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对比文件列表
2005-02-03_发明申请_US20050023937A1 Piezoelectric vibrator_+++C_M_a_d_e_l_n_o_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_a_c_e_g_l_o_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-07-07_发明申请_US20050146247A1 Curved micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_c_e_l_m_n_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-05-29_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++B_N_c_d_e_f_g_j_l_m_o_p_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_N_a_b_c_d_e_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
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2013-05-30_发明申请_US20130134838A1 PIEZOELECTRIC MEMS TRANSFORMER_+++B_C_D_F_G_L_M_N_O_e_p+++.docx
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2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293065A1 ULTRA WIDE BANDWIDTH PIEZOELECTRIC TRANSDUCER ARRAYS_+++B_C_D_E_O_a_b_c_l_m_n_p+++.docx
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2014-08-21_发明申请_US20140232241A1 PIEZOELECTRIC ARRAY EMPLOYING INTEGRATED MEMS SWITCHES_+++B_C_E_L_M_N_O_a_g_t+++.docx
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2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-05-12_发明申请_US20160131747A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O_d_l_m+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
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2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
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2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
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2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
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2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
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2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx

**对比文件名称**:2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이

**目标专利名称**:217三端口压电超声换能器CN107107114B

**本次调用的模型名称**:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A《直接公开》**<br>在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号。[0044] “三个电极可包含用于发射信号到相关联收发器电路以及从相关联收发器电路接收信号中的每一者的单独的电极...所述布置允许彼此独立的发射(Tx)和接收(Rx)信号的时序。更确切地说,所说明的布置实现在压电超声换能器400与收发器电路510之间的信号的基本上同时的发射和接收。”<br>[0059] “송신기 여기 신호들은, 초음파들의 생성 및 발사를 허용하기 위해, 각각의 PMUT 또는 PMUT 어레이의 하나 이상의 전극들, 이를테면 각각의 PMUT와 연관된 송신 전극에 커플링될 수 있다.”对比文件明确公开了PMUT具有用于发射信号的单独电极(发射电极),并且该电极响应于来自收发器电路的信号(发射器激励信号)发射超声波。这构成了对特征A的直接公开。
**技术特征B《直接公开》**<br>所述PMUT包含安置于腔上方的膜片。