对比文件名称：US2014355387A1_Description_20260223_1512
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | 摘要部分：“...an ultrasonic receiver for detecting ultrasonic energy received at a first surface of the ultrasonic receiver.” [0034]段：“Ultrasonic receiver 430 may be configured to detect ultrasonic energy received at a proximal (input) surface of the receiver.” | 对比文件明确公开了一种用于检测在其第一表面（或输入表面）接收到的超声波能量的超声波接收器。该特征在对比文件中与目标专利中的作用完全相同，都是作为整个超声波传感器系统的核心检测部件。本领域技术人员能够毫无疑义地得出此技术方案。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | 摘要部分：“The ultrasonic receiver includes an array of pixel circuits disposed on a substrate...” [0046]段：“...an array of pixel circuits 432 disposed on a substrate 434.” | 对比文件直接公开了超声波接收器包含一个安置在衬底上的像素电路阵列。这与目标专利权利要求中记载的特征完全一致，作用相同，都是用于将压电层产生的电荷转换为电信号并进行处理的电路阵列。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《直接公开》 | 摘要部分：“Forming the piezoelectric layer includes coating a solution containing a polymer onto the array of pixel circuits...” [0050]段：“...coating a solution containing a copolymer onto the pixel circuits 432...” | 对比文件明确公开了制造超声波接收器的工艺包括将含有（共）聚合物的溶液涂布到像素电路阵列上。这完全对应于目标专利权利要求中的“将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上”。作用相同，都是形成压电层的初始步骤。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极《直接公开》 | 摘要部分：“each pixel circuit in the array including at least one thin film transistor (TFT) element and having a pixel input electrode electrically coupled to the pixel circuit.” [0036]段：“Each pixel circuit 32 may include one or more TFT elements and...Each pixel circuit 32 may include a pixel input electrode 38 that electrically couples the piezoelectric receiver layer 36 to the pixel circuit 32.” [0047]段：“Each pixel circuit 432 may include one or more TFT elements and may include a pixel input electrode 438...” | 对比文件多次明确记载了像素电路包含至少一个TFT元件，并且具有电耦合至像素电路的像素输入电极。该特征在目标专利中的作用是作为像素电路的构成元件以及电连接点，与对比文件中的作用完全相同。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层《直接公开》 | 摘要部分：“...crystallizing the polymer to form a crystallized polymer layer...” [0048]段：“...crystallizing the copolymer to form a crystallized copolymer layer...” | 对比文件明确公开了使聚合物（共聚物）结晶以形成结晶聚合物层的步骤。该步骤在对比文件中与在目标专利中的作用相同，即将涂布的聚合物材料从非晶态转化为具有压电潜能的结晶态。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触《直接公开》 | 摘要部分：“...and poling the crystallized polymer layer.” 摘要另一部分：“Poling may include applying an electric field with a field strength between 150 and 200 volts per micron through the polymer layer.” [0048]段：“...and poling the resulting crystallized copolymer layer to form the piezoelectric layer 436.” [0033]段：“...the pixel input electrode of the pixel circuit is electrically coupled to the piezoelectric layer.” | 对比文件明确公开了对结晶聚合物层进行极化（成极）以形成压电层的步骤，其中极化包括施加电场。并且，对比文件也明确说明了所形成的压电层与像素输入电极电接触（electrically coupled）。因此，该技术特征在对比文件中被完整、直接地公开，作用完全相同。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | [0036]段：“...a receiver bias electrode 39 is disposed on a side of the piezoelectric receiver layer 36 proximal to platen 40. The receiver bias electrode 39 may be a metallized electrode and may be grounded or biased to control which signals are passed to the TFT array.” [0053]段：“...a surface of the piezoelectric layer may be metallized so as to form a receiver bias electrode.” | 对比文件明确公开了在压电层上设置接收器偏置电极，并且该电极可以接地或偏置以“控制哪些信号被传递到TFT阵列（control which signals are passed to the TFT array）”。