对比文件名称：2012-06-14_US2012147698A_发明申请_US20120147698A1 LARGE-AREA ULTRASOUND CONTACT IMAGING
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器 CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | 第[0025]段：The imaging structure 110 transmits an ultrasound signal through the top layer. … The reflected signal and the transmit signal are superimposed within the imaging structure and the combined signal is received by the receiver.<br>第[0026]段：The receiver 220 is deposited on the TFT array 225 to receive a received signal. | 对比文件公开了成像结构110包含接收器220，其用于接收超声波信号（received signal）。该接收信号是发射信号与从接触表面反射回的信号叠加的结果（第[0025]段），因此接收器220的作用就是检测在其表面接收到的超声波能量。这与技术特征A中超声波接收器的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | 第[0025]段：The TFT array 225 is deposited on the substrate 210.<br>第[0026]段：The receiver 220 is deposited on the TFT array 225… It may have a plurality of receiver elements corresponding to the plurality of TFT pixels. | 对比文件明确公开了在衬底210上沉积有TFT阵列225（即像素电路阵列），并且接收器220沉积在该TFT阵列上。TFT阵列225包含多个单独的TFT像素（第[0026]段），即构成了一个阵列。这与技术特征B的表述“安置在衬底上的像素电路的阵列”实质相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 无 | 对比文件描述了接收器220可以包含聚合物接收器，例如由PVDF或PVDF-TrFE制成（第[0026]段）。然而，说明书全文未提及该聚合物接收器是通过“将含有聚合物的溶液涂布”到TFT阵列上这一具体制造步骤形成的。涂布溶液是目标专利中形成压电层的关键步骤，对比文件未公开此具体工艺。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《直接公开》 | 第[0025]段：The TFT array 225 is deposited on the substrate 210. It may be amorphous or polysilicon. It may include a plurality of individual TFT pixels and associated electrodes.<br>第[0026]段：The receiver 220… may have a plurality of receiver elements corresponding to the plurality of TFT pixels. | 对比文件明确公开了TFT阵列225包含多个单独的TFT像素（即每个像素电路包含至少一个TFT元件）。虽然未明确使用“像素输入电极”这一术语，但TFT像素必然包含与之关联的电极（associated electrodes）用于电连接，特别是用于连接上方的接收器元件以接收信号。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，每个TFT像素需要这样的电极来实现其功能，这与目标专利中“像素输入电极”的作用（电耦合像素电路与压电层）是等同的。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 无 | 对比文件虽然提到了接收器可由PVDF或PVDF-TrFE等聚合物制成（第[0026]段），但完全没有描述任何关于使聚合物“结晶”以形成“结晶聚合物层”的工艺步骤或结构特征。结晶是目标专利中形成功能性压电层的关键工艺。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | 无 | 对比文件未提及任何关于对聚合物层进行“成极（极化）”的工艺。虽然接收器由PVDF等压电聚合物制成暗示了其可能具有压电性，但对比文件并未描述通过施加电场进行极化以形成压电层这一具体制造步骤，也未描述该压电层与像素电极的电接触关系。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | 第[0026]段：On the receiver 220 is a conductive layer 235 which may contain the bias signal that is distributed across the plurality of receiver elements. | 对比文件公开了在接收器220上有一个导电层235，该层包含分布到各个接收器元件的偏置信号。该偏置信号用于控制接收器的工作，从而影响传递至下方TFT阵列（即TFT元件）的信号。这与技术特征G中“接收器偏置电极…经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了该特征。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 无 | 对比文件未具体描述TFT像素关联电极（即对应于像素输入电极的结构）的材料或形成方式。虽然电极通常由导电材料制成，但“由导电薄膜形成”这一具体限定未被公开。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 无 | 对比文件未提及任何关于使用“助粘剂”的工艺或结构。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 无 | 对比文件未描述任何具体的涂布方法。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | 第[0026]段：The polymer receiver may be made of one of polyvinylidene fluoride (PVDF), polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE)… | 对比文件明确列举了接收器可由PVDF、PVDF-TrFE等材料制成。PVDF及其共聚物是公知的铁电聚合物。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了接收器包含铁电聚合物。技术特征K被直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 无 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未描述任何在特定温度范围内进行焙烤以使聚合物结晶的工艺。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无 | 对比文件未描述在任何工艺步骤中，施加导电材料以将像素电路的端子短路到接地。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 第[0032]段：For instance, thicker layers of silver ink may be used as electrodes… | 对比文件提到银墨（silver ink）可作为电极材料，但这是在讨论添加额外声学层以改善电学或声学特性时提到的，并非用于在执行极化工艺前将像素电路端子短路到接地这一目的。用途和上下文完全不同。因此，不能认为对比文件公开了技术特征N。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 无 | 对比文件未描述接收器偏置电极（即导电层235）的具体层状结构或材料组成。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无 | 对比文件未提供任何关于电极层厚度的具体数值。因此，技术特征P未被公开。 |
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