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对比文件列表
2005-02-03_发明申请_US20050023937A1 Piezoelectric vibrator_+++C_M_a_d_e_l_n_o_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-05-29_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++B_N_c_d_e_f_g_j_l_m_o_p_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
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2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx

对比文件名称:2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器

目标专利名称:217三端口压电超声换能器CN107107114B

本次调用的模型名称:GPT-4

## 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A《隐含公开》[0003] ...当在底部电极(104)与顶部电极(106)之间施加交流信号时,振动膜片将发生弯曲振动,并向外辐射出声波。对比文件公开了在电极上施加交流信号可使振动膜片振动并“向外辐射出声波”,即发射超声信号。虽然未明确划分“第一时间段”或指定信号来自“收发器电路”,但施加信号以发射声波是本领域公知的操作模式。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,要实现发射功能,必然存在一个时间段(第一时间段)并在该时间段内响应于外部电路(相当于收发器电路)的信号。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征B《直接公开》[0003] ...该振动膜片位于空心的硅杯结构上,该硅杯结构是将硅片进行体刻蚀后形成的。对比文件明确公开了振动膜片位于“空心的硅杯结构”上方,该硅杯结构即为“腔”。因此,技术特征“PMUT包含安置于腔上方的膜片”被对比文件直接公开。
技术特征C《直接公开》[0003] ...其结构主要由硅基片(101)、位于该硅基片(101)上的支撑层(103)以及位于支撑层上的单一压电换能单元组成,其中底部电极(104)、压电薄膜(105)和顶部电极(106)构成换能器单元。该压电单元与支撑层(103)构成薄膜换能器的振动膜片。对比文件明确指出振动膜片由“支撑层”和“压电换能单元”组成,而压电换能单元包含“底部电极、压电薄膜和顶部电极”,这构成了一个多层堆叠结构,即“压电层堆叠”。因此,该技术特征被直接公开。
技术特征D《隐含公开》[0005] ...本发明提供的薄膜压电超声换能器包括...位于支撑层上的两个压电换能单元(107与108)。[0010] ...所述的两个压电换能单元均由底部电极、压电薄膜和顶部电极组成。对比文件公开了具有两个独立的压电换能单元,每个单元都包含压电薄膜(压电层)和一对电极(底部电极和顶部电极)。虽然其电极结构(每个单元有自己的上、下电极)与目标专利(两个电极位于压电层同一侧)不完全相同,但其整体上公开了“压电层堆叠包含压电层、第一电极和第二电极”这一技术构思,即存在压电层和多个用于激励/感测的电极。本领域技术人员可以理解,为实现不同的电学功能,需要对电极进行配置。因此,该技术特征被隐含公开。
技术特征E《未公开》无对应内容。对比文件仅提及在电极之间“加载交流电信号”,但未公开任何与“收发器电路”电耦合的细节,更没有提及电路的“第一部分”。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出“第一电极与收发器电路的第一部分电耦合”这一具体的电连接关系。
技术特征F《未公开》[0019] ...底部电极位于支撑层(103)之上,压电层位于底部电极之上,顶部电极位于压电层之上。目标专利限定第一、第二电极均“安置于所述压电层的第一表面上或附近”,且该表面“与所述腔对置”。对比文件公开的顶部电极位于压电层之上(与腔对置的侧),但底部电极位于压电层之下(与腔同侧)。因此,对比文件并未公开两个电极均位于压电层同一表面(第一表面)的技术方案。
技术特征G《未公开》同特征F引用。如特征F所述,对比文件仅公开顶部电极位于压电层的上表面(可能与腔对置),但底部电极位于下表面(与腔同侧)。目标专利要求两个电极均位于“与所述腔对置”的表面上,对比文件未公开此配置。