[0047] “압전 초음파 트랜스듀서(100)는, 캐비티(120) 위의 앵커(anchor) 구조(170)에 의해 지지되는 다이어프램(이후 "PMUT 다이어프램" 또는 "변형가능 다이어프램"으로 지칭될 수 있음)을 형성하도록 배치되는 압전 층 스택(110) 및 기계적 층(130)을 압전 초음파 트랜스듀서(100)가 포함하도록 구성될 수 있다.”对比文件明确描述了PMUT包含在腔上方形成的膜片(다이어프램),该膜片由锚定结构支撑。这直接公开了特征B。
**技术特征C《直接公开》**<br>所述膜片包含压电层堆叠。[0047] “압전 층 스택(110)은, 압전 층(115), 하부 전극(112), 및 상부 전극(114)을 포함한다.”对比文件明确说明膜片包含压电层堆叠(압전 층 스택),其中包含压电层。这直接公开了特征C。
**技术特征D《直接公开》**<br>所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极。[0044] “3개의 전극들을 갖는 구현들에서, 3개의 전극들은, 연관된 트랜시버 회로에 신호들을 송신하는 것 및 그 회로로부터 신호들을 수신하는 것 각각을 위한 별개의 전극, 및 공통 기준 또는 접지 전극을 포함할 수 있다.”<br>[0087] “3-포트 PMUT(900)는, 압전 층(915) 아래에 그리고 캐비티(920) 위에 배치되는 기준(하부) 전극(912)을 포함한다. 내측(상부) 전극(913)은 압전 층(915) 위에 배치된다... 외측(상부) 전극들(914)이 또한 압전 층(915) 위에 배치된다.”对比文件公开了压电层堆叠包含压电层以及至少两个功能独立的电极(例如,发射电极和接收电极)。在3端口PMUT的示例中,明确包含了压电层、第一电极(내측 전극,发射极)和第二电极(외측 전극,接收极)。这直接公开了特征D。
**技术特征E《直接公开》**<br>所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合。[0044] “三个电极可包含用于发射信号到相关联收发器电路以及从相关联收发器电路接收信号中的每一者的单独的电极”。<br>[0059] “송신기 여기 신호들은... 각각의 PMUT와 연관된 송신 전극에 커플링될 수 있다.”<br>[0087] “내측 전극(913)은 "송신 전극"으로서 구성되고... Tx 드라이브 전극을 통해 내측(송신) 전극(913)에 제공되는 여기 신호의 결과로서 PMUT(900)에 의해 방출될 수 있다.”对比文件明确说明了发射电极(第一电极)与用于提供发射激励信号的收发器电路部分(例如,Tx 드라이버)电耦合。这直接公开了特征E。
**技术特征F《直接公开》**<br>且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近。[0006] “압전 층의 제1 표면 상에 또는 그에 근접하게 배치되는 수신 전극 및 송신 전극 중 하나 또는 둘 모두를 포함하며, 제1 표면은 캐비티에 대향한다.”<br>[0044] “在一些实施方案中,发射和接收电极可形成于同一电极层中。”<br>[0087] “내측(상부) 전극(913)은 압전 층(915) 위에 배치된다... 외측(상부) 전극들(914)이 또한 압전 층(915) 위에 배치된다.”对比文件明确记载接收电极和发射电极位于压电层的同一表面(제1 표면)上或附近,并且该表面与腔对置。在3端口PMUT的具体描述中,发射电极和接收电极均布置在压电层的上方(同一侧)。这直接公开了特征F。
**技术特征G《直接公开》**<br>所述第一表面与所述腔对置。[0006] “제1 표면은 캐비티에 대향한다.”<br>[0047] “상부 전극(114)은, 압전 층(115) 위에 그리고 캐비티(120)에 대향하는 압전 층(115)의 표면에 근접하게 배치된다.”对比文件明确说明了承载发射/接收电极的压电层表面是与腔对置的表面。这直接公开了特征G。
**技术特征H《直接公开》**<br>和在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。[0044] “所述布置允许彼此独立的发射(Tx)和接收(Rx)信号的时序。更确切地说,所说明的布置实现在压电超声换能器400与收发器电路510之间的信号的基本上同时的发射和接收。”<br>[0087] “3-포트 PMUT는, 동시에, 제1 전극을 통해 제1 초음파 신호들을 송신하고 그리고 제2 전극을 통해 제2 초음파 신호들을 수신하도록 구성되는 3-단자 디바이스로서 구성될 수 있으며”<br>(图9a及相关描述)接收电极(914)通过픽셀 입력 전극(937)耦合到独立的传感器像素电路(936),而发射电极(913)耦合到Tx驱动电路。对比文件明确公开了通过第二电极(接收电极)接收超声信号,并且发射和接收可以“基本上同时”进行,即时间段至少部分重叠。同时,接收电极耦合到传感器像素电路(收发器电路的接收部分),而发射电极耦合到发射驱动电路(收发器电路的不同部分)。这直接公开了特征H。
**技术特征I《直接公开》**<br>其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。[0044] “实现在压电超声换能器400与收发器电路510之间的信号的基本上同时的发射和接收。”<br>[0087] “동시에, 제1 전극을 통해 제1 초음파 신호들을 송신하고 그리고 제2 전극을 통해 제2 초음파 신호들을 수신하도록 구성된다”对比文件明确记载了“基本上同时”或“동시에”(同时)的发射和接收操作。这直接公开了特征I。
**技术特征J《直接公开》**<br>其中:所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。[0044] “内部电极413安置于压电层415上方、膜片440的中心区中。