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对比文件列表
2002-01-17_US2002005765A_发明申请_US20020005765A1 Digital indirectly compensated crystal oscillators_+++B_C_D_J_a_e+++.docx
2026-03-10 16:04
2003-10-02_US2003184399A_发明申请_US20030184399A1 Indirect temperature compensation process in an oscillator_+++A_B_C_D_H_J_M+++.docx
2026-03-10 16:04
2003-10-07_US6630872B_发明授权_US06630872B1 Digital indirectly compensated crystal oscillator_+++A_B_D_J_c_e_f_g_h_l_m+++.docx
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2007-05-10_US2007104298A_发明申请_US20070104298A1 Wireless device with a non-compensated crystal oscillator_+++D_J_M_a_b_c_e_f_h+++.docx
2026-03-10 16:04
2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_M_j+++.docx
2026-03-10 16:04
2008-03-13_US2008061899A_发明申请_US20080061899A1 Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators_+++A_B_J+++.docx
2026-03-10 16:04
2008-03-20_WO2008033243A_发明申请_WO2008033243A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++B_J_a+++.docx
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2008-06-04_JP4096506B_发明专利_JP4096506B2 Ask modulation circuit_+++A_a+++.docx
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2008-08-21_US2008197755A_发明申请_US20080197755A1 SURFACE-MOUNT TYPE CRYSTAL UNIT_+++A_B_C_D_G_H_J+++.docx
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2008-09-04_JP2008205938A_发明专利_JP2008205938A Crystal oscillator for surface mounting_+++A_B_G_J_c_d_e_h+++.docx
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2008-09-18_JP2008219123A_发明专利_JP2008219123A Temperature compensation piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_j+++.docx
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2008-09-30_KR100861087B_发明授权_KR100861087B1 멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기 및 제조방법_+++A_B_g_m+++.docx
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2009-05-27_EP2062361A_发明公开_EP2062361A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2010-02-18_JP2010040004A_发明专利_JP2010040004A Information processor, power supply unit control method, and program_+++A_a+++.docx
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2010-11-16_CA2394234C_发明专利_CA2394234C INDIRECT TEMPERATURE COMPENSATION PROCESS_+++A_C_D_J_b_h_m+++.docx
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2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx
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2012-05-23_CN101517895B_发明授权_CN101517895B 用于晶体振荡器的温度补偿的设备和方法_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2012-08-16_US2012209558A_发明申请_US20120209558A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_e_f_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012112621A_发明申请_WO2012112621A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2013-07-17_EP2062361B_发明授权_EP2062361B1 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_c_d+++.docx
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2013-12-11_CN103444075A_发明公开_CN103444075A 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2013-12-25_EP2676364A_发明公开_EP2676364A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2014-02-20_US2014048923A_发明申请_US20140048923A1 Semiconductor Package for High Power Devices_+++A_a+++.docx
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2014-04-24_JP2014510455A_发明专利_JP2014510455A Wireless chip set using a non-temperature compensated crystal reference unit_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
2016-02-02_US9252782B_发明授权_US09252782B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
2026-03-10 16:04
2016-07-07_US2016197617A_发明申请_US20160197617A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_J_L_M_e_f_i_k+++.docx
2026-03-10 16:04
2016-10-06_KR101663203B_发明授权_KR101663203B1 온도 비보상형 크리스탈 레퍼런스를 갖는 무선 칩셋_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2019-03-26_US10243569B_发明授权_US10243569B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_K_L_M_e+++.docx
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2019-12-24_CN106208966B_发明授权_CN106208966B 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
2026-03-10 16:04
2020-01-01_EP2676364B_发明授权_EP2676364B1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
2026-03-10 16:04
2020-04-01_EP3629474A_发明公开_EP3629474A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260223_1514_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260304_2030_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
2012-05-23_CN101517895B_发明授权_CN101517895B 用于晶体振荡器的温度补偿的设备和方法_+++A_B_H_J_d+++.docx

