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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A《直接公开》<br>其包括：第一透明晶片，其包括第一透镜阵列	[0019] “an optical wafer stack comprising a first transparent wafer comprising a first array of lenses”	对比文件直接公开了光学晶片堆叠包括包含第一透镜阵列的第一透明晶片。该特征在对比文件中作为构成光学晶片堆叠的基本部件，用于形成透镜对和最终的集成式透镜堆叠，其作用与目标专利中作为承载透镜和对准标记的基础晶片的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。
技术特征B《直接公开》<br>第二透明晶片，其包括第二透镜阵列，所述第二透镜阵列中的每一透镜与所述第一透镜阵列中的对应透镜形成透镜对	[0019] “a second transparent wafer comprising a second array of lenses, each lens of the second array of lenses forming a lens pair with a corresponding one of the first array of lenses”	对比文件明确公开了第二透明晶片包含第二透镜阵列，并且该阵列中的每个透镜与第一透镜阵列中的对应透镜形成透镜对。该特征在对比文件中定义了上下晶片透镜之间的一一对应关系，是构建精确对准的透镜堆叠的基础，其作用与目标专利中形成透镜对以进行对准的作用完全相同。因此被直接公开。
技术特征C《直接公开》<br>第一隔片晶片，其定位于所述第一透明晶片与所述第二透明晶片之间且包括包含开口阵列的隔片材料，每一透镜对中的至少一个透镜延伸到所述开口阵列中的开口中	[0019] “a first spacer wafer positioned between the first transparent wafer and the second transparent wafer and comprising a spacer material including an array of openings, at least one lens of each lens pair extending into an opening of the array of openings”	对比文件直接公开了位于两个透明晶片之间的第一隔片晶片，其包含具有开口阵列的隔片材料，并且每个透镜对中至少一个透镜延伸到开口中。该特征在对比文件中用于物理上分隔两个透镜晶片并为透镜提供空间，其作用与目标专利中隔片晶片的作用一致。因此被直接公开。
技术特征D《直接公开》<br>第一对准标记，其设置于所述第一透明晶片上，所述第一对准标记包括定位于所述第一透镜阵列中的第一透镜周围的第一组同心环带	[0020] “the first alignment mark comprises a first set of concentric annuli”	对比文件明确公开了第一对准标记包含第一组同心环带（“annuli”即环带）。结合[0019]段“positioned around a first lens of the first array of lenses”，可以确定该组同心环带是设置在第一透镜周围的。该特征在对比文件中用作高分辨率对准标记以产生视觉对准效果，其作用与目标专利中完全相同。因此被直接公开。
技术特征E《直接公开》<br>及第二对准标记，其设置于所述第二透明晶片上，所述第二对准标记包括与所述第一组同心环带互补且定位于所述第二透镜阵列中的第二透镜周围的第二组同心环带	[0020] “the second alignment mark comprises a second set of concentric annuli complementary to the first set of concentric annuli”	对比文件直接公开了第二对准标记包含与第一组同心环带互补的第二组同心环带。结合上下文，该第二组环带同样位于对应透镜周围。该特征在对比文件中与第一组环带配合，通过对准或未对准产生特定视觉效果（如实心环带或波纹效应），以实现对准，其作用与目标专利中定义的互补对准标记作用相同。因此被直接公开。
技术特征F《直接公开》<br>，所述第一透镜与所述第二透镜形成一个透镜对，其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。	[0020] “When the first alignment mark is aligned with the second alignment mark, the first and second sets of concentric annuli can form a continuous circular shape when viewed...” <br> [0064] “The moiré effect is a visual perception that occurs when viewing a set of lines or dots that is superimposed on another set of lines or dots, where the sets differ in relative size, angle, or spacing and thus create an interference pattern...” <br> [0074] “in optimal alignment... the annuli appear to create one solid annulus having a thickness spanning of all of the annuli. When... misaligned, the complementary patterns overlay one another to produce Moiré patterns”	对比文件详细描述了互补同心环带在对准时形成连续圆形/实心环带（[0020], [0074]），以及在未对准时产生莫尔条纹/波纹效应（[0064], [0074]）的特性。这是对比文件所揭示的利用高频互补图案实现亚微米对准的核心原理之一，其作用与目标专利中利用环带的特殊光学效应来指示对准状态的作用完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。
