**对比文件名称**：2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING
**目标专利名称**：三端口压电超声换能器CN107107114B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek最新版模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（段落号/位置） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在第一时间段期间，响应于来自收发器电路的信号，借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号。 | [0047]：“...applying an excitation signal to the fourth pixel set; following a time delay, applying the excitation signal to the third pixel set; ... applying excitation signal to the center pixel (or first pixel set)...”。<br>[0058]：“...the transceiver electronics may concurrently, or nearly simultaneously, transmit signals to each of the drive input terminals...”。 | 对比文件明确公开了向PMUT阵列的各个像素组（pixel set）施加激励信号（excitation signal）以发射超声波。所述信号来自收发器电子设备（transceiver electronics）。虽然对比文件主要描述的是由多个像素组成的超像素区域（superpixel region）的集体操作，但每个像素组包含多个PMUT元件，每个PMUT元件必然包含用于发射的电极。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出，在第一时间段，响应于来自收发器电路的信号，借助于PMUT的电极发射超声信号。该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征B**：所述PMUT包含安置于腔上方的膜片。 | [0013]：“Such transducers may include piezoelectric micromechanical ultrasonic transducers (PMUTs) configured as a multilayer stack that includes a piezoelectric layer stack and a mechanical layer disposed over a cavity.” | 对比文件第[0013]段明确描述了PMUT包含压电层堆叠和机械层，该多层堆叠安置于腔（cavity）上方。这构成了PMUT膜片的基本结构。该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征C**：所述膜片包含压电层堆叠。 | [0013]：“...a multilayer stack that includes a piezoelectric layer stack...”。 | 对比文件第[0013]段明确指出了PMUT的多层堆叠包含压电层堆叠（piezoelectric layer stack）。该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征D**：所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极。 | [0013]：“The piezoelectric layer stack may include a layer of piezoelectric material. On or proximate to each of an upper and a lower surface of the piezoelectric layer, a respective upper and lower electrode layer may be disposed.” | 对比文件第[0013]段公开了压电层堆叠包含压电材料层，并且在该压电层的上表面和下表面（或附近）分别布置有上电极层和下电极层。这公开了压电层和至少两个电极（上电极和下电极）的存在。虽然对比文件没有明确将这两个电极命名为“第一电极”和“第二电极”，但其描述的PMUT基本结构必然包含用于电学激励和感测的多个电极。本领域技术人员能够毫无疑义地得出压电层堆叠包含压电层和至少两个电极。该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征E**：所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合。 | [0056]：“...drive input terminal 860(1) is conductively coupled by way of fixedly configured conductive path 870(1) with center pixel (first pixel set) (1)...”。<br>[0058]：“...each of the drive input terminals 860 may be communicatively coupled with transceiver electronics.” | 对比文件明确公开了驱动输入端子（drive input terminal）通过固定配置的导电路径与特定的像素组（如中心像素组）电连接，而这些驱动输入端子又与收发器电子设备（transceiver electronics）通信耦合。因此，像素组中的PMUT的电极（即功能上的“第一电极”）通过导电路径和驱动输入端子与收发器电路的一部分电耦合。该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征F**：且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近。 | [0013]：“On or proximate to each of an upper and a lower surface of the piezoelectric layer, a respective upper and lower electrode layer may be disposed.” | 对比文件第[0013]段公开了电极层安置于压电层的上表面和下表面或附近。这涵盖了电极位于压电层“第一表面”（可以是上表面或下表面）或附近的情况。虽然目标专利限定了两个电极位于同一表面，而对比文件描述的是上下两个表面各有一个电极，但对比文件部分公开了“电极位于压电层表面或附近”这一上位概念。结合本领域公知常识，在压电换能器设计中，电极可以布置在压电层的同一侧以实现不同的电学模式。因此，本领域技术人员有可能从对比文件公开的内容中推理出将两个电极都安置在压电层的同一表面上。该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征G**：所述第一表面与所述腔对置。 | [0013]：“...disposed over a cavity.” | 对比文件第[0013]段指出多层堆叠（包含压电层和电极）安置于腔上方。这意味着压电层堆叠的一个表面（即背离腔的表面，或“第一表面”）与腔相对（对置）。虽然未使用“对置”一词，但根据几何位置关系，安置于腔上方的层，其远离腔的表面自然与腔相对。