**对比文件名称**:2012-05-23_CN101517895B_发明授权_CN101517895B 用于晶体振荡器的温度补偿的设备和方法

**目标专利名称**:具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集 CN106208966B

**本次调用的模型名称**:深度分析模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:《直接公开》<br>封装内的温度测量装置,所述封装的至少一部分为热传导的,所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度[0031] 振荡器封装件300包括印刷电路板302...覆盖件或盖308可以安装到印刷电路板302以用于覆盖且保护安装到印刷电路板302的顶表面303上的振荡器部件。覆盖件308限定了内部振荡器封装件腔310。温度传感器22...安装到印刷电路板顶表面303...温度传感器20通过粘合剂330安放在且安装至谐振器250的顶表面上。对比文件明确公开了封装(由盖308和印刷电路板302构成)内包含温度传感器(20, 22)。温度传感器20、22的作用是测量封装腔310内的温度(具体是晶体和谐振器电路附近的温度)。虽然未明确使用“热传导”一词,但为了有效测量封装内部温度以进行补偿,封装本身(包括盖308和PCB 302)必然具有将外部环境热量传导至内部传感器的能力,这是本领域技术人员能够毫无疑义地确定的。该特征在对比文件中的作用同样是测量封装内部温度,与目标专利中用于后续频率误差估计的作用相同。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征B**:《直接公开》<br>所述封装内的时钟源,所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度[0033] 谐振器250位于印刷电路板302的顶表面303上方...谐振器250可以是封闭在真空内的AT切石英晶体。对比文件公开了封装内的谐振器250,其为AT切石英晶体,是振荡器电路200产生参考频率(即时钟源)的核心部件。晶体(谐振器250)安装在封装内部的PCB上,通过物理接触和/或处于同一密闭腔体(310)内,必然与封装热耦合并经受与封装内部大体相同的温度环境。该晶体在对比文件中作为提供稳定参考频率的源,与目标专利中“时钟源”的作用相同。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征C**:《直接公开》<br>所述封装外部的控制器,所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果[0031] ...温度传感器信号修改电路50、温度补偿电路100和振荡器200都通过焊接到安装盘(未示出)而安装到印刷电路板顶表面303。<br>[0056] 温度补偿电路100可以是设计为与振荡器一起使用的集成电路...温度补偿电路100...从温度传感器信号修改电路50接收经修改的温度传感器信号。对比文件公开了“温度补偿电路100”,它是一个集成电路,安装在封装(由盖308和PCB302构成)内部的PCB上。然而,根据目标专利说明书第[0063]段,控制器(如180)是位于“封装外部”的。对比文件的“温度补偿电路100”在物理位置上位于封装腔310内部,这与目标专利“封装外部”的限定不符。虽然其功能上接收来自温度传感器(通过修改电路50)的温度信号,但位置关系不同。因此,**严格意义上,该技术特征未被对比文件直接或隐含公开**。但需注意,目标专利的控制器功能(接收温度、估计误差)在对比文件中由位于封装内部的“温度补偿电路100”实现。
**技术特征D**:《隐含公开》<br>所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差[0059] 温度补偿电路100使用来自端子98且在温度补偿电路100的端子ET处接收的经修改的温度信号,以在端子CV处生成温度补偿电压。温度补偿电压用于调整由振荡器电路200在其端子202处产生的参考频率。对比文件明确公开了“温度补偿电路100”基于接收到的(经修改的)温度传感器信号,生成“温度补偿电压”并用于“调整”振荡器电路的输出频率。生成“温度补偿电压”以“调整频率”这一过程,必然隐含了该电路需要基于已知的温度-频率特性关系,对当前温度下时钟源(晶体)相对于目标频率的“频率误差”进行估计或计算,否则无法产生正确的补偿电压。本领域技术人员阅读对比文件后,能够毫无疑义地推理出,为了实现频率补偿,控制器(温度补偿电路100)必须执行基于温度测量结果来估计频率误差这一步骤。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征E**:未公开<br>以及信号产生器,其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差[0054] 振荡器电路200...生成且在输出端子202处提供稳定的参考频率。对比文件公开了振荡器电路200产生一个“稳定的参考频率”(见[0059])。目标专利中的“信号产生器”接收“非补偿信号”和“频率误差”以产生“第一参考信号和第二参考信号”。对比文件的振荡器电路200输出的是**已经过温度补偿的稳定参考信号**,而非目标专利中所述的“非补偿信号”。此外,对比文件未公开存在一个接收“频率误差”(由控制器估计出的)并基于此和“非补偿信号”产生两个不同参考信号的独立“信号产生器”模块。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征F**:未公开<br>所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。无相应内容。如特征E所述,对比文件的系统输出的是单一、已补偿的参考频率,并未公开基于非补偿信号和频率误差产生两个参考信号的配置或方法。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征G**:未公开<br>其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。[0033] 谐振器250可以是封闭在真空内的AT切石英晶体。对比文件公开了时钟源包括晶体(AT切石英晶体)。但关于封装材料,对比文件仅提及“印刷电路板302”和“覆盖件或盖308”,未明确指出封装包含“陶瓷材料”。因此,“封装包括陶瓷材料”这一限定未被公开。
**技术特征H**:《直接公开》<br>其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。[0031] 振荡器封装件300包括印刷电路板302...温度传感器信号修改电路50、温度补偿电路100和振荡器200都通过焊接到安装盘(未示出)而安装到印刷电路板顶表面303。对比文件明确公开了整个振荡器封装件(包含盖308、内部元件)以及作为控制功能的“温度补偿电路100”均安装、实现在“印刷电路板302”上。印刷电路板即电子板。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征I**:未公开<br>其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。[0031] ...温度传感器22...安装到印刷电路板顶表面303...温度传感器20...安装至谐振器250的顶表面上。谐振器250位于印刷电路板302的顶表面303上方...对比文件描述了温度传感器20安装在谐振器(晶体)的“顶表面”,温度传感器22安装在PCB的“顶表面”,谐振器本身位于PCB“上方”。整个组件被一个盖308覆盖形成腔体310。但并未将封装描述为具有专用于晶体和温度传感器的独立的“上部空腔”和“下部空腔”结构。因此,该特定的封装构型未被公开。
**技术特征J**:《直接公开》<br>其中所述温度测量装置包括热敏电阻。[0032] 温度传感器20和22可以是响应于温度的改变而改变电阻的常规的负系数热敏电阻器(NCT)。对比文件明确公开了温度传感器可以是“负系数热敏电阻器(NCT)”,即热敏电阻的一种。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征K**:未公开<br>其中所述封装按H构型而配置。无相应内容。对比文件全文未提及封装的“H构型”配置。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征L**:未公开<br>其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。无相应内容。对比文件未提及封装的“基底层”,更未提及该基底层与“电路卡组合件”热隔离。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征M**:未公开<br>其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。无相应内容。对比文件描述了振荡器可用于提供稳定的参考频率,但未具体公开其被集成到权利要求所列的任何特定终端设备(如移动电话等)中。该特征属于具体的应用场景限定,未被对比文件公开。

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