与睡眠模式（分别对应刷新模式和自刷新模式）之间转换时，因刷新定时器不同步而导致不必要的刷新操作的问题。其解决方案的关键在于，在模式转换时，双方互相通知“最新近刷新循环的剩余部分”，以便后续的刷新调度能基于此剩余时间继续，从而避免立即触发一次新的、可能不必要的刷新。
对比文件US20090070612A1主要涉及一种具有树形结构的内存系统及其电源管理方法，其核心思想是各个内存模块（MM）可以独立管理其本地内存电路（如DRAM）的刷新，并在空闲时进入低功耗状态以节能。其中也涉及了由内存控制器（MC）或本地控制器（CSE）触发的刷新，以及DRAM的自刷新模式。
以下将严格按照目标专利权利要求的划分进行特征比对。
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：在所述存储器控制器处，接收对动态随机存取存储器DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示，其中在所述睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的，并且其中所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分小于所述自刷新区间<br>**判断结果：未公开** | [0053] “Upon exiting the self-refresh mode, the memory controller is not aware of which row was last refreshed in self-refresh mode...” （译文：退出自刷新模式时，内存控制器并不知道在自刷新模式下最后刷新的是哪一行...） | **论述**：目标专利特征A的核心是，当MC从睡眠模式唤醒（退出自刷新模式）时，DRAM需要主动向MC告知“最新近自刷新循环的自刷新区间的剩余部分”。对比文件[0053]段明确指出，在退出自刷新模式时，内存控制器**并不知道**（is not aware of）DRAM在自刷新期间的最后刷新状态。这意味着对比文件的技术方案中，DRAM没有向MC传递关于自刷新定时器剩余时间的信息。因此，对比文件既没有直接描述“接收剩余部分的指示”这一动作，其整体方案也隐含排除了这一信息传递（因为明确说了控制器不知道）。故技术特征A未被公开。 |
| **技术特征B**：在所述存储器控制器中，对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时<br>**判断结果：未公开** | 未找到对应描述。 | **论述**：技术特征B的前提是MC已经获得了特征A所述的“剩余部分”。如特征A论述，对比文件中MC在退出自刷新模式时并不知道DRAM的刷新状态，因此也就不存在“对剩余部分计时”这一后续动作。对比文件虽然描述了内存控制器可以管理刷新（例如，发送AUTO REFRESH命令），但并未描述在特定场景（如模式切换时）基于从DRAM接收的、小于完整区间的“剩余时间”进行计时。因此，该特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C**：响应于对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时而从所述存储器控制器触发所述DRAM中的初始刷新循环<br>**判断结果：未公开** | 未找到对应描述。 | **论述**：技术特征C是特征A和B的逻辑延续和目的：基于接收并计时的剩余部分来触发“初始”刷新循环，从而避免立即触发一次完整的刷新。由于对比文件未公开特征A和B，自然也就不存在基于此的特定触发动作。对比文件中MC触发刷新循环是常规的、周期性的，或者在特定命令下进行，但并非基于从DRAM接收的、用于同步定时器的“剩余时间”来触发一次初始刷新。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：对所述存储器控制器的空闲时段计时<br>**判断结果：隐含公开** | [0036] “Where a memory module is not being used for the purposes of passing data ... or is not being accessed, for example, for the purposes of reading or writing data to a memory circuit on the memory module, some of the circuitry of the memory module may be placed in a low-power state...”（译文：当内存模块不用于传递数据...或者未被访问（例如，为了对内存模块上的内存电路进行读写）时，内存模块的一些电路可以被置于低功耗状态...）<br>[0073] “Where one or more of the modules is not in a state where the module is being read from or written to, the module may be in a state of lower power consumption...”（译文：当一个或多个模块不处于被读取或写入的状态时，该模块可能处于较低的功耗状态...） | **论述**：目标专利特征D“对空闲时段计时”是判断MC何时应从活跃模式进入睡眠模式（即触发自刷新命令）的依据。对比文件虽然没有明确提及一个名为“话务空闲定时器”的模块，但其整体方案的核心之一就是在没有读写操作时让内存模块（或其中的电路）进入低功耗状态（如MMI、MI状态）。为了实现此目的，本领域技术人员可以毫无疑义地理解，必须存在某种机制来检测或判断“一段时间内没有读写访问”，这必然涉及到对“空闲时段”进行计时或监控。因此，尽管对比文件未明确描述计时器硬件，但“对空闲时段进行判断以进入低功耗状态”这一功能性特征已被其整体方案所隐含公开。 |