在所说明的实施方案中,外部电极414也安置于压电层415上方。”<br>[0087] “내측 전극(913)은 압전 층(915) 위에 배치된다... 외측(상부) 전극들(914)이 또한 압전 층(915) 위에 배치된다.” 结合图9a可知,内部电极位于中心,外部电极位于周边,靠近腔的壁。对比文件具体描述了3端口PMUT中,发射电极(内측 전극)位于膜片内部(中心区),接收电极(외측 전극)位于膜片外部(周边区)。外部电极必然位于腔壁与内部电极之间。这直接公开了特征J。
**技术特征K**<br>其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。未找到明确记载。对比文件未明确描述接收电极(外部电极)延伸超出腔壁。虽然外部电极可能布置在膜片周边,但其边界是否超出下方腔体的壁并未被披露。因此,本领域技术人员无法毫无疑义地得出该技术方案。该特征未被直接公开,也不属于隐含公开的范畴,因为电极形状和位置的具体设计可以有多种选择。
**技术特征L《直接公开》**<br>其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。[0044] “PMUT400包含安置于腔420上方的压电层堆叠410和机械层430...压电层堆叠410包含压电层415与具有安置于压电层415下方的相关联下部电极412。”<br>[0087] “기준(하부) 전극(912)을 포함한다. 내측(상부) 전극(913)은 압전 층(915) 위에 배치된다.”对比文件明确公开了第三电极(하부 전극/기준 전극)位于压电层与腔之间。这直接公开了特征L。
**技术特征M《直接公开》**<br>其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。[0044] “三个电极可包含...共同参考或接地电极。”<br>[0087] “제3 전극은 기준 및/또는 접지 전극으로서 기능한다.”对比文件明确将第三电极描述为共同的“基准(参考)及/或接地电极”,其作为发射电极和接收电极的公共参考端。这直接公开了特征M。
**技术特征N《直接公开》**<br>其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。[0048] “하부 전극(112)(본원에서 기준 전극으로 종종 지칭됨)은, 접지되거나, 일정한 바이어스 전압(예컨대, 기준 전압)에 연결되거나”对比文件明确记载参考电极(下部电极)可以接地或连接到恒定的偏置电压(例如参考电压),即其电压被箝位到接地或其他参考电压。这直接公开了特征N。
**技术特征O《直接公开》**<br>其中:所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。[0047] “캐비티(120) 위의 앵커(anchor) 구조(170)에 의해 지지되는 다이어프램”<br>[0044] “膜片440由锚定结构470支撑于腔420上方。”<br>PMUT的基本工作原理即是膜片在电信号激励下振动(挠曲)以发射声波,或在声压作用下振动(挠曲)以产生电信号。对比文件直接公开了膜片由锚定结构支撑并在腔上方延伸。作为PMUT,其膜片在发射或接收超声信号时必然经历挠曲运动和/或振动,这是其换能功能的物理基础。因此,特征O被直接公开。
**技术特征P《直接公开》**<br>其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。[0044] “在PMUT膜片振动期间,压电层415的接近于外部电极414的部分处于与压电层415的接近于内部电极413的部分相比相反的机械应力状态中。更确切地说...压电层415的接近于外部电极414的部分处于压缩中,而压电层415的接近于内部电极413的部分处于拉伸中。”对比文件明确描述了在膜片振动(挠曲模式)时,位于不同区域的电极(内部电极和外部电极)所对应的压电层部分分别经历压缩和拉伸应力。由于振动是周期性的,这些应力必然以交替周期(振荡负载循环)的形式出现。这直接公开了特征P。
**技术特征Q《直接公开》**<br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。[0044] “在其它实施方案中,例如在下文图8(细节A)、9(细节D)、10、11A到11C、13A到13D、以及14A到14C中所说明的实施方案中,第一振荡负载循环和第二振荡负载循环可大致同相。”对比文件明确列举了第一和第二振荡负载循环可以“大致同相”的多种实施方案。这直接公开了特征Q。
**技术特征R《直接公开》**<br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。[0044] “第一振荡负载循环和第二振荡负载循环可异相。”对比文件明确记载了第一和第二振荡负载循环可以“异相”。这直接公开了特征R。
**技术特征S《直接公开》**<br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。[0044] “第一振荡负载循环和第二振荡负载循环可异相180°。”对比文件明确记载了第一和第二振荡负载循环可以“异相180°”。这直接公开了特征S。
**技术特征T**<br>其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。未找到明确记载。对比文件主要描述了发射电极和接收电极为专用电极(例如,[0087]中内측 전극为송신 전극,外측 전극为수신 전극)。虽然提到电极可以交换配置(即内电极作接收,外电极作发射),但这是指静态的、固定的功能配置,而非同一电极在“第一时间段”和“第二时间段”动态切换其发射/接收模式。特征T涉及单个电极在时间上的模式切换,对比文件未公开此技术方案。因此,该特征未被直接公开,也不属于隐含公开。

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