**对比文件名称**：2010-04-07_CN101691202A_发明公开_CN101691202A 一种具有微结构的聚偏氟乙烯压电薄膜的制备方法
**目标专利名称**：204具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**模型名称**：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A**：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 **未被公开** | 无 | 对比文件涉及一种压电薄膜的“制备方法”，其最终产品是“具有微结构的压电薄膜”（参见摘要及发明内容部分）。全文未提及该薄膜用于“超声波接收器”，也未描述任何检测“超声波能量”的功能、结构或应用场景。因此，该技术特征未被公开。 |
| **B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 **未被公开** | 无 | 对比文件描述了在“硅基底或玻璃基底”上制备薄膜（参见发明内容及具体实施方式），但并未提及该基底上存在“像素电路的阵列”。对比文件中的“金属电极层”是连续的、非像素化的平面电极，其作用是与模具配合施加极化电场并作为压电薄膜的一个电极，而非用于与像素电路配合进行信号读取的阵列结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 **未被公开** | “3)聚合物溶液旋涂：用旋涂机以1000-4000rpm的转速将步骤2)中配制好聚合物溶液旋涂于金属电极层上，得到聚合物层；”（参见发明内容部分） | 对比文件公开了“将含有聚合物的溶液涂布”到“金属电极层”上。然而，目标专利中涂布的对象是“像素电路的阵列”，其具有特定的电路结构（如TFT）和功能（信号采集）。对比文件中的“金属电极层”是一个简单的、连续的导电层，其作用是为极化提供下电极，与“像素电路的阵列”在结构、功能和复杂性上均不相同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出将溶液涂布到“像素电路的阵列”上的技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 **未被公开** | 无 | 对比文件全文未提及“薄膜晶体管(TFT)元件”或“像素输入电极”。其描述的器件结构仅包含基底、绝缘层、金属电极层、聚合物层和模具，不具备任何有源像素电路结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 **《直接公开》** | “5)聚合物结晶和极化：在金属电极层和金属模具之间施加场强为50-800V/μm的电压，保持20分钟；”（参见发明内容部分） | 对比文件明确公开了“聚合物结晶”这一步骤。该步骤的目的是使聚合物从溶液状态转变为具有特定晶型（如β晶型）的固态薄膜层，这与目标专利中“使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层”的作用完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **F**：执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 **《直接公开》** | “5)聚合物结晶和极化：在金属电极层和金属模具之间施加场强为50-800V/μm的电压，保持20分钟；”（参见发明内容部分） | 对比文件明确公开了“极化”步骤，即通过“施加场强为50-800V/μm的电压”来实现。该步骤的作用是使聚合物分子链偶极子定向排列，从而赋予薄膜压电特性，形成“压电层”，这与目标专利中“成极工艺”的作用相同。虽然对比文件中电场施加在“金属电极层”和“金属模具”之间，而目标专利是使压电层与“像素输入电极”电接触，但“施加电场以形成压电层”这一核心工艺步骤已被直接公开。关于电接触的具体对象不同，属于其他技术特征（如特征D）的差异。因此，“执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层”这一技术特征被直接公开。 |
| **G**：沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 **未被公开** | 无 | 对比文件中，在极化过程中使用的“金属模具”作为上电极，但在工艺完成后该模具被用于压印微结构，并未被描述为最终器件中一个永久性的、沉积在压电层上的“接收器偏置电极”。更重要的是，由于对比文件未公开TFT元件，因此也就不存在“控制相应信号被传递至所述TFT元件”的功能配置。因此，该技术特征未被公开。 |
| **H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 **《隐含公开》** | “1)制备金属电极层：在硅基底或玻璃基底上溅射一层300nm-500nmSiO2做绝缘隔离层，然后在该绝缘隔离层上溅射100nm-400nm厚的金属电极层；”（参见发明内容部分） | 对比文件公开了通过溅射形成的“金属电极层”，其厚度为100-400nm。在微电子及MEMS制造领域，通过溅射、蒸发等工艺形成的金属层通常被称为“导电薄膜”。该金属电极层在对比文件中的作用是作为下电极，用于在后续工艺中施加极化电场。虽然其结构与目标专利中与每个像素电路对应的“像素输入电极”不同，但就“由导电薄膜形成”这一材料构成特征而言，本领域技术人员可以从对比文件公开的“溅射100nm-400nm厚的金属电极层”中，合理推断出该电极层是一种“导电薄膜”。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 **未被公开** | 无 | 对比文件全文未提及使用“助粘剂”。其工艺步骤中直接旋涂聚合物溶液到金属电极层上。因此，该技术特征未被公开。 |
| **J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 **《直接公开》** | “3)旋涂聚合物溶液：用旋涂机以1000-4000rpm的转速将步骤2)中配制好聚合物溶液旋涂于金属电极层上，得到聚合物层；”（参见发明内容部分） | 对比文件明确公开了通过“旋涂”的方式涂布聚合物溶液。“旋涂”是目标专利权利要求中列举的涂布方式之一。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。 **《直接公开》** | “聚合物溶液的配置：将聚偏氟乙烯PVDF粉末或者聚偏氟乙烯PVDF及其共聚物粉末作为溶质...”（参见发明内容部分） | 对比文件明确将“聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物”作为原料。PVDF及其共聚物是公知的铁电聚合物。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 **《隐含公开》** | “4)使聚合物层填充金属模具：把旋涂好聚合物溶液的硅基底或玻璃基底放置在120-180℃热压印台上...5)聚合物结晶和极化：在金属电极层和金属模具之间施加场强为50-800V/μm的电压，保持20分钟；6)薄膜微结构成型：...保持压力1-2小时，逐渐降温至80℃，退火处理3-36小时，”（参见发明内容部分） | 对比文件公开的工艺在120-180℃的温度环境下进行“聚合物结晶和极化”及后续成型。对于PVDF及其共聚物，其居里温度（Tc）和熔点（Tm）是已知的，通常Tc约135-150℃，Tm约155-175℃。对比文件采用的120-180℃的温度范围涵盖了居里温度与熔点之间的典型区间。虽然步骤5的“保持20分钟”看似少于“至少一小时”，但整个工艺过程（包括步骤4的加热、步骤5的极化和步骤6的压力保持及长达3-36小时的退火）使聚合物材料在所述温度区间内经历了远超过一小时的热处理（焙烤）过程，足以完成结晶。本领域技术人员可以合理推断，在这样的工艺条件下，聚合物的结晶是在居里温度与熔点之间的温度下经过足够时间的焙烤实现的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 **未被公开** | 无 | 对比文件在施加电场进行极化（成极）之前或过程中，未提及任何“施加导电材料以将像素电路的端子电短路到接地”的步骤。其工艺仅涉及在上下电极（金属电极层和金属模具）之间直接施加电压。因此，该技术特征未被公开。 |
| **N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 **未被公开** | 无 | 由于特征M未被公开，且对比文件未提及任何“导电橡胶”或“导电墨水”，因此该技术特征未被公开。 |
| **O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 **未被公开** | 无 | 对比文件未描述任何“接收器偏置电极”的结构，更未提及该电极由“第一铜子层和第二镍子层”构成。因此，该技术特征未被公开。 |
| **P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 **未被公开** | 无 | 由于特征O未被公开，且对比文件未提及任何关于铜、镍子层及其具体厚度的信息，因此该技术特征未被公开。 |
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