技术特征G《直接公开》<br>其中所述第一透镜、所述第二透镜及在所述开口阵列中的开口周围的所述隔片材料的一部分形成具有光轴的透镜堆叠。	[0021] “The first lens, the second lens, and a portion of the spacer material around an opening of the array of openings can form a lens stack having an optical axis.”	对比文件原文与目标专利特征描述几乎完全一致，直接公开了由两个透镜及隔片材料部分形成具有光轴的透镜堆叠。该特征在对比文件中定义了所构建的光学器件的结构，其作用与目标专利中相同。因此被直接公开。
技术特征H《直接公开》<br>其进一步包括分束器层，所述分束器层设置于所述第一对准标记的第一平面与所述第二对准标记的第二平面之间的光学路径中心点处。	[0021] “The optical wafer stack can further comprise a beam splitter layer provided at an optical center point between a first plane of the first alignment mark and a second plane of the second alignment mark.”	对比文件明确公开了在晶片堆叠中进一步包括设置于两个对准标记平面之间光学中心点处的分束器层。该特征在对比文件中用于解决显微镜景深问题，使两个标记能同时清晰成像以实现对准，其作用与目标专利中分束器层的作用完全相同。因此被直接公开。
技术特征I《直接公开》<br>其中所述第一组同心环带及所述第二组同心环带具有5μm的线厚度。	[0011] “The first set of repeating marks and the second set of repeating marks can comprise concentric annuli having a line thickness of 5 μm.” <br> [0021] “The first set of repeating marks and the second set of repeating marks can comprise concentric annuli having a line thickness of 5 μm.”	对比文件两次明确给出了同心环带（作为重复标记的一种）的线厚度为5微米的具体数值。该特征在对比文件中作为实现高分辨率对准的标记尺寸示例，其作用与目标专利中限定标记尺寸以产生特定光学效应（如波纹效应）的作用一致。因此被直接公开。
技术特征J《直接公开》<br>其进一步包括：第三透明晶片，其包含第三透镜阵列	[0012] “a third transparent wafer including at least a third lens” <br> [0022] “a third transparent wafer including a third array of lenses”	对比文件公开了光学晶片堆叠可以进一步包括包含（至少一个）第三透镜或第三透镜阵列的第三透明晶片。该特征在对比文件中用于构建更多层的透镜堆叠，其作用与目标专利中扩展堆叠结构的作用相同。因此被直接公开。
技术特征K《直接公开》<br>第二隔片晶片，其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料	[0012] “a second spacer wafer positioned between the second transparent wafer and the third transparent wafer and including at least a second opening” <br> [0022] “a second spacer wafer positioned between the second transparent wafer and the third transparent wafer and comprising the spacer material including an array of openings”	对比文件公开了位于第二和第三透明晶片之间的第二隔片晶片，并说明其包含开口（阵列）。该特征在对比文件中用于分隔额外的晶片层，其作用与目标专利中第一隔片晶片类似。因此被直接公开。
技术特征L《直接公开》<br>及第三对准标记，其设置于所述第三透明晶片上，所述第三对准标记包括与所述第一组同心环带及所述第二组同心环带互补且定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记，所述第三透镜与所述第一透镜及所述第二透镜形成光学堆叠。	[0022] “a third alignment mark provided on the third transparent wafer, the third alignment mark comprising a third set of repeating marks complementary to the first and second sets of repeating marks and positioned around a third lens of the third array of lenses, the third lens forming an optical stack with the first lens and the second lens.”	对比文件直接公开了设置在第三透明晶片上的第三对准标记，该标记包含与第一、第二组重复标记互补的第三组重复标记，并围绕第三透镜阵列中的一个透镜定位，且该第三透镜与第一、第二透镜形成光学堆叠。该特征在对比文件中用于扩展对准标记系统以实现更多晶片层的对准，其作用与目标专利中相同。因此被直接公开。
