对比文件名称：2007-10-04_US2007231462A_发明申请_US20070231462A1 Method of forming ferroelectric thin film
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件涉及铁电薄膜的制备方法及其应用（如FE-RAM、红外传感器、麦克风等，参见[0178]段），但通篇未提及“超声波接收器”(ultrasonic receiver)或其用于检测超声波能量。对比文件所描述的薄膜及其应用场景与目标专利中用于检测超声波能量的特定接收器结构完全不同，作用也不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该技术特征。 |
| 技术特征B：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件描述了在基板（substrate）上形成薄膜（参见[0020], [0044]段），基板可以是硅、金属（铝、铜、金、银、铂等，参见[0030], [0157]段）。但对比文件从未提及“像素电路的阵列”(array of pixel circuits)或任何类似结构。目标专利中的像素电路阵列是用于感测和读取超声波信号的核心部件，作用与对比文件中简单的基板或电极层有本质区别。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征C：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《隐含公开》 | [0020]段：“...have found that a thin film of vinylidene fluoride homopolymer having crystal form I which can exhibit ferroelectricity, can be formed on various substrates by using the obtained vinylidene fluoride homopolymer having crystal form I even by usual coating method or coating conditions, for example, on a silicon wafer by spin coating at room temperature...” <br> [0028]段：“The step (ii) for forming a thin film of vinylidene fluoride homopolymer may be carried out by applying a liquid composition containing the vinylidene fluoride homopolymer on a substrate surface...” <br> [0148]段：“For applying the coating solution on a substrate, there can be used known coating methods such as spin coating...” | 对比文件公开了通过将含有特定聚合物（偏二氟乙烯均聚物）的溶液（液体组合物）涂布到基板（如硅晶圆）表面来形成薄膜的方法，例如通过旋涂（spin coating）。虽然对比文件未明确提及“像素电路的阵列”，但其公开了将聚合物溶液涂布到“基板”上这一基本制造操作。考虑到对比文件公开的涂布方法（如旋涂）是电子制造领域的常规工艺，本领域技术人员有可能合理推断，为了形成功能层，可以将含有聚合物的溶液涂布到包含电路结构的基板（例如隐含的阵列结构）上。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征D：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件全文未提及“薄膜晶体管（TFT）”、“像素输入电极”或任何构成像素电路的元件。其描述的基板是简单的导电基板（如金属、硅）或绝缘基板（参见[0156]-[0157]段），用于承载铁电薄膜，并不具备目标专利中像素电路所具有的信号检测、放大和寻址功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《直接公开》 | [0020]段：“...and have found that by subjecting this thin film to polarization treatment, a polymer type ferroelectric thin film can be produced.” （结合上下文，形成薄膜的聚合物本身是结晶的I型晶体）<br> [0045]段：“As a result, the thin film obtained in the step (ii) of the present invention comprises vinylidene fluoride homopolymer of crystal form I...” <br> [0168]段：“The heat treating step (iv) of the thin film of vinylidene fluoride homopolymer is usually carried out for the purpose of growth of crystals in the thin film...” | 对比文件明确公开了其方法形成的薄膜包含结晶聚合物层（I型晶体的偏二氟乙烯均聚物，参见[0045]段）。虽然对比文件更侧重于使用本身已是I型晶体的聚合物粉末来形成薄膜（[0020], [0045]），但其也提到了通过热处理促进晶体生长（[0168]），这隐含了结晶过程。对比文件中结晶聚合物层的作用是作为铁电材料，目标专利中结晶聚合物层的作用是作为压电材料的前体，两者在材料功能上高度相关（铁电材料通常具有压电性）。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出“使聚合物结晶以形成结晶聚合物层”这一技术特征。 |
| 技术特征F：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《部分直接公开》 | [0020]段：“...and have found that by subjecting this thin film to polarization treatment, a polymer type ferroelectric thin film can be produced.” <br> [0040]段：“(iii) A step for subjecting the thin film of vinylidene fluoride homopolymer formed in the above step (ii) to polarization treatment.” <br> [0163]段：“For the polarization, known methods can be used similarly. For example, there can be used a method of carrying out deposition of an electrode on the film or contacting an electrode to the film and then applying electric field...” <br> [0164]段：“The applied electric field in the polarization step (iii)... is usually not less than 10 MV/m...” | 对比文件直接公开了对形成的薄膜进行“极化处理”（polarization treatment）的步骤，该步骤包括在薄膜上施加电场（[0163]-[0164]段），目的是使薄膜具有铁电性（[0020]段），而铁电材料通常具有压电性。因此，“执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层”这一部分被直接公开。然而，对比文件完全没有提及“像素输入电极”，因此“使得所述压电层与所述像素输入电极电接触”这一特定连接关系未被公开。 |
