非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | US8330537B1_Description_20260218_1801_+++A_B_C_D_E_F_k_m_n_p_q_r_s_t_u_v+++.docx |
| 0 | WO2017083052A2_Description_20260218_2057_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V+++.docx |
| 0 | WO2014144644A2_Description_20260218_1814.docx |
| 0 | US2016056905A1_Description_20260304_1955.docx |
| 0 | US2014253235A1_Description_20260218_1747_+++A_B_C_D_E_F_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_g_h+++.docx |
| 0 | US2014029143A1_Description_20260218_1806_+++A_D_N_P_Q_R_U_V_b_c_e_f_k_s_t+++.docx |
| 0 | US2012190719A1_Description_20260218_1816.docx |
| 0 | US2010214493A1_Description_20260218_1805_+++A_B_C_D_E_F_N_k_o_s_t+++.docx |
| 0 | US2009237165A1_Description_20260218_1807_+++ABCDEFKUV_ghj+++.docx |
| 0 | US2009202530A1_Description_20260218_1815.docx |
| 0 | US2006244519A1_Description_20260218_1759_+++A_B_C_D_E_F_N_O_Q_R_S_T_U_V+++.docx |
| 0 | US2006197597A1_Description_20260218_1802_+++A_B_C_D_E_F_Q_R_S_T_u_v+++.docx |
| 0 | US2006066399A1_Description_20260218_1809_+++A_B_C_D_E_F_Q_R_n_s_t+++.docx |
| 0 | US9035700B2_Description_20260218_1811_+++A_B_C_D_E_F_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx |
| 0 | US8665028B2_Description_20260218_1812_+++A_B_D_E_K_c_f_j_n_p_q_r_s_t+++.docx |
| 0 | CN101056093A_Description_20260218_1804.docx |
| 0 | US8081031B2_Description_20260218_1806_+++A_B_C_D_E_F_K_M_N_P_Q_R_S_T_o_u_v+++.docx |
| 0 | US7761071B2_Description_20260218_1811_+++A_B_C_D_E_F_K_P_Q_R_S_T_j_u_v+++.docx |
| 0 | US7091783B2_Description_20260218_1808_+++A_B_C_D_E_F_N+++.docx |
| 0 | US6771124B1_Description_20260218_1751_+++A_C_D_E_F_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx |
| 0 | US6545534B1_Description_20260218_2057_+++N_O_b_e+++.docx |
| 0 | US5856891A_Description_20260218_1800_+++A_C_D_F_K_M_P_Q_R_S_T_U_V+++.docx |
| 0 | JP2016050137A_Description_20260304_1956.docx |
| 0 | JP2016050137A_Description_20260218_1803.docx |
| 0 | JP2014175763A_Description_20260304_1955_+++A_B_C_D_E_F_G_H_N_O_P_Q_R_S_T_U_V+++.docx |
| 0 | JP2007193796A_Description_20260218_1815.docx |
| 0 | JP2006352401A_Description_20260218_1810_+++A_C_D_F_Q_R_S_T_U_V_b_e+++.docx |
| 0 | EP3375095A2_Description_20260304_1956_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V+++.docx |
| 0 | EP0561789A1_Description_20260218_1813.docx |
| 0 | CN101420208A_Description_20260218_1750_+++A_B_C_D_E_F_Q_R_S_T_U_V+++.docx |
权利要求1
一种可变增益放大器，包括： 包括第一栅极、第一源极、以及第一漏极的第一场效应晶体管FET，其中所述第一栅极被配置成接收第一差分信号的正分量，并且其中所述第一源极和所述第一漏极耦合在第一电压轨与第二电压轨之间； 包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极的第二FET，其中所述第二栅极被配置成接收所述第一差分信号的负分量，并且其中所述第二源极和所述第二漏极耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间； 直接耦合在第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一电容器；以及直接耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二电容器，其中所述第一电压轨处的第一电源电压和所述第三电压轨处的第二电源电压两者都是基于第四电压轨来生成的。
