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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括： 差分级，包括第一晶体管，所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子，
B
所述差分级进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子
C
第一偏置晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子
D
第二偏置晶体管，具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子
E
第一反馈网络，电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间
F
以及 第二反馈网络，电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间，
G
其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。
权利要求 2
H
其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。
权利要求 3
I
其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。
权利要求 4
J
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。
权利要求 5
K
其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。
权利要求 6
L
其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容，其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。
权利要求 7
M
其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器，其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大，其中C是所述电容器的电容并且C par是所述第一晶体管的寄生电容。
权利要求 8
N
其中所述电路进一步包括：电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。
权利要求 9
O
进一步包括：被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。