| **技术特征E**：以及<br>响应于对所述空闲时段的计时超过阈值，而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。<br>**判断结果：隐含公开** | 同上，引用[0036], [0073]。 | **论述**：特征E是特征D的后续动作。对比文件明确描述了当内存模块没有被访问（即处于空闲状态）时，会进入低功耗状态（如MMI状态）。将“未被访问/空闲”理解为“空闲时段计时超过阈值（阈值为零或一个很小的值）”的触发条件是合乎逻辑的。因此，响应于空闲（计时超过阈值）而转换到低功耗（睡眠）模式这一技术手段，已被对比文件隐含公开。虽然对比文件描述的主体是“内存模块”而非特指“存储器控制器”，但其原理相通，且内存模块的控制器（CSE）执行该判断和状态转换，在功能上与目标专利的存储器控制器执行模式转换是类似的。 |
| **技术特征F**：进一步包括：<br>其中在所述存储器控制器处接收对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分的所述指示包括从所述DRAM中的寄存器读取所述指示。<br>**判断结果：未公开** | [0053] “Upon exiting the self-refresh mode, the memory controller is not aware of which row was last refreshed in self-refresh mode...” （译文：退出自刷新模式时，内存控制器并不知道在自刷新模式下最后刷新的是哪一行...） | **论述**：技术特征F限定了信息传递的具体方式：通过读取DRAM中的寄存器。如特征A所述，对比文件明确排除了在退出自刷新模式时MC知晓DRAM刷新状态的可能性。因此，既不存在“接收指示”这一动作，更不存在通过“读取寄存器”这一具体方式来接收指示。该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：进一步包括：<br>在所述初始刷新循环的触发之后，根据刷新区间来周期性地触发所述DRAM的附加的存储器控制器触发的刷新循环。<br>**判断结果：隐含公开** | [0064] “In an aspect, a memory module MM of a memory system may schedule and perform refresh operations on the memory circuits M independently of the memory controller MC.” (译文：在一个方面，内存系统的内存模块MM可以独立于内存控制器MC来调度和执行内存电路M上的刷新操作。)<br>以及全文多处提及内存控制器可以发送AUTO REFRESH命令来管理刷新。 | **论述**：目标专利特征G描述的是在完成基于剩余时间触发的“初始”刷新循环后，MC恢复正常、周期性的刷新调度。对比文件中，内存控制器（MC）具有管理内存刷新的功能，可以发送刷新命令（如AUTO REFRESH）。虽然对比文件更侧重于描述内存模块的自主刷新以节能，但MC对刷新的管理是其基础功能之一。本领域技术人员可以理解，在MC管理刷新的场景下，其触发刷新循环必然是按照一定的间隔（即“刷新区间”）周期性进行的。因此，“根据刷新区间周期性地触发刷新循环”这一技术手段被对比文件隐含公开。但需注意，对比文件并未将其与“初始刷新循环”后的特定场景关联。 |
| **技术特征H**：其中，所述刷新区间等于所述自刷新区间。<br>**判断结果：未公开** | 未找到对应描述。 | **论述**：技术特征H限定了MC管理的“刷新区间”与DRAM自管理的“自刷新区间”相等。这是实现定时器无缝同步的一个重要参数条件。对比文件虽然分别提到了刷新间隔（tREF，如64ms）和自刷新模式，但并未将内存控制器管理的刷新间隔与DRAM自刷新时的间隔进行关联或比较，更没有明确指出或暗示两者相等。该特征是一个具体的、有目的的限定，未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：进一步包括：<br>响应于对所述DRAM的温度的指示而减小所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分。<br>**判断结果：隐含公开** | [0076] “The required refresh interval for a DRAM memory circuit specified by the manufacturer may be at a maximum operating temperature, with larger refresh intervals being possible at lower operating temperatures. An appropriate refresh rate may be determined based on the temperature...” (译文：制造商规定的DRAM内存电路所需的刷新间隔可能是在最高工作温度下的，在较低的工作温度下可能有更大的刷新间隔。可以根据温度确定适当的刷新速率...) | **论述**：技术特征I涉及根据温度调整刷新相关的定时。对比文件[0076]段明确教导了DRAM的刷新间隔（refresh interval）与温度相关，温度越高，所需的刷新间隔越短（即刷新频率需要提高）。目标专利中“减小剩余部分”意味着需要更快地触发刷新，这与“缩短刷新间隔”在技术效果上是相同或等同的，都是应对高温下电荷泄漏加快的措施。虽然目标专利具体应用于“剩余部分”的调整，而对比文件泛指导刷新间隔的调整，但本领域技术人员基于对比文件公开的“温度影响刷新频率”这一原理，很容易推理出在需要计算剩余时间并触发刷新的场景中，也应考虑温度因素并对剩余时间进行相应调整。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
### 总结与代码输出
根据上述比对分析：
- **技术特征D、E、G、I** 被对比文件**隐含公开**。
- **技术特征A、B、C、F、H** 既未被直接公开，也未被隐含公开。
因此，在回答结尾插入的代码应为代表隐含公开的小写英文代码。
<<<d>>><<<e>>><<<g>>><<<i>>>