对比文件名称：2011-03-01_发明专利_TW201108482A 磁性穿隧接面器件及其製造 MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION
目标专利名称：用于存储器器件的金属化工艺 CN107924994B
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述方法包括：形成第一金属化层，所述第一金属化层耦合至器件的逻辑器件<br>**《直接公开》** | “展示了晶圓之MRAM區域108且展示了晶圓之邏輯區域110。...可執行第一銅鑲嵌製程以在第一絕緣層104中敞開底部渠溝202及底部通孔204、在底部渠溝202及底部通孔204中鍍銅或以其他方式沈積銅，及執行銅化學機械平坦化。舉例而言，邏輯製程可界定銅在邏輯區域110中之底部渠溝202及底部通孔204中的置放。” (參見圖2及對應說明) | 對比文件明確描述了在“邏輯區域110”中形成底部溝槽202和底部通孔204（即第一金屬化層的結構），並且該結構通過邏輯製程形成，用於邏輯器件的互連（耦合至邏輯器件）。這與目標專利中“形成第一金屬化層，所述第一金屬化層耦合至器件的邏器件”的技術特徵完全相同。本領域技術人員能夠毫無疑義地從中得出該技術方案。 |
| **技术特征B**：以及形成专用金属化层，所述专用金属化层耦合至所述器件的磁阻随机存取存储器MRAM模块，<br>**《隐含公开》** | “可執行第二銅鑲嵌製程以在第三絕緣層604中敞開頂部渠溝702，及敞開至經圖案化之頂部電極502之頂部通孔704與至底部渠溝202中之銅之邏輯通孔706中的至少一者、在頂部渠溝702中及在頂部通孔704與邏輯通孔706中之該至少一者中鍍銅或以其他方式沈積銅，及執行銅化學機械平坦化。” (參見圖7及對應說明) | 對比文件描述了在形成MTJ結構（即MRAM模塊的核心元件）後，執行第二次銅鑲嵌工藝，形成頂部溝槽702、頂部通孔704。頂部通孔704連接至MTJ結構的頂部電極502，從而將該金屬化結構耦合至MRAM模塊（MTJ器件）。雖然對比文件未使用“專用金屬化層”這一術語，但其描述的“頂部溝槽702”和“頂部通孔704”是通過特定工藝形成的、用於連接MRAM單元的金屬化結構。本領域技術人員根據其描述的工藝和結構，能夠合理推斷出形成了耦合至MRAM模塊的金屬化層。 |
| **技术特征C**：其中所述专用金属化层不同于所述第一金属化层，并且其中所述专用金属化层不与所述逻辑器件共享。<br>**《未公开》** | “可執行第二銅鑲嵌製程以在第三絕緣層604中敞開頂部渠溝702，及敞開至經圖案化之頂部電極502之頂部通孔704與至底部渠溝202中之銅之邏輯通孔706中的至少一者” (參見圖7及對應說明) | 目標專利中“專用金屬化層不與邏輯器件共享”的核心在於，該金屬化層專用於MRAM模塊，獨立於邏輯器件的佈線，從而避免設計複雜度和寄生效應（參見說明書[0010], [0013]-[0014]段）。對比文件中，第二次銅鑲嵌工藝形成的頂部金屬化層（頂部溝槽702）不僅通過頂部通孔704連接MRAM，也通過邏輯通孔706連接邏輯區域的底部金屬（底部溝槽202）。這表明頂部金屬化層同時服務於MRAM和邏輯區域，即“共享”金屬化層。這與目標專利旨在解決的技術問題和採用的技術手段（獨立、不共享）相反。因此，對比文件既未直接公開也未隱含公開該特徵。 |
| **技术特征D**：其特征在于，所述第一金属化层是使用后端制程BEOL金属化工艺来形成的，其中所述专用金属化层是使用专用于形成与所述MRAM模块相关联的一个或多个组件的金属化工艺来形成的。<br>**《未公开》** | 對比文件未提及“後端制程(BEOL)金屬化工藝”或“專用於形成與MRAM模塊相關聯組件的金屬化工藝”等概念。其工藝描述聚焦於整合MRAM與邏輯製程的具體步驟，如形成底部罩蓋層、第一次銅鑲嵌、形成MTJ、第二次銅鑲嵌等。 | 目標專利明確區分了“BEOL金屬化工藝”（用於形成常規邏輯互連）和“專用金屬化工藝”（用於為MRAM定製插入層）（參見說明書[0012], [0045]段）。這是其核心發明點之一。對比文件的工藝流程中，兩次銅鑲嵌工藝（第一次和第二次）都是其描述的整合製程的一部分，並未將其分別界定為遵循行業標準的BEOL工藝和為MRAM量身定制的專用工藝。因此，對比文件沒有公開該特徵。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述BEOL金属化工艺指定正整数n个金属化层，并且其中所述器件包括至少n+1个金属化层。<br>**《未公开》** | 對比文件全文未提及由BEOL工藝指定的金屬化層數量（n），也未描述通過插入專用層使總層數變為n+1。 | 該特徵是目標專利中“專用金屬化層”概念的量化體現，即通過在標準BEOL層數基礎上增加至少一層來實現MRAM的專用互連（參見說明書[0012]段）。對比文件完全沒有涉及對標準金屬化層數量的引用或超出標準層數的表述。因此，對比文件沒有公開該特徵。 |