技术特征M《直接公开》<br>其进一步包括：第三透明晶片，其包含第三透镜阵列	[0013] “a third transparent wafer including at least a third lens” <br> [0023] “a third transparent wafer including a third array of lenses”	同技术特征J，对比文件公开了包含第三透镜（阵列）的第三透明晶片。该特征被直接公开。
技术特征N《直接公开》<br>第二隔片晶片，其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料	[0013] “a second spacer wafer positioned between the second transparent wafer and the third transparent wafer and including at least a second opening” <br> [0023] “a second spacer wafer positioned between the second transparent wafer and the third transparent wafer and comprising the spacer material including an array of openings”	同技术特征K，对比文件公开了位于第二和第三透明晶片之间的第二隔片晶片。该特征被直接公开。
技术特征O《直接公开》<br>第三对准标记，其设置于所述第三透明晶片上，所述第三对准标记包括定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记，所述第三透镜与所述第二透镜阵列中的第四透镜形成一对	[0023] “a third alignment mark provided on the third transparent wafer, the third alignment mark comprising a third set of repeating marks positioned around a third lens of the third array of lenses, the third lens forming a pair with a fourth lens of the second array of lenses”	对比文件直接公开了第三对准标记包含围绕第三透镜的第三组重复标记，并且该第三透镜与第二透镜阵列中的一个第四透镜形成一对。这描述了另一种对准标记配置，其中标记围绕形成透镜对的透镜设置。该特征在对比文件中用于实现相邻晶片层之间的对准，其作用与目标专利中类似。因此被直接公开。
技术特征P《直接公开》<br>第四对准标记，其设置于所述第二透明晶片上，所述第四对准标记包括与所述第三组重复标记互补且定位于所述第四透镜周围的第四组重复标记。	[0023] “a fourth alignment mark provided on the second transparent wafer, the fourth alignment mark comprising a fourth set of repeating marks complementary to the third set of repeating marks and positioned around the fourth lens.”	对比文件直接公开了设置在第二晶片上的第四对准标记，该标记包含与第三组重复标记互补并围绕第四透镜的第四组重复标记。该特征与特征O共同构成了另一对互补对准标记，用于第二和第三晶片之间的对准，其作用与目标专利中定义的对准标记系统作用一致。因此被直接公开。
技术特征Q《直接公开》<br>其包括：将第一组同心环带安置于第一透明晶片的第一透镜阵列中的第一透镜周围	[0024] “disposing a first set of repeating marks around a first lens of a first array of lenses of a first transparent wafer” <br> （结合[0020]段，重复标记可以是同心环带“concentric annuli”）	对比文件公开了对准透明晶片的方法包括将第一组重复标记（可为同心环带）安置于第一透明晶片第一透镜阵列中的一个透镜周围。该步骤在对比文件中是执行对准方法的初始步骤，其作用与目标专利中设置对准标记以进行后续对准操作的作用相同。因此被直接公开。
技术特征R《直接公开》<br>将第二组同心环带安置于第二透明晶片的第二透镜阵列中的第二透镜周围，所述第二组同心环带与所述第一组同心环带互补	[0024] “disposing a second set of repeating marks around a second lens of a second array of lenses of a second transparent wafer, the second set of repeating marks complementary to the first set of repeating marks”	对比文件直接公开了将互补的第二组重复标记（可为同心环带）安置于第二透明晶片的对应透镜周围。该步骤是建立互补对准标记对的关键，其作用与目标专利中相同。因此被直接公开。
技术特征S《直接公开》<br>通过所述第一透明晶片及所述第一组同心环带来检视所述第二组同心环带	[0024] “viewing the second set of repeating marks through the first transparent wafer as well as the first set of repeating marks”	对比文件公开了通过第一透明晶片来检视第二组重复标记以及第一组重复标记本身。这描述了观察重叠标记的过程，其作用与目标专利中通过上层晶片观察下层标记以实现视觉对准的作用相同。因此被直接公开。