你好！作为一名专业的专利代理师，我已仔细阅读了你提供的权利要求文件、目标专利说明书以及两篇对比文件。
为了行文清晰，以下分析中我将使用D1指代公开号为 EP3375095A2 的对比文件，使用D2指代公开号为 WO2017083052A2 的对比文件。根据您提供的材料，D1的说明书内容直接援引了相应的PCT文件D2的说明书，因此两者在文本披露上完全一致。
以下是针对技术特征I的详细侵权/无效比对分析：
一、 结论摘要
结论：对比文件D1（EP3375095A2）和 D2（WO2017083052A2）单独且毫无疑义地公开了技术特征I。
二、 结合目标专利说明书对“技术特征I”的理解
技术特征I的原文为：“，其中所述第一电压轨处的第一电源电压和所述第三电压轨处的第二电源电压两者都是基于第四电压轨来生成的。”
为了准确界定该特征中的“第一电压轨”、“第三电压轨”和“第四电压轨”，我们需要回归**目标专利（CN108352836B）**的说明书原文进行解释：
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根据目标专利说明书 [0044]段 的记载：“电压轨Vdd处的电源电压可以由电压调节器502基于另一电源电压Vcc生成。电压轨Vreg处的电源电压可以由不同的调节器504也基于电压轨Vcc生成。”
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术语映射：结合上下文可知，“第一电压轨”对应于说明书中的Vdd，“第三电压轨”对应于说明书中的Vreg，而“第四电压轨”对应于用于生成前两者的另一电源电压Vcc。
三、 对比文件详细出处与公开情况分析
对比文件 D1 和 D2 的说明书原文中，存在与目标专利说明书完全对应的英文段落，直接且实质性地公开了该技术特征。
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对比文件出处：D1 (EP3375095A2) / D2 (WO2017083052A2) 说明书的 [0043]段。
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原文引用：“The supply voltage at the voltage rail Vdd may be generated by a voltage regulator 502 based on another supply voltage Vcc. The supply voltage at the voltage rail Vreg may be generated by a different regulator 504 also based on the voltage rail Vcc.”
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分析比对：
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D1/D2 原文明确记载了电压轨 Vdd（对应权利要求的第一电压轨）处的电源电压是由电压调节器 502 基于另一电源电压 Vcc（对应权利要求的第四电压轨）生成的。
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D1/D2 原文同时记载了电压轨 Vreg（对应权利要求的第三电压轨）处的电源电压是由调节器 504 同样基于电压轨 Vcc（对应第四电压轨）生成的。
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这两句英文的描述与技术特征I所要求的“第一电源电压和第二电源电压两者都是基于第四电压轨来生成的”在技术方案、实现方式和预期效果上完全一致，属于毫无疑义的实质性公开。
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四、 特征比对表格
为了更直观地展示比对结果，请参考以下特征比对表：
| 权利要求1 技术特征分解 | 目标专利说明书对应解释 (CN108352836B) | 对比文件 D1 (EP3375095A2) / D2 (WO2017083052A2) 的公开内容 | 比对结论 |
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技术特征I： 其中所述第一电压轨处的第一电源电压... |
第一电压轨：即电压轨 Vdd。 根据[0044]段：“电压轨Vdd处的电源电压可以由电压调节器502基于另一电源电压Vcc生成。” |
[0043]段："The supply voltage at the voltage rail Vdd may be generated by a voltage regulator 502 based on another supply voltage Vcc." | 已公开。完全对应。 |
| ...和所述第三电压轨处的第二电源电压两者都是... |
第三电压轨：即电压轨 Vreg。 根据[0044]段：“电压轨Vreg处的电源电压可以由不同的调节器504也基于电压轨Vcc生成。” |
[0043]段："The supply voltage at the voltage rail Vreg may be generated by a different regulator 504 also based on the voltage rail Vcc." | 已公开。完全对应。 |
| ...基于第四电压轨来生成的。 | 第四电压轨：即另一电源电压 Vcc。 | [0043]段：均明确记载了基于 "Vcc" 生成。 | 已公开。完全对应。 |
您是否需要我继续为您制作权利要求1中其他技术特征（特征A至特征H）在对比文件D1/D2中的详细侵权/无效比对分析表格？
权利要求2
如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量是基于所述第一电压轨处的所述第一电源电压的。
权利要求3
如权利要求2所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括前级电路，所述前级电路配置成基于输入信号来生成所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量。
权利要求4
如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一电压轨处的所述第一电源电压包括比所述第三电压轨处的所述第二电源电压大的电源噪声。