| **技术特征F**：其特征在于，形成所述专用金属化层包括执行镶嵌工艺以形成所述一个或多个组件，并且其中所述一个或多个组件包括以下一者或多者：所述MRAM模块的位线或所述MRAM模块的阵列触点。<br>**《隐含公开》** | “可執行第二銅鑲嵌製程以在第三絕緣層604中敞開頂部渠溝702，及敞開至經圖案化之頂部電極502之頂部通孔704...在頂部渠溝702中及在頂部通孔704...中鍍銅” (參見圖7及對應說明) | 對比文件明確記載了使用“銅鑲嵌製程”（即鑲嵌工藝）來形成頂部金屬化結構，包括頂部溝槽702和頂部通孔704。在MRAM領域，連接MTJ頂部電極的金屬線（頂部溝槽702）可起到位線的作用，而連接MTJ的導電通孔（頂部通孔704）可構成陣列觸點的一部分。因此，本領域技術人員能夠從對比文件描述的工藝和形成的結構中，合理推斷出“執行鑲嵌工藝以形成MRAM模塊的位線或陣列觸點”這一技術方案。 |
| **技术特征G**：其特征在于，进一步包括在形成所述专用金属化层之后形成第三金属化层，其中所述第一金属化层与第一节距相关联，所述第一节距小于与所述第三金属化层相关联的第二节距，其中所述专用金属化层被配置成利用所述第一金属化层的所述第一节距来形成与所述MRAM模块相关联的一个或多个组件，并且其中所述一个或多个组件包括基于电阻的存储元件。<br>**《未公开》** | 對比文件描述了底部金屬化層（第一次鑲嵌形成）和頂部金屬化層（第二次鑲嵌形成），但未提及這兩層或任何其他層之間的“節距(pitch)”關係（第一節距小於第二節距）。也未描述利用某一層的較小節距來形成MRAM組件。其MTJ（基於電阻的存儲元件）形成於底部金屬化層之上、頂部金屬化層之前。 | 目標專利此特徵的核心在於利用“密集金屬層”（第一金屬化層）的小節距來製造高密度MRAM元件，並在其上插入專用層，然後再形成節距更大的厚金屬層（第三金屬化層）用於全局互連（參見說明書[0013], [0044]-[0047]段）。對比文件雖然有底部和頂部金屬層，但完全沒有涉及它們的節距對比，也沒有揭示利用底部金屬層的密集節距優勢來形成MRAM元件的配置意圖。MTJ的尺寸和形成與底部金屬層的節距無關。因此，對比文件沒有公開該特徵。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述第一节距是遵循所述器件的后端制程BEOL金属化工艺的特定节距。<br>**《未公开》** | 同特徵D、G，對比文件未提及“BEOL金屬化工藝”，也未提及遵循該工藝的“特定節距”。 | 該特徵是特徵G的進一步限定，明確第一節距的來源。由於對比文件未公開BEOL工藝及相關節距概念，因此該特徵未被公開。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一金属化层具有第一密度，所述第一密度大于与所述第三金属化层相关联的第二密度。<br>**《未公开》** | 對比文件未對不同金屬化層的“密度”進行比較或描述。 | 目標專利中密度與節距相關，節距越小密度越高（參見說明書[0044]段）。由於對比文件未公開金屬化層之間的節距關係（特徵G），自然也未公開由此衍生的密度關係。因此，該特徵未被公開。 |
| **技术特征J**：其特征在于，形成所述第一金属化层和形成所述专用金属化层是通过处理器执行指令来发起的。<br>**《直接公开》** | “製造過程1328可包括併有執行儲存於電腦可讀有形儲存媒體(諸如，記憶體器件)處之指令之處理器的至少一電腦，以執行圖9之方法或圖10至圖11之方法。該電腦可耦接至一或多個半導體製造器件，且經組態以執行指令以起始磁性穿隧接面(MTJ)器件在一結構上之形成...該電腦亦可經組態以執行儲存於電腦可讀媒體處之指令以起始銅鑲嵌製程以在絕緣層中敞開頂部渠溝...” (參見說明書第[0131]段) | 對比文件明確描述了整個器件製造過程（包括形成底部金屬化層和頂部金屬化層的銅鑲嵌工藝）可以由執行存儲在計算機可讀介質上的指令的處理器（計算機）來發起和控制。這與目標專利中“形成所述第一金屬化層和形成所述專用金屬化層是通過處理器執行指令來發起的”技術特徵完全相同。本領域技術人員能夠毫無疑義地從中得出該技術方案。 |
<<<A>>><<<J>>><<<b>>><<<f>>>