| 技术特征G：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《部分隐含公开》 | [0163]段：“For the polarization... there can be used a method of carrying out deposition of an electrode on the film...” <br> [0287]段（实施例1）：“Then vacuum vapor deposition of aluminum was carried out by usual method on the thin film of VdF polymer... thereby forming a second electrode.” <br> [0178]段列出了薄膜的应用，如传感器、麦克风等，这些应用通常需要电极来读取信号。 | 对比文件公开了在形成的聚合物薄膜上沉积电极（如铝电极，参见[0287]段），该电极可用于极化处理（[0163]段）或作为功能器件（如传感器）的电极。虽然对比文件未明确将该电极称为“接收器偏置电极”或描述其用于“控制信号被传递至TFT元件”，但本领域技术人员知晓，在包含压电/铁电薄膜的传感装置中，在薄膜上设置电极是用于偏置和/或收集电信号的常规手段。考虑到对比文件提及了传感器应用（[0178]段），有可能合理推断在薄膜上沉积的电极可用于控制信号的传递。然而，由于对比文件未提及TFT，因此“传递至所述TFT元件”这一具体目的未被公开。综合来看，沉积电极这一子特征被隐含公开，但其特定功能和目的未被完全公开。 |
| 技术特征H：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件未提及“像素输入电极”。虽然其描述了导电基板或电极（如铝、金、ITO，参见[0157]段），但这些是用于承载铁电薄膜或作为极化电极，与目标专利中电耦合到每个像素电路TFT的“像素输入电极”在结构、位置和作用上均不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件的涂布工艺描述中，未提及使用“助粘剂”（adhesion promoter）。其专注于聚合物溶液本身和涂布方法（如旋涂），未涉及为提高附着力而进行的基板预处理。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》 | [0020]段：“...for example, on a silicon wafer by spin coating at room temperature...” <br> [0028]段：“The step (ii) for forming a thin film of vinylidene fluoride homopolymer may be carried out by applying a liquid composition containing the vinylidene fluoride homopolymer on a substrate surface...” <br> [0148]段：“For applying the coating solution on a substrate, there can be used known coating methods such as spin coating, dip coating, spray coating, roll coating and gravure coating.” | 对比文件明确公开了多种涂布方法，包括旋涂（spin coating）、浸涂（dip coating）、喷涂（spray coating）等（[0148]段）。喷涂（spray coating）可对应于目标专利的“喷射”。虽然“槽缝式涂布”和“施配”未明确列出，但它们是本领域常见的涂布技术。对比文件公开的涂布方法在作用上与目标专利相同，都是将聚合物溶液施加到基板上。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出通过旋涂、浸渍或喷射等方式执行涂布的技术特征。 |
| 技术特征K：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [0003]段：“Polymer type ferroelectric materials have advantages...” <br> [0020]段：“...a polymer type ferroelectric thin film can be produced.” <br> 全文所述聚合物（偏二氟乙烯均聚物）即为铁电聚合物。 | 对比文件明确其主题是形成“铁电薄膜”（ferroelectric thin film），使用的材料是“聚合物型铁电材料”（polymer type ferroelectric materials），具体为偏二氟乙烯均聚物（vinylidene fluoride homopolymer），这是一种典型的铁电聚合物。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《隐含公开》 | [0168]-[0169]段：“The heat treating step (iv) of the thin film of vinylidene fluoride homopolymer is usually carried out for the purpose of growth of crystals... A heat treating temperature... is usually not less than 50° C.... and an upper limit thereof is usually a temperature lower than a crystalline melting point of the vinylidene fluoride homopolymer... A heat treating time is usually not less than about 10 minutes... and not more than about 10 hours...” <br> 对比文件虽未明确提及“居里温度”，但铁电聚合物具有居里温度是本领域公知常识。 | 对比文件公开了对形成的薄膜进行热处理的步骤（[0168]段），热处理温度低于聚合物的结晶熔点（crystalline melting point），时间可从10分钟到10小时（[0169]段）。虽然未明确提及“居里温度”，但对于铁电聚合物而言，在居里温度以上进行热处理以促进结晶或晶体生长是本领域的常规技术手段。本领域技术人员有可能通过合理推断，为了优化晶体结构，会在居里温度与熔点之间的温度范围内进行焙烤，且时间可能超过一小时（如实施例中的热处理）。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件描述了极化工艺，但未提及在极化前施加导电材料以将任何电路的端子短路到接地。其极化过程可能涉及在薄膜两侧使用电极（[0163]段），但没有保护底层敏感电路（如TFT）的短路措施。该特征在目标专利中用于保护像素电路，在对比文件中无对应内容。因此，未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 未找到相关记载。 | 由于技术特征M未被公开，其进一步限定的具体导电材料（导电橡胶或导电墨水）自然也未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件公开了在薄膜上沉积电极，例如铝电极（[0287]段），但未提及电极由“第一铜子层和第二镍子层”构成。该特定叠层结构未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 未找到相关记载。 | 由于技术特征O未被公开，其进一步限定的具体子层厚度自然也未被公开。 |
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