对比文件名称：2012-03-20_US8139827B_发明授权_US08139827B2 Biometrical object reader having an ultrasonic wave manipulation device
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器 CN105264545B
模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | [0086] “The ultrasonic detector array 4 may be a hydrophone, or hydrophone array module...” <br> [0091] “...The detector then measures the amount of energy received...” <br> [0102] “...The reflected energy...is received at each element 13. The signals generated by the elements 13 may be used...to create...an image...” | 对比文件明确公开了超声波检测器阵列（如附图1中的4）用于接收和处理从手指反射回来的超声波能量，以生成图像。该检测器阵列在对比文件中的作用与目标专利中的“超声波接收器”作用相同，都是检测接收到的超声波能量。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | [0134] “...an array 350 of TFTs (thin film transistors)...that have been formed on an insulating substrate 360.” <br> 附图24A-24B展示了TFT阵列350安置在绝缘衬底360上。 | 对比文件明确公开了由薄膜晶体管（TFT）组成的阵列（350）形成在绝缘衬底（360）上。该TFT阵列在对比文件中构成超声波检测器（即超声波接收器）的一部分，用于检测和读出信号。这与目标专利中“安置在衬底上的像素电路的阵列”的结构和作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件描述了使用现成的驻极体薄膜（electret film 320, 302）与电极组装成传感器（见附图23，24A-24B），但完全没有公开通过“将含有聚合物的溶液涂布”到TFT阵列上来形成压电/驻极体层的任何方法或步骤。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《直接公开》 | [0134] “...an array 350 of TFTs (thin film transistors)...” <br> [0134] “Each TFT may function as a switch corresponding to a portion of outer electrode 330. For example, the gate of each TFT may be electrically connected to one of the inner conductive electrodes 340.” | 对比文件明确公开了阵列中的每个单元包含TFT（350），并且每个TFT电连接到对应的内导电电极（340）。该内导电电极（340）起到将传感器（驻极体薄膜）检测到的信号传递到TFT的作用，这与目标专利中“像素输入电极”的功能（将压电层产生的电荷耦合到像素电路）相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件仅提及使用“electret film”（驻极体薄膜，如302，320），并未描述该薄膜的制造过程，更没有公开通过“使聚合物结晶”来形成该层的步骤。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | [0124] “The molecules of the E film 302 are aligned so as to create a permanent electrostatic field.” | 对比文件提到驻极体薄膜（E film）的分子是已经对齐的，从而产生永久的静电场。这暗示了该薄膜是经过极化处理的。然而，对比文件完全没有公开“执行成极工艺”这一制造步骤，特别是没有公开“跨越结晶聚合物层施加电场”这一具体操作。目标专利的成极工艺是其制造方法的关键步骤，而对比文件仅描述了已极化完成的材料状态。因此，该特征未被直接公开。考虑到对比文件公开的是具有永久静电场的成品薄膜，本领域技术人员可以理解该薄膜必然是经过某种极化处理的，这是一种非常宽泛和隐含的公开。但从严格的技术方案比对来看，对比文件并未公开“在执行制造过程中施加电场进行极化”这一特定工艺步骤。根据宽松的隐含公开判断标准，可以认为对比文件隐含了“薄膜是极化的”这一结果特征，但未公开“施加电场进行极化”这一动作特征。为严谨起见，此处判断为《未公开》。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | [0124] “This device has a small finger-like electrode 304 (“finger electrode”) and a large area electrode 303 (“LA electrode”). Each of the electrodes is attached to a different side of an electret film 302...” <br> [0134] “An outer electrode 330 has been applied to one side of an electret film 320 and an array of inner conductive electrodes 340 have been applied to the other side...” | 对比文件明确公开了在驻极体薄膜（相当于目标专利的压电/驻极体功能层）的一侧设置有外电极（330或303）。该外电极与内电极阵列（340或304）分别位于薄膜两侧，构成检测超声波压力变化的电容器结构。外电极作为接收声压并引起电容变化的一个电极，其存在和配置直接影响信号向TFT元件的传递，其作用与目标专利中用于控制信号传递的“接收器偏置电极”实质相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《隐含公开》 | [0134] “Applying the electrodes 330, 340 may be accomplished by various means that may include masked and sputtered deposition...” | 对比文件公开了内电极（340）可以通过掩膜和溅射沉积（sputtered deposition）等方法形成。溅射沉积是形成导电薄膜的典型工艺。因此，本领域技术人员能够合理地推断，这些电极可以由通过溅射等薄膜工艺形成的导电薄膜构成。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件完全没有提及在制造传感器时使用“助粘剂”。该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开任何通过溶液涂布形成压电/驻极体层的方法，因此更未公开具体的涂布工艺如旋涂等。该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《隐含公开》 | [0041] 目标专利说明书指出可采用的压电材料包含铁电聚合物如PVDF和PVDF-TrFE。 <br> [0124] 对比文件使用了“electret film”（驻极体薄膜）。 | 驻极体薄膜通常由具有强压电或驻极体特性的聚合物制成，聚偏二氟乙烯（PVDF）及其共聚物是其中最常用的铁电聚合物之一。虽然对比文件没有明确指明其驻极体薄膜的具体材料，但本领域技术人员公知，用于超声波传感器的驻极体薄膜很可能包含PVDF等铁电聚合物。根据隐含公开的宽松判断标准，可以认为对比文件隐含公开了聚合物包含铁电聚合物这一特征。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件完全没有涉及聚合物的居里温度、熔点，也没有公开通过焙烤使聚合物结晶的工艺步骤。该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有描述在极化（如果存在的话）之前，对TFT电路的端子进行短路保护的措施。该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开任何用于短路保护的导电材料，更未具体公开导电橡胶或导电墨水。该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件虽然公开了外电极（330），但未描述该电极的具体层状结构，例如包含铜子层和镍子层。该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件完全没有公开电极的任何具体厚度尺寸。该特征未被公开。 |
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