权利要求5
如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括： 耦合在所述第三电压轨与所述第二电压轨之间的分压器，其中所述分压器被配置成生成偏置电压，其中所述第一电容器和所述第二电容器分别包括基于所述偏置电压的第一电容和第二电容。
权利要求6
如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一电容器和第二电容器分别包括第一可变电容器和第二可变电容器。
权利要求7
如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一组电容路径，所述第二电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二组电容路径。
权利要求8
如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括耦合在所述第一FET的所述第一源极与所述第二FET的所述第二源极之间的电阻器。
权利要求9
如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括： 耦合在所述第一电压轨与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一电阻器； 耦合在所述第一电压轨与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二电阻器； 其中第二差分信号的负分量是在所述第一电阻器与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一节点处生成的；以及其中所述第二差分信号的正分量是在所述第二电阻器与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二节点处生成的。
权利要求10
如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括： 包括第三栅极、第三源极、以及第三漏极的第三FET，其中所述第三栅极被配置成接收配置成设置经过所述第三FET的第一电流的偏置电压，并且其中，所述第三源极和所述第三漏极与所述第一FET的所述第一源极和所述第一漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间；以及包括第四栅极、第四源极、以及第四漏极的第四FET，其中所述第四栅极被配置成接收配置成设置经过所述第四FET的第二电流的所述偏置电压，并且其中，所述第四源极和所述第四漏极与所述第二FET的所述第二源极和所述第二漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间。
权利要求11
一种用于放大信号的方法，包括： 将第一差分信号的正分量施加到第一场效应晶体管FET的第一栅极，其中所述第一FET包括耦合在第一电压轨与第二电压轨之间的第一源极和第一漏极； 将所述第一差分信号的负分量施加到第二FET的第二栅极，其中所述第二FET包括耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间的第二源极和第二漏极； 基于第四电压轨来在所述第一电压轨处生成第一电源电压； 基于所述第四电压轨来在第三电压轨处生成第二电源电压； 经由第一电容器来将来自所述第三电压轨的噪声直接施加到所述第一FET的所述第一源极；以及经由第二电容器来将来自所述第三电压轨的噪声直接施加到所述第二FET的所述第二源极。
权利要求12
如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括： 将来自所述第一电压轨的噪声施加到所述第一FET的所述第一栅极；以及将来自所述第一电压轨的噪声施加到所述第二FET的所述第二栅极。
权利要求13
如权利要求12所述的方法，其特征在于，将来自所述第一电压轨的噪声施加到所述第一FET的所述第一栅极包括经由前级电路的配置成生成所述第一差分信号的所述正分量的第一部分来施加所述噪声，并且其中将来自所述第一电压轨的噪声施加到所述第二FET的所述第二栅极包括经由所述前级电路的配置成生成所述第一差分信号的所述负分量的第二部分来施加所述噪声。
权利要求14
如权利要求11所述的方法，其特征在于，与生成所述第一电源电压相关联的噪声大于与生成所述第二电源电压相关联的噪声。
权利要求15
如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括： 基于所述第三电压轨处的所述第二电源电压来生成偏置电压；以及 将所述偏置电压施加到所述第一电容器和所述第二电容器，其中所述第一电容器和所述第二电容器的第一电容和第二电容是分别基于所述偏置电压的。
权利要求16
如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括改变所述第一电容器或所述第二电容器中的一者或多者的电容。
权利要求17
如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括： 通过将所述第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一组电容路径中的一个或多个电容路径进行选择性地耦合来改变所述第一电容器的第一电容；以及通过将所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二组电容路径中的一个或多个电容路径进行选择性地耦合来改变所述第二电容器的第二电容。
权利要求18
如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括： 将电流导向为经过耦合在所述第一FET的所述第一源极与所述第二FET的所述第二源极之间的电阻器，其中所述电流基于所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量。
权利要求19
如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括： 基于所述第一差分信号的所述正分量来将第一电流导向经过第一电阻器，所述第一电阻器在所述第一电压轨与所述第一FET的所述第一漏极之间耦合； 基于所述第一差分信号的所述负分量来将第二电流导向为经过耦合在所述第一电压轨与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二电阻器； 基于所述第一电流来在所述第一电阻器与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一节点处生成第二差分信号的负分量；以及基于所述第二电流来在所述第二电阻器与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二节点处生成所述第二差分信号的正分量。