该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征H**：和在第二时间段期间，借助于所述第二电极接收第二超声信号，所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合，其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。 | [0060]：“...it may be desirable to include a separate set of dedicated receive electrodes on each pixel in the superpixel array to allow simultaneous or at least overlapping transmitting and receiving of ultrasonic signals with each pixel or each set of pixels in the superpixel region (also known as three-port pixels or three-port PMUTs).” | 对比文件第[0060]段明确指出了在超像素阵列中，每个像素上可以包含一组专用的接收电极（dedicated receive electrodes），以实现超声信号的**同时（simultaneous）或至少重叠（overlapping）** 的发射和接收，并明确指出这被称为三端口像素或三端口PMUT。这直接公开了使用专用接收电极进行接收，并且发射和接收时间段可以重叠。虽然该段是作为一种可选的、有利的配置提及的，并未在具体实施例中展开，但其明确描述了“至少部分重叠”发射和接收时间段的技术方案。该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征I**：其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。 | [0060]：“...to allow simultaneous or at least overlapping transmitting and receiving of ultrasonic signals...” | 同上，对比文件第[0060]段明确提到了“同时（simultaneous）发射和接收”。这直接公开了技术特征I。该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征J**：其中：所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中，且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中，所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。 | 未找到直接或隐含的相关描述。 | 对比文件主要关注多个PMUT像素在阵列中的空间分组（内部像素组、外部像素组），以实现波束成形。它没有描述**单个PMUT膜片**上不同电极（如发射电极和接收电极）在膜片内部部分和外部部分的特定空间布局。对比文件中“内部部分”、“外部部分”的表述是针对像素组在超像素区域中的位置，而非单个膜片上的电极。因此，对比文件没有公开或暗示该技术特征。 |
| **技术特征K**：其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。 | 未找到直接或隐含的相关描述。 | 对比文件未提及任何关于电极延伸超出腔壁的配置。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其中所述膜片包含第三电极，所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。 | [0013]：提到了在压电层下表面布置有下部电极层（lower electrode layer）。 | 对比文件公开了压电层堆叠包含下部电极层。在典型的“底部机械”PMUT结构中（如目标专利图4A），该下部电极层位于压电层与腔之间。因此，本领域技术人员可以合理推断出膜片包含一个安置于压电层与腔之间的第三电极（即下部电极）。该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征M**：其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。 | 未找到明确描述。 | 对比文件没有明确将下部电极描述为“参考电极”。然而，在PMUT和压电换能器领域，下部电极常被用作公共电极或参考电极。结合对比文件公开的下部电极以及第[0060]段提及的“三端口PMUTs”，本领域技术人员有可能推理出该第三电极可以被配置为公共参考电极。该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征N**：其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。 | 未找到直接或隐含的相关描述。 | 对比文件未提及将任何电极的电压箝位到接地或参考电压。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中：所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸，所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时，经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。 | [0013]：“...disposed over a cavity.” | 对比文件公开了PMUT结构包含安置于腔上方的多层堆叠（膜片）。本领域技术人员公知，这种悬置于腔上的膜片结构需要锚定结构支撑，并且在电信号激励下会发生挠曲振动以发射或接收声波。这是PMUT工作的基本原理。因此，从对比文件公开的“安置于腔上方”的结构，可以合理推断出膜片由锚定结构支撑并可经历挠曲振动。该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征P**：其中，在所述第一挠曲模式中，所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。 | 未找到直接或隐含的相关描述。 | 对比文件没有描述单个PMUT膜片上不同电极所经历的具体的、交替的拉伸和压缩应力负载循环。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。 | 未找到直接或隐含的相关描述。 | 对比文件没有涉及不同电极负载循环之间的相位关系。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。 | 未找到直接或隐含的相关描述。 | 对比文件没有涉及不同电极负载循环之间的相位关系。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。 | 未找到直接或隐含的相关描述。 | 对比文件没有涉及不同电极负载循环之间的相位关系。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T**：其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。 | 未找到直接或隐含的相关描述。 | 对比文件第[0060]段提到的是“专用的接收电极（dedicated receive electrodes）”，暗示其专用于接收。没有提及同一个电极可以在发射模式和接收模式之间切换。该技术特征未被公开。 |
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