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对比文件列表
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2007-06-21_发明申请_US20070139151A1 Amplifier output filter having planar inductor_+++A_B_C_D_G_L+++.docx
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2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
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2009-06-11_发明申请_US20090146770A1 PLANAR-LIKE INDUCTOR COUPLING STRUCTURE_+++A_B_I_K_L+++.docx
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2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
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2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
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2012-10-16_发明授权_US08289118B2 Stacked inductor_+++A_B_C_d_g_i_k+++.docx
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2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx
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2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
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2013-10-24_发明申请_US20130278374A1 COIL ASSEMBLY COMPRISING PLANAR COIL_+++A_b_o+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
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2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
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2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
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2014-09-04_发明申请_WO2014133808A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++O_b_k_l_m+++.docx
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2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
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2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
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2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
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2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
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2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
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2015-04-21_发明授权_US09009951B2 Method of fabricating an electromagnetic component_+++A_B_C+++.docx
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2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品_+++A_B_C_D_G_e_f_h+++.docx
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2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
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2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
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2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-10-20_发明授权_US09165706B2 Coil component_+++D_F_G_a_b_c_e_h_j+++.docx
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2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
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2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-24_发明授权_CN104011812B 线圈部件_+++A_B_C_D_F_G_e_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
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weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
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2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品_+++A_B_C_D_G_e_f_h+++.docx