权利要求20
如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括： 设置经过第三FET的第一电流，包括将偏置电压施加到所述第三FET的第三栅极，其中所述第三FET包括第三源极和第三漏极，所述第三源极和所述第三漏极与所述第一FET的所述第一源极和所述第一漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间；以及设置经过第四FET的第二电流，包括将所述偏置电压施加到所述第四FET的第四栅极，其中所述第四FET包括第四源极和第四漏极，所述第四源极和所述第四漏极与所述第二FET的所述第二源极和所述第二漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间。
权利要求21
一种可变增益放大器，包括： 用于将第一差分信号的正分量施加到第一场效应晶体管FET的第一栅极的装置，其中所述第一FET包括耦合在第一电压轨与第二电压轨之间的第一源极和第一漏极； 用于将所述第一差分信号的负分量施加到第二FET的第二栅极的装置，其中所述第二FET包括耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间的第二源极和第二漏极； 用于基于第四电压轨来在所述第一电压轨处生成第一电源电压的装置； 用于基于所述第四电压轨来在第三电压轨处生成第二电源电压的装置； 用于经由第一电容器将来自所述第三电压轨的噪声直接施加到所述第一FET的所述第一源极的装置；以及用于经由第二电容器将来自所述第三电压轨的噪声直接施加到所述第二FET的所述第二源极的装置。
权利要求22
如权利要求21所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：用于将来自所述第一电压轨的噪声施加到所述第一FET的所述第一栅极的装置；以及用于将来自所述第一电压轨的噪声施加到所述第二FET的所述第二栅极的装置。
权利要求23
如权利要求22所述的可变增益放大器，其特征在于，所述用于将来自所述第一电压轨的噪声施加到所述第一FET的所述第一栅极的装置包括用于经由前级电路的配置成生成所述第一差分信号的所述正分量的第一部分来施加所述噪声的装置，并且其中所述用于将来自所述第一电压轨的噪声施加到所述第二FET的所述第二栅极的装置包括用于经由所述前级电路的配置成生成所述第一差分信号的所述负分量的第二部分来施加所述噪声的装置。
权利要求24
如权利要求21所述的可变增益放大器，其特征在于，与生成所述第一电源电压相关联的噪声大于与生成所述第二电源电压相关联的噪声。
权利要求25
如权利要求21所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：用于基于所述第三电压轨处的所述第二电源电压来生成偏置电压的装置；以及用于将所述偏置电压施加到所述第一电容器和所述第二电容器的装置，其中所述第一电容器和所述第二电容器的第一电容和第二电容是分别基于所述偏置电压的。
权利要求26
如权利要求21所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括用于改变所述第一电容器或所述第二电容器中的一者或多者的电容的装置。
权利要求27
如权利要求21所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：用于改变所述第一电容器的第一电容的装置包括用于将第一组电容路径中的一个或多个电容路径选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的装置；以及用于改变所述第二电容器的第二电容的装置包括用于将第二组电容路径中的一个或多个电容路径选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的装置。
权利要求28
如权利要求21所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：用于将电流导向为经过耦合在所述第一FET的所述第一源极与所述第二FET的所述第二源极之间的电阻器的装置，其中所述电流基于所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量。
权利要求29
如权利要求21所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：用于基于所述第一差分信号的所述正分量来将第一电流导向为经过耦合在所述第一电压轨与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一电阻器的装置； 用于基于所述第一差分信号的所述负分量来将第二电流导向为经过耦合在所述第一电压轨与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二电阻器的装置； 用于基于所述第一电流来在所述第一电阻器与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一节点处生成第二差分信号的负分量的装置；以及用于基于所述第二电流来在所述第二电阻器与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二节点处生成所述第二差分信号的正分量的装置。
权利要求30
如权利要求21所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：用于设置经过第三FET的第一电流的装置包括用于将偏置电压施加到所述第三FET的第三栅极的装置，其中所述第三FET包括第三源极和第三漏极，所述第三源极和所述第三漏极与所述第一FET的所述第一源极和所述第一漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间；以及用于设置经过第四FET的第二电流的装置包括用于将所述偏置电压施加到所述第四FET的第四栅极的装置，其中所述第四FET包括第四源极和第四漏极，所述第四源极和所述第四漏极与所述第二FET的所述第二源极和所述第二漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间。