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对比文件列表
2002-01-17_US2002005765A_发明申请_US20020005765A1 Digital indirectly compensated crystal oscillators_+++B_C_D_J_a_e+++.docx
2026-03-10 16:04
2003-10-02_US2003184399A_发明申请_US20030184399A1 Indirect temperature compensation process in an oscillator_+++A_B_C_D_H_J_M+++.docx
2026-03-10 16:04
2003-10-07_US6630872B_发明授权_US06630872B1 Digital indirectly compensated crystal oscillator_+++A_B_D_J_c_e_f_g_h_l_m+++.docx
2026-03-10 16:04
2007-05-10_US2007104298A_发明申请_US20070104298A1 Wireless device with a non-compensated crystal oscillator_+++D_J_M_a_b_c_e_f_h+++.docx
2026-03-10 16:04
2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_M_j+++.docx
2026-03-10 16:04
2008-03-13_US2008061899A_发明申请_US20080061899A1 Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators_+++A_B_J+++.docx
2026-03-10 16:04
2008-03-20_WO2008033243A_发明申请_WO2008033243A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++B_J_a+++.docx
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2008-06-04_JP4096506B_发明专利_JP4096506B2 Ask modulation circuit_+++A_a+++.docx
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2008-08-21_US2008197755A_发明申请_US20080197755A1 SURFACE-MOUNT TYPE CRYSTAL UNIT_+++A_B_C_D_G_H_J+++.docx
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2008-09-04_JP2008205938A_发明专利_JP2008205938A Crystal oscillator for surface mounting_+++A_B_G_J_c_d_e_h+++.docx
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2008-09-18_JP2008219123A_发明专利_JP2008219123A Temperature compensation piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_j+++.docx
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2008-09-30_KR100861087B_发明授权_KR100861087B1 멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기 및 제조방법_+++A_B_g_m+++.docx
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2009-05-27_EP2062361A_发明公开_EP2062361A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2010-02-18_JP2010040004A_发明专利_JP2010040004A Information processor, power supply unit control method, and program_+++A_a+++.docx
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2010-11-16_CA2394234C_发明专利_CA2394234C INDIRECT TEMPERATURE COMPENSATION PROCESS_+++A_C_D_J_b_h_m+++.docx
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2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx
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2012-05-23_CN101517895B_发明授权_CN101517895B 用于晶体振荡器的温度补偿的设备和方法_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2012-08-16_US2012209558A_发明申请_US20120209558A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_e_f_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012112621A_发明申请_WO2012112621A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2013-07-17_EP2062361B_发明授权_EP2062361B1 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_c_d+++.docx
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2013-12-11_CN103444075A_发明公开_CN103444075A 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2013-12-25_EP2676364A_发明公开_EP2676364A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2014-02-20_US2014048923A_发明申请_US20140048923A1 Semiconductor Package for High Power Devices_+++A_a+++.docx
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2014-04-24_JP2014510455A_发明专利_JP2014510455A Wireless chip set using a non-temperature compensated crystal reference unit_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2016-02-02_US9252782B_发明授权_US09252782B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2016-07-07_US2016197617A_发明申请_US20160197617A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_J_L_M_e_f_i_k+++.docx
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2016-10-06_KR101663203B_发明授权_KR101663203B1 온도 비보상형 크리스탈 레퍼런스를 갖는 무선 칩셋_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2019-03-26_US10243569B_发明授权_US10243569B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_K_L_M_e+++.docx
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2019-12-24_CN106208966B_发明授权_CN106208966B 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2020-01-01_EP2676364B_发明授权_EP2676364B1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2020-04-01_EP3629474A_发明公开_EP3629474A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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EP3629474A1_Description_20260223_1514_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260304_2030_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
2008-03-13_US2008061899A_发明申请_US20080061899A1 Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators_+++A_B_J+++.docx