技术特征T《直接公开》<br>及使用所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片，其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。	[0024] “aligning the first transparent wafer to the second transparent wafer using overlap of the first and second sets of repeating marks.” <br> （关于环带产生实心环带和波纹效应的特性，已在特征F的论述中引用[0020], [0064], [0074]段说明）	对比文件直接公开了使用两组重复标记（同心环带）的重叠来对准晶片的方法。而关于环带产生特定视觉效果（实心环带/波纹效应）的特性，对比文件已明确公开（见特征F论述），该特性是实现此对准方法的基础。因此，该技术特征整体被对比文件直接公开。
技术特征U《直接公开》<br>其中所述检视包括捕捉所述第一组同心环带及所述第二组同心环带的图像数据，且其中所述对准包括经由硬件处理器而比较所述图像数据与至少一个模板图像以确定所述第一组同心环带与所述第二组同心环带是否对准。	[0025] “the viewing can comprise capturing image data of the first and second sets of repeating marks, and the aligning can comprise comparing, via a hardware processor, the image data to at least one template image to determine whether the first and second sets of repeating marks are aligned.”	对比文件明确公开了检视步骤可以包括捕捉图像数据，而对准步骤可以包括通过硬件处理器比较该图像数据与至少一个模板图像以确定是否对准。这描述了自动化对准的具体实现方式，其作用与目标专利中通过图像处理和模板匹配实现自动对准的作用完全相同。因此被直接公开。
技术特征V《直接公开》<br>其进一步包括：将分束器层安置于所述第一组同心环带与所述第二组同心环带之间的光学路径中心点处	[0014] “disposing a beam splitter layer at an optical midpoint between the first alignment mark and the second mark” <br> [0026] “disposing a beam splitter layer at an optical midpoint between the first and second sets of repeating marks”	对比文件在多个实施例中公开了将对准方法进一步包括将分束器层安置于两个对准标记（或两组重复标记）之间的光学中点处。该步骤在对比文件中是为了解决同时聚焦问题以提升对准精度，其作用与目标专利中引入分束器层的作用相同。因此被直接公开。
技术特征W《直接公开》<br>使显微镜物镜聚焦于所述第二组同心环带上	[0014] “focusing a microscope objective on the second alignment mark” <br> [0026] “focusing a microscope objective on the second set of repeating marks”	对比文件公开了使显微镜物镜聚焦于第二对准标记（或第二组重复标记）上。该步骤在对比文件中是利用分束器配置时，将物镜焦点设在其中一个标记平面上的操作，其作用与目标专利中通过分束器观察时聚焦于下层标记的作用一致。因此被直接公开。
技术特征X《直接公开》<br>检视所述第二组同心环带以及所述第一组同心环带经由所述分束器层的反射	[0014] “viewing the second alignment mark as well as a reflection of the first alignment mark via the beam splitter layer” <br> [0026] “viewing the second set of repeating marks as well as a reflection of the first set of repeating marks via the beam splitter layer”	对比文件明确公开了检视第二标记以及通过分束器层反射的第一标记。这描述了利用分束器同时观察两个位于不同平面的标记的核心步骤，其作用与目标专利中实现同时清晰观察以进行对准的作用完全相同。因此被直接公开。
技术特征Y《直接公开》<br>及使用通过所述显微镜物镜所检视的所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片。	[0014] “aligning the first transparent wafer to the second transparent wafer using overlap of the first alignment mark and the second alignment mark viewed through the microscope objective.” <br> [0026] “aligning the first transparent wafer to the second transparent wafer using overlap of the first and second sets of repeating marks viewed through the microscope objective.”	对比文件直接公开了使用通过显微镜物镜观察到的两个标记（或两组重复标记）的重叠来对准晶片。这是整个对准方法的最终目的和操作，其作用与目标专利中基于视觉重叠信息进行对准的作用一致。因此被直接公开。
技术特征Z《直接公开》<br>其中所述聚焦、所述检视及所述对准由一或多个物理计算装置以编程方式执行。	[0015] “The focusing, viewing, and aligning can be performed programmatically by one or more physical computing devices.”	对比文件明确公开了聚焦、检视和对准这些步骤可以由一个或多个物理计算装置以编程方式执行。这描述了自动化对准系统的控制方式，其作用与目标专利中实现程序化、自动化对准的作用完全相同。因此被直接公开。

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