对比文件名称:2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品

目标专利名称:139高性能电感器CN108140467B

模型名称:DeepSeek

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A《直接公开》说明书第[0029]段:“導電膜8が、フォトリソ−エッチングにより加工され、環状で、それぞれ所定の長さからなるコイルパターン8a、8b、8c、8dが形成される。”对比文件明确公开了通过光刻蚀刻形成的环形线圈图案(コイルパターン)8a、8b等。这些线圈图案由导电膜形成,属于“金属板”,并且呈环状(弯曲形状)。因此,对比文件直接公开了“第一弯曲金属板”这一技术特征。
技术特征B《直接公开》说明书第[0038]段:“導電膜10が、フォトリソ−エッチングにより加工され、コイルパターン10a、10b、10c、引出し電極10dが形成される。” 结合图4(F)和图5(G)(H)可知,コイルパターン10a等形成在绝缘层3b上,而绝缘层3b下方存在コイルパターン8a等(如第[0032]段所述,以虚线表示)。对比文件公开了在绝缘层3b上形成的另一层线圈图案(例如10a)。从附图(如对应图4(F)、5(G))的层叠结构可知,コイルパターン10a位于先前的コイルパターン8a等的上方(即,在说明书描述的制造顺序中,后形成的层在先形成层的上方),且通过过孔(ビア)实现垂直方向上的电连接,构成堆叠线圈结构。因此,本领域技术人员可以毫无疑义地得出存在位于第一弯曲金属板(コイルパターン8a)下方并与之垂直对准的第二弯曲金属板(コイルパターン10a)。
技术特征C《直接公开》说明书第[0047]-[0049]段:描述了在绝缘层3c上形成导電膜11并加工成引出し電極11a、コイルパターン11b、11c、11d(第[0049]段);随后形成绝缘层3d及过孔(ビア12a-12g),再形成导電膜13并加工成コイルパターン13a、13b、13c、13d(第[0054]段)。对比文件的制造过程清晰地展示了多层线圈结构的堆叠。在第二弯曲金属板(如コイルパターン10a)所在的层之上,继续形成了绝缘层和新的线圈图案层(如コイルパターン11b、13a等)。根据附图所示的层间关系,这些新形成的线圈图案位于先前层(第二弯曲金属板所在层)的下方(从制造基板视角看是上方,但从最终器件堆叠方向看,是更远离基板的层),并通过过孔连接,构成了第三层弯曲金属板,且与第二层垂直对准。因此,该特征被直接公开。
技术特征D《直接公开》说明书第[0033]段:“絶縁層3bが、フォトリソにより加工され、貫通孔が設けられ、ビア9a、9b、9c、9d、9e、9f、9gが形成される。” 第[0034]段说明了这些ビア使下层线圈图案的端部露出。第[0035]段:“ビア9a、9b、9c、9d、9e、9f、9gは、それぞれ、コイルパターン8a〜8dの長手方向に長い寸法からなる長尺形状からなり…”对比文件明确公开了在绝缘层(3b)中形成的过孔(ビア9a-9g),其作用是将上下两层的线圈图案(如8a和10a)进行电连接(见第[0040]段)。这些过孔被描述为在“线圈图案的长度方向上具有较长尺寸的长尺形状”,即“伸长”形状。它们位于上下两层金属板(线圈图案)之间,并在垂直方向上将它们对准连接。因此,该特征被直接公开。
技术特征E《隐含公开》说明书第[0035]段:“ビア9a、9b、9c、9d、9e、9f、9gは、それぞれ、コイルパターン8a〜8dの長手方向に長い寸法からなる長尺形状からなり…” 第[0036]段:“ビア9a、9b、9c、9d、9e、9fは、絶縁層3bの中心から絶縁層3bの外周に近づくに従って、コイルパターン8a〜8dの長手方向に、より長い寸法で形成されている。”对比文件明确公开了过孔(ビア)被配置为将上下层线圈图案导电耦合(第[0040]段),并且其形状为“长尺形状”,即长度大于其他尺寸(如宽度或高度)。为了应对热膨胀导致的断线风险,说明书特别教导了从绝缘层中心到外周,过孔在长度方向上的尺寸被制作得更长(第[0036]段)。本领域技术人员为了降低电阻、提高可靠性,有动机将过孔设计得尽可能长而扁平。在给定的层厚(高度)下,为了实现“长尺形状”并获得说明书所述的有益效果,过孔的长度与层厚(高度)之比达到至少2:1是隐含的、合理的设计选择。因此,该特征被隐含公开。
技术特征F《隐含公开》说明书第[0035]段:“なお、ビア9gは、コイルパターン8dに合せて、途中で1カ所、屈曲されている。”对比文件明确记载了过孔9g为了与线圈图案8d相匹配,在中途有一处弯曲。这直接教导了过孔的形状可以遵循其所连接的线圈图案的路径(曲线)。对于其他过孔(如9a-9f),虽然未明确描述其弯曲,但其被描述为“长尺形状”并沿着线圈图案的长度方向设置(第[0035]段)。本领域技术人员在制造多层螺旋线圈时,为了使电流路径顺畅、连接可靠,容易想到将连接上下层螺旋线圈的过孔也设置为沿着线圈的螺旋曲线延伸,这是显而易见的常规设计。因此,该特征被隐含公开。