**对比文件名称:** 2008-03-13_US2008061899A_发明申请_US20080061899A1 Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators

**目标专利名称:** 205具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集CN106208966B

**本次调用的模型名称:** 深度求索 deepseek-chat

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**A:** 封装内的温度测量装置,所述封装的至少一部分为热传导的,所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度。<br>**《直接公开》**参见[0028]段:“Temperature sensor 20 is seated on and mounted to the top surface of resonator 250 with an adhesive 330.”;[0029]段:“Temperature sensor 20 is adapted to accurately measure the temperature of resonator 250 because it is mounted adjacent thereto. Temperature sensor 22 is mounted to printed circuit board 302 in an adjacent relationship to temperature compensation circuit 100 and oscillator circuit 200. Temperature sensor 22 is thermally coupled to printed circuit board 302.”对比文件公开了包含两个温度传感器(20, 22)的振荡器封装300(参见图1、图2)。传感器20直接安装(粘合)在谐振器(晶体)250的顶部表面,传感器22安装在印刷电路板302上并与补偿电路和振荡器电路相邻。传感器22与印刷电路板302热耦合(thermally coupled)。印刷电路板302和盖子308构成了封装。虽然未明确使用“热传导”一词,但传感器20通过粘合剂与晶体热接触,传感器22与电路板热耦合,这些部件本身及其连接方式(如粘合剂、焊料)必然具有热传导性以实现温度测量功能,且封装结构(印刷电路板)通常由导热材料制成。因此,对比文件直接公开了位于封装内的、用于测量封装/部件温度的温度测量装置。
**B:** 所述封装内的时钟源,所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度。<br>**《直接公开》**参见[0028]段:“Resonator 250 is located above, and in spaced, generally parallel relationship to, the top surface 303 of printed circuit board 302.”;[0031]段:“Resonator 250 could also be a mesa type crystal or other bulk resonator such as lithium niobate.”对比文件中的谐振器250(例如AT切割石英晶体)是产生参考频率的时钟源,其安装在封装内的印刷电路板302上方(参见图2)。温度传感器20直接粘合在谐振器250上,这使得传感器20与谐振器250紧密热接触,从而能够准确测量谐振器的温度([0029]段)。这种安装方式使得时钟源(谐振器250)通过物理接触(粘合剂)和邻近关系与封装内的其他部件(如电路板)热耦合。虽然未使用“大体上相同温度”的表述,但传感器20被配置为准确测量谐振器温度的事实,以及传感器22测量电路板附近温度的设计,均表明时钟源与封装内特定位置的温度是密切相关的,本领域技术人员能够理解它们处于相近的热环境中。因此,该特征被直接公开。
**C:** 所述封装外部的控制器,所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果。<br>**《未公开》**参见[0028]段:“Temperature sensor signal modification circuit 50, temperature compensation circuit 100 and oscillator 200 are all mounted to printed circuit board top surface 303 by soldering to mounting pads (not shown).”;[0022]段:“Cover 308 defines an interior oscillator package cavity 310.”对比文件中的温度传感器信号修改电路50和温度补偿电路100均被安装在印刷电路板302的顶面,并且由盖子308覆盖,形成封装内部腔体310的一部分(参见图2)。这些电路用于处理温度传感器信号并产生补偿电压,其功能类似于一个“控制器”。然而,这些电路全部位于封装内部,而不是在封装外部。目标专利明确要求控制器位于封装外部,这是一个关键区别。因此,对比文件没有公开位于封装外部的控制器。
**D:** 所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差。<br>**《未公开》**参见[0056]段:“Temperature compensation circuit 100 uses the modified temperature signal from terminal 98 and received at terminal ET of temperature compensation circuit 100 to generate a temperature compensation voltage at terminal CV. The temperature compensation voltage is used to adjust the reference frequency produced by oscillator circuit 200 at terminal 202 thereof.”对比文件中的温度补偿电路100接收来自温度传感器信号修改电路50的修改后的温度信号,并基于此产生一个温度补偿电压(CV),该电压用于调整振荡器电路200的输出频率,以使其稳定。这个过程隐含了电路100需要知道温度与频率偏差之间的关系(即频率误差模型)才能进行补偿。然而,对比文件公开的是一种“补偿”行为,其直接输出是用于调整频率的“补偿电压”,而不是目标专利中明确限定的“频率误差估计”本身。目标专利的控制器输出的是“频率误差估计”这一信息,以供外部系统使用。两者目的和输出形式不同。因此,该特征未被直接公开。