这与目标专利中“经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”的作用和功能完全相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《直接公开》 | [0047]段：“The pixel input electrode 438 may include a transparent conductive film made, for example, of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).” | 对比文件明确公开了像素输入电极可以包含透明导电薄膜（ITO或IZO），即由导电薄膜形成。这直接公开了该附加技术特征，其作用与目标专利中描述的相同，都是提供电连接。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《直接公开》 | 摘要部分：“forming the piezoelectric layer may include coating an adhesion promoter onto the array of pixel circuits.” [0055]-[0057]段详细描述了助粘剂（adhesion promoter）的涂布工艺。 | 对比文件在摘要和具体实施方式中均明确公开了形成压电层可以包括将助粘剂涂布到像素电路阵列上。该特征被直接公开，作用相同，都是为了增强聚合物与衬底/像素阵列之间的结合力。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》 | 摘要部分：“coating the solution containing the polymer may be performed by spin coating, slot coating, dipping, dispensing, spraying, or another coating process.” | 对比文件摘要直接列举了与目标专利权利要求完全相同的涂布方式：旋涂（spin coating）、槽缝式涂布（slot coating）、浸渍（dipping）、施配（dispensing）、喷射（spraying）。因此，该特征被直接公开，作用相同，都是用于将聚合物溶液施加到基板上的具体工艺手段。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [0039]段：“Specific examples of piezoelectric materials that may be employed include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件明确公开了可采用的压电材料包括铁电聚合物（ferroelectric polymers），并以PVDF及其共聚物为例。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《直接公开》 | 摘要部分：“The polymer may have a characteristic Curie temperature and a melting point, and crystallizing the polymer may include baking the polymer at a temperature between the Curie temperature and the melting point for at least one hour.” [0059]段：“...raising the temperature of assembly 601 to a temperature above the Curie temperature of the copolymer, but below the melting point of the copolymer.” [0060]段以具体实例说明了在135°C（居里温度与熔点之间）下焙烤1小时或更长时间。 | 对比文件摘要直接公开了聚合物具有居里温度和熔点，并且结晶包括在两者之间的温度下焙烤至少一小时。具体实施方式提供了具体工艺参数实例。因此，该特征被直接公开，其作用相同，都是实现聚合物结晶的具体温度和时间条件。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《直接公开》 | 摘要部分：“a conductive material may be applied to electrically short terminals of the pixel circuits to ground prior to the poling.” [0062]段：“...a conductive material 801 may be applied to electrically short input and output terminals of the pixel circuits to ground.” | 对比文件明确公开了在极化之前施加导电材料以将像素电路的端子电短路到接地。该特征被直接公开，其作用相同，都是在高电场极化过程中保护敏感的TFT元件。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《直接公开》 | 摘要部分：“The conductive material may be a conductive rubber or a conductive ink.” [0062]段：“Conductive material 801 may be a conductive rubber or silver ink compound, for example.” | 对比文件明确公开了导电材料可以是导电橡胶（conductive rubber）或导电墨水（conductive ink/silver ink）。这与目标专利权利要求记载的特征完全一致，被直接公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《直接公开》 | 摘要部分：“The receiver bias electrode may include a first sublayer of copper and a second sublayer of nickel.” [0064]段：“The resulting receiver bias electrode may include a first sublayer of copper, upon which a second sublayer of nickel is deposited.” | 对比文件明确公开了接收器偏置电极可以包括第一铜子层和第二镍子层。该特征被直接公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《直接公开》 | 摘要部分：“The first sublayer may be about 150 angstroms thick and the second sublayer of nickel may be about 850 angstroms thick.” | 对比文件摘要直接公开了第一子层（铜）约为150埃厚，第二子层（镍）约为850埃厚。目标专利权利要求中的具体厚度数值与对比文件公开的“about”范围完全吻合，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该具体厚度的技术方案。因此，该特征被直接公开。 |
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