技术特征G《直接公开》说明书第[0051]段:“絶縁層3dが、フォトリソにより加工され、貫通孔が設けられ、ビア12a、12b、12c、12d、12e、12f、12gが形成される。” 结合第[0052]段和第[0055]段,这些ビア用于连接コイルパターン11b-11d与コイルパターン13a-13d。对比文件在形成第三层线圈结构时,明确公开了另一组过孔(ビア12a-12g)。这些过孔位于绝缘层3d中,垂直连接了第二层线圈图案(如11b)和第三层线圈图案(如13a)。其作用与第一组过孔类似,用于在第二与第三弯曲金属板之间提供垂直对准的电连接。因此,该特征被直接公开。
技术特征H《隐含公开》说明书第[0051]段公开了ビア12a-12g。虽然未像描述第一组过孔那样明确描述其形状为“长尺形状”,但对比文件整体上在[0010]、[0035]段强调了过孔在长度方向上形成较长尺寸以应对热膨胀、提高连接可靠性的发明点。对比文件的核心发明构思之一就是使用在长度方向上具有较长尺寸的过孔来连接不同层的线圈图案,以提高可靠性和电感值(参见摘要、[0010]、[0035]段)。第二组过孔(ビア12a-12g)在该同一发明构思下制造,用于连接另外两组线圈图案。本领域技术人员阅读对比文件后,能够毫无疑义地理解,第二组过孔同样会采用与第一组过孔相同的“长尺形状”设计,以实现相同的技术效果(降低电阻、提高连接可靠性)。因此,其具有至少2:1的长度与高度的纵横比是隐含公开的。
技术特征I《未公开》对比文件全文未提及线圈图案(コイルパターン)由“多层金属”构成。说明书第[0028]、[0039]、[0048]等段描述线圈图案由单层“导電膜”通过光刻蚀刻形成。目标专利说明书中明确记载(如[0038]段,对应图4)“第一弯曲金属板、第二弯曲金属板和第三弯曲金属板中的每一个可以由多层金属构成”,例如每个弯曲金属层由通过中间金属层连接的顶部和底部金属层构成。对比文件公开的线圈图案均是单层导电膜图案,没有任何内容暗示或教导这些图案本身是由多层金属叠层构成的复合结构。两者结构不同,作用也不同(目标专利的多层结构可能旨在改善热传导等,而对比文件的单层结构是常规线圈制造方式)。因此,该特征既未被直接公开,也未被隐含公开。
技术特征J《未公开》对比文件附图(如对应图4(F))显示,过孔(ビア)位于线圈图案的端部,用于连接不同层。这些过孔的位置在线圈图案的端头,通常会延伸至线圈环的内侧或外侧空间,而非完全被线圈图案自身的宽度范围(内侧边缘和外侧边缘)所包围。目标专利的特征J限定了第一伸长过孔“完全位于由第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内”,这意味着过孔在俯视图中被完全覆盖在上一层金属板的宽度投影范围内。对比文件中的过孔设置在线圈图案的端部以实现层间连接,其位置必然与线圈图案的端部对齐甚至略微超出,以满足连接需求。从对比文件的附图中无法得出过孔完全位于上层金属板宽度所限周界内的教导或启示。该特征涉及过孔与上层金属板的特定位置关系,对比文件未公开。
技术特征K《未公开》对比文件全文及附图均未描述线圈图案的形状为“八角形”。说明书和附图(如[0029]段,图3(D))描述线圈图案为“环状”。目标专利明确将“八角形”作为电感器的一种可选形状(见[0034]段)。对比文件公开的线圈是常见的环形或螺旋形,没有提及或暗示八角形这一具体形状。该特征属于具体形状限定,未被公开。
技术特征L《未公开》对比文件说明书第[0066]段提及线圈部件可用于“パワーインダクタ(功率电感器)、マッチング用高周波インダクタ(匹配用高频电感器)、絶縁トランス(绝缘变压器)、バラン(平衡器)、カプラ(耦合器)等”。目标专利的特征L将电感器器件的应用具体限定为“射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项”。对比文件虽然列举了包括功率电感器在内的多种应用,但并未明确、具体地指出其用于“RF前端模块”、“滤波器”或“PA”。尽管功率电感器可能用于PA电路中,但这是一种上位的、可能性的应用列举,而非对器件本身属于RF前端模块、滤波器或PA的特定限定。因此,该具体应用限定未被公开。
技术特征M《未公开》对比文件说明书使用“磁性体基板”(第[0021]段)和“絶縁層”(第[0027]段)。第[0027]段列举的绝缘层材料包括聚酰亚胺树脂、环氧树脂、苯并环丁烯树脂等。目标专利的“无芯衬底”特指一种没有核心绝缘层、从而可以做得更薄的衬底类型(见[0007]段),并常与“有机层压衬底”关联。对比文件使用的是“磁性体基板”(如铁氧体)作为支撑基板,中间是树脂绝缘层。磁性体基板本身具有磁性和一定的结构强度,不同于目标专利中强调的“无芯”特性。两者材料、结构和所起作用均不同。因此,该特征未被公开。
技术特征N《未公开》对比文件未比较或提及不同层线圈图案具有“相同的长度”。从附图(如3(D), 5(H), 9(O))看,不同层的线圈图案形状和长度因层间连接设计而不同。目标专利的特征N限定了第一和第二弯曲金属板具有相同的长度。对比文件中的多层线圈图案为了形成长的连续螺旋路径,各层图案是交替连接并可能具有不同的形状和长度,以优化空间利用和电感值。没有任何信息表明任意两层图案具有相同的长度。因此,该特征未被公开。
技术特征O《未公开》对比文件未提及将其线圈部件包含到任何具体的终端设备中。目标专利的特征O是一个极其具体的应用领域限定,列举了音乐播放器、智能手机等一长串具体的终端设备类型。对比文件完全没有涉及线圈部件的最终应用产品。因此,该特征未被公开。

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