从作用上看,对比文件中的电路用于直接产生补偿动作,而目标专利的控制器用于生成误差信息,作用不同。
**E:** 以及信号产生器,其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差。<br>**《未公开》**参见[0026]段:“Oscillator circuit 200 ... generates and provides a stable reference frequency at output terminal.”;[0056]段:“The temperature compensation voltage is used to adjust the reference frequency produced by oscillator circuit 200”。对比文件中的振荡器电路200产生输出频率,并且该输出频率被温度补偿电路100产生的补偿电压所调整(例如通过变容二极管230,见图4)。因此,振荡器电路200输出的最终是经过温度补偿的“稳定参考频率”([0026]段),而不是目标专利所限定的“非补偿信号”。目标专利的信号产生器接收的是未经补偿的原始信号和频率误差估计,并基于两者产生两个参考信号。对比文件的架构是:传感器->补偿电路->调整振荡器输出,其输出是单一的、已补偿的频率信号。没有公开接收“非补偿信号”和“频率误差”并基于两者产生多个参考信号的“信号产生器”。因此,该特征未被公开。
**F:** 所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。<br>**《未公开》**无相应公开内容。如特征E所述,对比文件中的振荡器输出的是单一的、经过补偿的稳定参考频率信号。没有公开任何基于“非补偿信号”和“频率误差”来产生两个不同参考信号的信号产生器结构。该特征在对比文件中完全没有对应。
**G:** 其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。<br>**《未公开》**参见[0031]段:“Resonator 250 can be an AT cut quartz crystal enclosed in a vacuum.”;[0028]段:“Printed circuit board 302 is a conventional printed circuit board”。对比文件明确公开了时钟源(谐振器250)包括晶体(例如AT切割石英晶体)。然而,对比文件描述的封装主要基于“印刷电路板302”和“盖子308”([0028]段),并未提及封装材料为陶瓷。目标专利明确限定封装“包括陶瓷材料”,这是一个具体的结构特征。虽然陶瓷是电子封装中常用的材料,但对比文件并未具体公开或暗示其封装是陶瓷的。因此,该特征作为一个整体(陶瓷封装+晶体)未被公开。
**H:** 其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。<br>**《未公开》**参见[0028]段:“Printed circuit board 302 has a top surface 303 and a bottom surface 305...Temperature sensor signal modification circuit 50, temperature compensation circuit 100 and oscillator 200 are all mounted to printed circuit board top surface 303”。对比文件中的封装组件(包括温度传感器、信号修改电路、补偿电路、振荡器)确实被安装在一个印刷电路板302上。但是,如特征C所述,对比文件中的“控制器”(即温度传感器信号修改电路50和温度补偿电路100)位于封装内部,并且是安装在同一个印刷电路板302上。而目标专利的权利要求明确限定“封装外部的控制器”,并且“封装和控制器实现在电子板上”。这意味着封装和控制器是两个独立的实体,都安装在一个电子板上。对比文件的架构是控制器集成在封装内部的电路板上,与目标专利的“外部控制器”布局不同。因此,该特征未被公开。
**I:** 其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。<br>**《未公开》**参见[0028]段:“Resonator 250 is located above...printed circuit board 302...Temperature sensor 20 is seated on and mounted to the top surface of resonator 250...Temperature sensor 22 is mounted to printed circuit board 302”;[0022]段:“Cover 308 defines an interior oscillator package cavity 310.”对比文件的封装300具有一个由盖子308定义的内部腔体310(图2)。谐振器(时钟源)250和两个温度传感器20、22都位于这个单一的腔体310内。谐振器250安装在电路板上方,传感器20安装在谐振器顶部,传感器22安装在电路板上。对比文件没有将封装划分为“上部空腔”和“下部空腔”来分别容纳时钟源和温度测量装置。因此,该特定结构特征未被公开。
**J:** 其中所述温度测量装置包括热敏电阻。<br>**《直接公开》**参见[0023]段:“Temperature sensors 20 and 22 can be conventional negative coefficient thermistors (NCT) that change resistance in response to a change in temperature.”对比文件明确公开了温度传感器20和22可以是常规的负系数热敏电阻(NCT)。热敏电阻是温度测量装置的一种具体类型。因此,该特征被对比文件直接公开。
**K:** 其中所述封装按H构型而配置。<br>**《未公开》**无相应公开内容。对比文件全文未提及封装的构型为“H构型”。图2所示的封装结构是印刷电路板加平盖,并非特定的“H”形结构。因此,该特征未被公开。
**L:** 其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。<br>**《未公开》**无相应公开内容。对比文件未提及封装包含“基底层”,更未提及该基底层与电路卡组合件“热隔离”。因此,该特征未被公开。
**M:** 其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。<br>**《未公开》**无相应公开内容。对比文件仅描述了一个温度补偿晶体振荡器(TCXO)封装及其工作原理,并未提及该装置被集成到任何具体的终端设备(如移动电话、计算机等)中。因此,该特征未被公开。

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