技术特征H《未公开》无对应内容。对比文件全文聚焦于如何通过两个单元反相激励来提高发射效率,并未提及任何利用电极“接收”超声信号,更没有提及“第二时间段”以及与发射时间段“至少部分地重叠”。也未公开第二电极与收发器电路“第二且不同的部分”电耦合。该技术特征涉及三端口PMUT实现同时收发功能的核心,对比文件完全没有揭示。
技术特征I《未公开》无对应内容。对比文件未公开任何关于“接收”超声信号的内容,因此更不可能公开“同时”发射和接收。
技术特征J《直接公开》[0011] ...外部压电单元(107)包围住内部压电单元(108),即内部压电单元(108)为圆形形状,外部压电单元(107)为圆环形状,二者同心并且相互绝缘。[0022] ...外部压电单元(107)的底部电极(109)为圆环形状...;内部压电单元(108)的底部电极(111)为圆形形状...对比文件明确公开了内部(圆形)和外部(圆环)两个压电单元,且外部单元包围内部单元。在圆形膜片和圆形腔的背景下,内部单元自然位于“膜片的内部部分”,外部圆环单元则位于“膜片的外部部分”,并且外部单元必然“接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极(内部单元)之间”。因此,该技术特征被直接公开。
技术特征K《未公开》[0022] ...外部压电单元(107)的底部电极(109)为圆环形状,其外径为2mm,内径为1.2mm...对比文件限定了外部电极(单元)的尺寸,但未提及该电极的任何部分“延伸超出所述腔的壁”。电极尺寸与腔尺寸的关系未被定义,因此无法得出该技术特征。
技术特征L《隐含公开》[0003] ...其中底部电极(104)、压电薄膜(105)和顶部电极(106)构成换能器单元。[0019] ...底部电极位于支撑层(103)之上,压电层位于底部电极之上...对比文件公开了每个压电换能单元都包含一个“底部电极”,该电极位于压电薄膜(层)与支撑层之间。由于支撑层是膜片的一部分并覆盖在腔上,因此底部电极实质上位于“压电层与所述腔之间”。虽然对比文件未明确称之为“第三电极”,但其物理位置符合该描述。本领域技术人员可以合理推断出存在这样一个电极层。因此,该技术特征被隐含公开。
技术特征M《未公开》无对应内容。对比文件虽然公开了底部电极,但并未将其描述或配置为与顶部电极“一样的参考电极”。在对比文件的驱动方案中([0025]),内部和外部单元的底部电极与各自顶部电极之间的电压差有π相位差,说明底部电极并非一个共同的、电压固定的参考电极。因此,该技术特征未被公开。
技术特征N《未公开》无对应内容。对比文件未提及将任何电极的电压“箝位到接地或其它参考电压”。
技术特征O《直接公开》[0003] ...该振动膜片位于空心的硅杯结构上...当在底部电极(104)与顶部电极(106)之间施加交流信号时,振动膜片将发生弯曲振动...[0004] ...其基频模态如图3所示。对比文件明确振动膜片位于腔(硅杯)上方。施加交流信号时,膜片发生“弯曲振动”,即经历了挠曲运动和振动。图3所示的“基频模态”即对应于“在第一挠曲模式中操作”。因此,该技术特征被直接公开。
技术特征P《隐含公开》[0004] ...从图4中可以看出,当发生振动时,假如振动膜片向上振动,其边缘部分的曲率为正,而中心部分的曲率为负,二者相反。这表明振动膜片表面的边缘部分与中心部分的拉压状态也是相反的...对比文件分析了膜片在基频振动时,边缘部分与中心部分的应力(拉压)状态相反。当施加交流信号驱动时,这种拉伸和压缩状态会随着振动方向的变化而交替出现,形成“振荡负载循环”。由于内部和外部电极分别位于中心和边缘区域,它们各自经历的应力循环即是“第一振荡负载循环和第二振荡负载循环”。因此,该技术特征被隐含公开。
技术特征Q《未公开》[0005] ...外部压电单元(107)的底部电极(109)与顶部电极(110)的电压差,同内部压电单元(108)的底部电极(111)与顶部电极(112)的电压差相比,存在着π的相位差,从而在圆形振动膜片区域上形成的两个振动区域(PZT层),且二者沿彼此相反的方向振动。对比文件明确要求内部和外部单元的驱动电压差存在π(180°)的相位差,目的是使两个区域的振动方向“相反”。振动方向相反意味着它们所经历的机械应力循环(拉伸/压缩)在时间上是反相的,即“异相”,而非“大致同相”。因此,对比文件公开的是异相,而非同相。
技术特征R《直接公开》同上([0005])。对比文件明确公开了内部和外部单元被施加相位差π的电压,导致振动方向相反。振动方向相反直接意味着它们所经历的应力变化循环是“异相”的。因此,该技术特征被直接公开。
技术特征S《直接公开》同上([0005])。对比文件明确指出了π的相位差,即180°的相位差。因此,“异相180°”这一具体情形被直接公开。
技术特征T《未公开》无对应内容。对比文件仅描述了电极用于施加驱动电压以实现发射功能,完全没有提及任何电极可以在“发射模式”和“接收模式”之间进行切换或配置。

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